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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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通常我們的電子產(chǎn)品,為防止用戶將正負極接反,會對接口做防反接保護。比如接口做成梯形或者開個缺口,反了不容易插進,但你真的永遠不知道你的產(chǎn)品用戶是萌妹紙還...
介紹GPIO的定義和GPIO不同模式間的區(qū)別與實現(xiàn)方式
GPIO全稱General Purpose Input Output 即通用輸入/輸出,其實GPIO的本質就是芯片的一個引腳,通常在ARM中所有的I/O...
在硬件設計中,關于電路保護的部分是保證系統(tǒng)可靠性的重要一環(huán),電路保護的設計具體也包括很多方面,比如:防反設計,過流保護,過壓保護,欠壓保護,過熱保護等,...
MOS管是電子制造的基本元件,但面對不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時,該如何抉擇?有沒有省心、省力的遴選方法?
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
從t1時刻開始,MOS進入了飽和區(qū)。在飽和有轉移特性:Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導,只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后,而此時又處于...
在我們實際的應用當中最流行和最常見的電子器件就是常見的雙極結晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見的元器件,但是在一些相對較高電流的...
從上圖可以看出沖擊電流很大,達23.0A,遠大于滿載工作電流(1A左右),板上電源設計指南要求是滿載工作電流的3~5倍,所以需要整改以達到板上電源要求,...
過快的充電會導致激烈的米勒震蕩,但過慢的充電雖減小了震蕩,但會延長開關從而增加開關損耗。Mos開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的...
如何利用STM32F0單片機PWM + ADC去控制有刷電機
讀取 ADC 的值,寫入 TIM 的 CCR 寄存器,觀察 PWM 占空比的變化。根據(jù)電機的特性,還可能需要改變 PWM 的周期。
NCP1400ASN50、NCP1402SN50、CS5171、TPS60110、TPS60111、MAX756、MAX777、MAX731、MAX77...
OC門,又稱集電極開路(漏極開路)與非門門電路,Open Collector(Open Drain)。
從應用側出發(fā)來給大家介紹一下MOS管里面最常見的NMOS
對于這個高速的PWM波控制場景是致命的。當PWM波的周期接近于這個爬升時間時,這個波形就會失真。一般來說Cgs大小和Rds(on)是成反比的關系。Rds...
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