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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1所示。
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件，其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測試的重要性 MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管功率器件 3374 0
CL6291是一款微小型、高效率、升壓型DC/DC調(diào)整器。電路由電流模PWM控制環(huán)路，誤差放大器，斜波補(bǔ)償電路，比較器和功率開關(guān)等模塊組成。
2022-10-12 標(biāo)簽：MOS管比較器升壓轉(zhuǎn)換器 3370 0
MOS管工作在開關(guān)狀態(tài)下的Miller效應(yīng)的原因與現(xiàn)象分析
簡 介： 本文對于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動。
詳細(xì)的反激式開關(guān)電源EMC調(diào)試設(shè)計(jì)方案
工作過程分為兩個階段：原邊MOS管ON期間和OFF期間。MOS管開通期間：Vin電壓 加在變壓器初級繞組上，此時變壓器儲能；次級整流二極管因承受反...
2024-01-02 標(biāo)簽：變壓器轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源 3368 0
淺談從直流有刷電機(jī)到直流無刷電機(jī)驅(qū)動
童年的四驅(qū)車幾乎是我們第一次近距離接觸馬達(dá)。想必有動手能力強(qiáng)一些的小伙伴還拆過，改裝過馬達(dá)吧。其實(shí)它就是一種結(jié)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)的直流有刷電機(jī)（BDC）。
電路設(shè)計(jì)時，三極管和MOS管作為開關(guān)管區(qū)別在哪？
三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D...
電路防反接，你真的會用了嗎？MOS管用作防反接的接法，理解了嗎？”，做過電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的工程師，都會在電源部分加入防反接電路，主要目的就是怕電源的GND和...
電源放反接設(shè)計(jì)和緩啟動電路設(shè)計(jì)分析
在實(shí)際電路調(diào)試中，會因小失誤將電源的正負(fù)極接反，從而導(dǎo)致電路中的相關(guān)器件損壞。即在電路設(shè)計(jì)中，增加適當(dāng)?shù)姆婪唇与娐贰１容^簡單的電路，即在電源的輸入端串聯(lián)...
MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）
上文我們講述了1800W雙通道功放MOS管應(yīng)用方案，本文我們?nèi)匀焕^續(xù)展開舞臺音響功放的應(yīng)用講述。
2023-12-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 3347 0
開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管驅(qū)動電路
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管，其驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 3338 0
MOS管和插件MOS管的另一個區(qū)別在于它們的封裝形式不同。MOS管的封裝形式一般是直接焊接在電路板上，而插件MOS管的封裝形式則是安裝在插座上，然后將插...
1. 引言 MOS管作為電子電路中的核心組件，其性能直接影響整個系統(tǒng)的工作狀態(tài)。在高功率或高頻工作條件下，MOS管會產(chǎn)生大量熱量，若散熱不及時，可能導(dǎo)致...
使用時，要特別注意內(nèi)部保護(hù)二極管。例如，電源接反時，源級S接到了電源正極，此時通過內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通，如果電源輸入沒有反接保護(hù)，NOMS管有可能燒毀。
MOS 管的開啟與關(guān)閉 要研究這個自舉的由來，我們還是先看一下 MOS 的開啟與關(guān)閉。從上文得知，我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓?fù)渲?..
三極管是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極管和PNP型三極管兩種，符號如下。
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，...
MOS管米勒效應(yīng)：感性負(fù)載和阻性負(fù)載差異點(diǎn)解析
通過AM1波形，我們能看到二極管上有電流流過（一部分的電感電流，續(xù)流），二極管處于正偏狀態(tài)。
基于仿真數(shù)據(jù)的gm/Id模擬集成電路設(shè)計(jì)方案
由于這些參數(shù)曲線與MOS管的柵寬和源漏電壓關(guān)系很小，所以以一定的柵寬和源漏電壓作為仿真條件，對MOS管柵極電壓進(jìn)行直流參數(shù)掃描。
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