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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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電源防反接，應(yīng)該是很多電路場景下都會(huì)采取到此系列得設(shè)計(jì)。
我們的谷德海普的客服反饋，經(jīng)常遇到一些用戶詢問到我們的烙鐵頭使用什么熱電偶型號(hào)。把客服問懵了，烙鐵頭的生產(chǎn)過程當(dāng)中沒有使用到單獨(dú)的熱電偶呀，哪來的具體型...
傳感器及發(fā)光器件常需恒流源供電，精確測量微小電阻一般也要用到恒流源。 恒流源的本質(zhì)是其具有調(diào)節(jié)負(fù)載兩端電壓的能力，凡具有電壓調(diào)整能力的器件均可構(gòu)成恒流源...
硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的，但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象，導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀，甚至整塊板子都廢掉，還得再焊接一塊，不知道有什么...
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。
MOS管或IGBT管是車載充電機(jī)內(nèi)部重要元器件，兩者該如何辨別？
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，被廣泛應(yīng)用于各種電子電路，是車載充電機(jī)、DC-DC變換器和模塊電源中重要的電子元器件。
公牛車充拆解|拓爾微A+C雙口快充方案IM2403+TMI3451
在快節(jié)奏的生活中，手機(jī)已成為人們不可或缺的工具。對于經(jīng)常開車出門的人來說，在車上給手機(jī)充電已經(jīng)成為剛需，因此車載充電器是很多車主的不二之選，它能便捷地解...
功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？
學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪...
2023-05-18 標(biāo)簽：三極管功率放大器場效應(yīng)管 2612 0
文章主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識(shí)，例如：mos管工作原理、mos管封裝等知識(shí)。
通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1所示。
前幾期曾經(jīng)講過，對封裝后的芯片進(jìn)行CDM測試，大量非平衡載流子會(huì)通過金線集聚到封裝框架中。所以封裝也是影響CDM的關(guān)鍵因素之一，恰宜的封裝能大幅度提升芯...
MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。
2023-05-16 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管漏極 2040 0
mos管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以...
LM2675電源芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)
類似于板級電路設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電源，芯片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓為芯片其他電路提供穩(wěn)定的參考電壓。這個(gè)基準(zhǔn)電壓要求高精度、穩(wěn)定性好、溫漂小。
電池管理系統(tǒng)的幾個(gè)硬件設(shè)計(jì)關(guān)鍵點(diǎn)
電池管理系統(tǒng)（Battery Management System，BMS）的作用是智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過放和過充，延長電池的使用壽命
2023-05-15 標(biāo)簽：NTCMOS管電池管理系統(tǒng) 3422 0
半導(dǎo)體技術(shù)之?dāng)?shù)電門電路
三種基本運(yùn)算（與、或、非），復(fù)合邏輯計(jì)算（與非、或非、與或非、異或、同或），邏輯代數(shù)的基本公式和常用公式，邏輯代數(shù)的基本定理（帶入定理、反演定理、對偶定...
離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個(gè)物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)...
2023-05-12 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路寄生電容 2121 0
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2023-05-12 標(biāo)簽：開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)MOS管 3734 0
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