mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管的原理 MOS管的特點(diǎn)

　　MOS管是由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成，其中金屬氧化物層是MOS管的核心部分，它由一層金屬和一層氧化物組成，金屬層和氧化物層之間有一個很小的...

2023-02-17 標(biāo)簽：三極管 MOS管晶體管 7328 0

三極管和MOS管的原理圖文分析

01?革命性硬件延續(xù)“夜視儀”傳統(tǒng)

2020-09-11 標(biāo)簽：三極管 MOS管 7325 0

開關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn)、作用及基本結(jié)構(gòu)

　開關(guān)電源是一種利用電子元器件(如晶體管、二極管、場效應(yīng)管等)控制電流的開關(guān)狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)電源輸出電壓的調(diào)節(jié)和穩(wěn)定的一種電源。其基本工作原理是通過開關(guān)器件對...

2023-09-08 標(biāo)簽：二極管開關(guān)電源 MOS管 7302 0

從器件的結(jié)溫角度分析產(chǎn)品的可靠性

工程師在設(shè)計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計算后，換成5A的MOS管，問題就解決。為什么用電流裕量更小了，卻能提高可靠性...

2018-11-07 標(biāo)簽：芯片場效應(yīng)管 MOS管 7301 0

如何從MOS管的驅(qū)動波形來判斷驅(qū)動好不好

一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動型，所以驅(qū)動MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管寄生電容驅(qū)動電阻 7277 0

降壓轉(zhuǎn)換器的buck電路分析

　buck電路也屬于開關(guān)電源。通過在MOS管Q上加上開關(guān)信號PWM，控制開關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，是電感和電容充放電，這里采用的二極管是肖特基二極管，其特點(diǎn)是...

2017-07-05 標(biāo)簽：二極管電容 mos管 7277 0

按鍵開關(guān)電路原理分析

給大家分析一個按鍵開關(guān)的工作原理，通過對電路的分析，有助于大家提升自己的電路分析能力。

2023-03-14 標(biāo)簽：led 開關(guān)電路 MOS管 7256 0

放大電路的基礎(chǔ)—單級放大器（1）

放大是模擬電路的基本功能之一，是運(yùn)算放大器、功率放大器、低噪聲放大器等模塊的主要功能。

2023-09-18 標(biāo)簽：功率放大器運(yùn)算放大器 MOS管 7247 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 SiC 7246 0

MOS管柵極串聯(lián)電阻作用分享

如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小MOS導(dǎo)通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。

2022-10-27 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻二極管 MOS管 7195 0

Buck電路和Boost電路的工作原理

Buck電路，也就是常說的降壓電路，為直流進(jìn)-直流出。電路沒有變壓器，輸入輸出公共一個地。下圖為Buck電路的簡化示意圖。

2024-10-08 標(biāo)簽：MOS管 boost電路 buck電路 7186 0

單片機(jī)遙控開關(guān)MOS管詳解

說起單片機(jī)MOS管，有些人的腦子里可能是一團(tuán)漿糊，書上說的文字一大堆，今天小億從物聯(lián)網(wǎng)實(shí)用角度來介紹MOS管中最常用的NMOS，

2022-07-12 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管 NMOS 7124 1

MOS管散熱片接地與不接地對EMC的影響

在電子電路設(shè)計當(dāng)中很多情況下都要考慮EMC的問題。在設(shè)計中使用MOS管時，在添加散熱片時可能會出現(xiàn)一種比較糾結(jié)的情況。

2020-07-11 標(biāo)簽：MOS管 emc 7064 0

【實(shí)用電路設(shè)計案例】緩啟動電路實(shí)例分析與應(yīng)用

本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測試過程的浪涌電流沖擊問題，詳細(xì)分析了MOS管緩啟動電路的RC參數(shù)，通過分析和實(shí)際對電路參數(shù)的更改，使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。

2022-10-25 標(biāo)簽：電路設(shè)計 MOS管緩啟動電路 7064 0

Flash存儲器的工作原理和基本結(jié)構(gòu)

　　Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。

2023-09-09 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器 MOS管 7061 0

前級驅(qū)動電路設(shè)計中的推挽電路設(shè)計

了解自舉電容自舉電容首次充電電路的分析和搭建，分析電路不足并引出電流環(huán)和電壓環(huán)；

2019-05-29 標(biāo)簽：電路設(shè)計 MOS管推挽電路 7020 0

MOSFET柵極驅(qū)動電路的振蕩問題解析

上一篇文章我們介紹過，為了使MOS管完全導(dǎo)通，需要盡量提高柵極的驅(qū)動電流。那是不是柵極驅(qū)動電流越大越好呢，即驅(qū)動電路的內(nèi)阻越小越好？

2023-08-14 標(biāo)簽：pcb MOSFET MOS管 6977 0

功率mos管為何會被燒毀？

Mos問題遠(yuǎn)沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變）...

2020-05-30 標(biāo)簽：CMOS MOS管 6971 0

全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點(diǎn)

IGBT 有三個端子（集電極、發(fā)射極和柵極）都附有金屬層。然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。

2023-09-19 標(biāo)簽：電子元器件 MOS管 IGBT 6947 0

深度剖析MOS管的分類

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構(gòu)成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應(yīng)用的只需增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...

2018-11-06 標(biāo)簽：MOS管 JFET 6921 0

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