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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導(dǎo)通的過渡過程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導(dǎo)通到截止的過渡過程)、截止狀態(tài)。MOS主要損耗也對應(yīng)這幾個狀...
我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì),MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加,一般消耗電流在30~40mA,或者是MOS管工作有問題;電動機無力可能是控制器檢測過流的康銅絲焊接不良,導(dǎo)致...
電路需要增加5V過壓保護功能。剛開始,我是用穩(wěn)壓二極管組合三極管,MOS管設(shè)計的電路,結(jié)果功能實現(xiàn)不了,電壓到了10V都沒有保護。
在分析共柵極架構(gòu)(CG)的LNA前,需要先回顧一下共柵架構(gòu)MOS管的輸入阻抗,輸出阻抗和電壓增益的推導(dǎo)過程。
2023-03-26 標簽:MOS管LNA拓撲結(jié)構(gòu) 3782 0
如圖所示MOS管驅(qū)動電路,定性分析可知,當MOS管關(guān)斷時,MOS管兩端應(yīng)力為Vds,此時Vds向Cgd和Cgs充電,可能導(dǎo)致Vgs達到Vgs(th)導(dǎo)致...
電力MOSFET都是通過增加N-漂移區(qū)的厚度來提高工作電壓,但由此也帶來通態(tài)電阻的增大,當電流比較大時,管壓降和損耗會明顯加大,因此MOSFET特別適合...
把紅表筆接到MOS管的源極S;把黑表筆接到MOS管的漏極D,此時表針指示應(yīng)該為無窮大,如圖5-3所示。如果有歐姆指數(shù),說明被測管有漏電現(xiàn)象,此管不能用。
自舉電路也叫升壓電路,是利用自舉升壓二極管,自舉升壓電容等電子元件,使電容放電電壓和電源電壓疊加,從而使電壓升高,有的電路升高的電壓能達到數(shù)倍電源電壓。
2023-06-01 標簽:二極管升壓電路場效應(yīng)管 3740 0
MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
2023-05-12 標簽:開關(guān)電源電路設(shè)計MOS管 3734 0
1 MOS管發(fā)熱影響因素 經(jīng)常查閱MOS管的數(shù)據(jù)手冊首頁可以經(jīng)常看到如下參數(shù), 導(dǎo)通阻抗RDS(on) 柵極驅(qū)動電壓VGS 流經(jīng)開關(guān)的漏極電流Id 結(jié)溫...
2024-07-21 標簽:MOS管 3727 0
MOS管和驅(qū)動芯片的選型是電子工程設(shè)計中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),它們直接影響電路的性能、穩(wěn)定性和可靠性。以下將詳細闡述MOS管和驅(qū)動芯片的選型過程,包括需考慮的關(guān)鍵...
傳統(tǒng)Boost PFC和無橋PFC的工作原理及狀態(tài)
由于無橋PFC拓撲主要為提高效率(省掉了整流橋及其損耗),但相對傳統(tǒng)Boost PFC,在成本(所用MOS管和快速二極管多一倍)、控制(相對復(fù)雜)和EM...
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