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      標(biāo)簽　>　mos管

      mos管

      mos管

      +關(guān)注108人關(guān)注

      mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

      文章：2112個(gè) 瀏覽：70359次 帖子：1224個(gè)

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      2023-07-04 標(biāo)簽：led二極管開關(guān)電源 1.2萬 0

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      常見的晶體管有二極管、三極管和MOS管，主要的邏輯門電路：與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門等，這篇文章介紹用晶體管搭建常見的邏輯門電路。

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      mos管旁邊并以二極管是防止場效應(yīng)管反向擊穿而設(shè)置的。

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      2019-01-22 標(biāo)簽：MOS管電壓 1.2萬 0

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      場效應(yīng)管主要分兩個(gè)種類，分別是結(jié)型場效應(yīng)管和金屬氧化物場效應(yīng)管。結(jié)型場效應(yīng)管我連見都沒有見過，更不要說應(yīng)用了，所以就不說了。金屬氧化物場效應(yīng)管就是我們常...

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      MOS是電壓驅(qū)動元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以儲存很長時(shí)間。

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      在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏...

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      設(shè)計(jì)了一個(gè)分壓電路，理論上輸入1V，輸出2V，可是一測，總是多了近6,7百個(gè)mV。這要是進(jìn)12位3V量程ADC，可是要吃掉600多個(gè)碼。點(diǎn)解？

      2017-11-08 標(biāo)簽：運(yùn)放電路mos管導(dǎo)通電阻 1.2萬 2

      基本無橋PFC電路原理圖解

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      mos管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以...

      2023-05-16 標(biāo)簽：模擬電路MOS管NMOS 1.2萬 1

      MOS管推挽電路設(shè)計(jì)

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      　　三極管推挽電路輸出特點(diǎn)：Vout=Vin-0.3V(如下圖所示)。

      2023-02-02 標(biāo)簽：三極管電路設(shè)計(jì)MOS管 1.2萬 0

      不同Vt cell工藝是怎么實(shí)現(xiàn)的？閾值電壓和哪些因素有關(guān)系？

      Vt指的是MOS管的閾值電壓（threshold voltage）。具體定義（以下圖NMOS為例）：當(dāng)柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形...

      2023-03-10 標(biāo)簽：MOS管Cell 1.2萬 0

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      2023-02-28 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1.2萬 0

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