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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
手算法其實(shí)就是根據(jù)設(shè)計(jì)要求，把結(jié)構(gòu)定下來之后運(yùn)用運(yùn)放的一些基礎(chǔ)知識(shí)將MOS管的W/L參數(shù)一一定下來的方法，這個(gè)方法不一定能設(shè)計(jì)出很完美的運(yùn)放，但是對(duì)...
MOSFET即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其全稱為METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSIS...
今天旺哥給大家分享幾個(gè)平時(shí)工作中經(jīng)常使用的通訊電平轉(zhuǎn)換電路，可能有的小伙伴還不了解什么是電平轉(zhuǎn)換，那么旺哥給大家舉個(gè)例子，比如MCU的工作電壓是5V,而...
LDO(Low Dropout Regulator)是嵌入式系統(tǒng)中廣泛使用的器件，也是最基本的模擬類電源，由于其輸出噪聲小，電路簡(jiǎn)單，所以在各種應(yīng)用中都...
2023-02-16 標(biāo)簽：電源嵌入式系統(tǒng)ldo 5723 0
三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
2023-02-16 標(biāo)簽：三極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1261 0
電池管理系統(tǒng)是一種能夠?qū)﹄姵剡M(jìn)行監(jiān)控和管理的電子裝備，是電池與用戶之間的紐帶。通過對(duì)電壓、電流、溫度以及SOC等數(shù)據(jù)采集，計(jì)算進(jìn)而控制電池的充放電過程，...
MOS管的三個(gè)引腳分別是Gate（G）、Source（S）和Drain（D）。Gate（G）引腳是晶閘管的控制引腳，通過控制Gate（G）引腳的電壓來控...
晶體管開關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計(jì)中十分常見。經(jīng)典的74LS、74ALS等集成電路內(nèi)部采用晶體管開關(guān)電路，但只有普通的驅(qū)動(dòng)能力。三極管開關(guān)電路分為兩大類，一類...
2023-02-15 標(biāo)簽：開關(guān)電路電路設(shè)計(jì)MOS管 2111 0
從多個(gè)維度分析了米勒效應(yīng)，針對(duì)Cgd的影響也做了定量的推導(dǎo)，今天我們?cè)俸痛蠹乙黄穑Y(jié)合米勒效應(yīng)的仿真，探討下如何減小米勒平臺(tái)。
2023-02-14 標(biāo)簽：開關(guān)電路示波器MOS管 1.3萬 0
簡(jiǎn)單回顧氮化鎵與硅基MOS管相比，氮化鎵結(jié)構(gòu)的特性。然后從消費(fèi)類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況，重點(diǎn)介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域...
先說一下半導(dǎo)體，啥叫半導(dǎo)體？就是介于導(dǎo)體和絕緣體中間的一種東西，比如二極管。
增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理
通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極之間就形成電容，當(dāng)柵極與源極之間電壓變化時(shí)，將改變襯底靠近絕緣層出的感應(yīng)電荷的多少，從而控制漏極電流大小。
在SiO2絕緣層中摻入大量正離子，那么即使Ugs=0,在正離子作用下，P襯底的表面會(huì)有電子匯聚，也會(huì)形成反型層，造成漏-源之間存在導(dǎo)電溝道。
由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān)，所以在設(shè)計(jì)中把它當(dāng)成一個(gè)常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時(shí)，此模型不再精確，閾值電壓與L、...
短溝器件的特性與前一節(jié)分析的電阻工作區(qū)和飽和區(qū)的模型有所不同，主要原因是速度飽和效應(yīng)。 載流子的速度正比于電場(chǎng)，遷移率是一個(gè)常數(shù)，當(dāng)溝道電場(chǎng)達(dá)到某一臨界...
一個(gè)MOSFET管的動(dòng)態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個(gè)器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時(shí)間。 本征電容的主要來源有三個(gè)：基本的MO...
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