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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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總投資10個(gè)億!簽約!年產(chǎn)六萬(wàn)顆,正齊半導(dǎo)體落地
馬來(lái)西亞正齊集團(tuán)CEO胡光榮表示,非常榮幸能夠在杭州蕭山建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊封裝工廠,這是我們集團(tuán)響應(yīng)全球‘雙碳’目標(biāo)和‘自主可控’戰(zhàn)略的重要舉措。我們...
IGBT元器件旁路連接的反向二極管起什么作用? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,它是一種強(qiáng)大的電力開(kāi)關(guān)元件,廣泛用于各種交流和直流電力電子應(yīng)用中。IGBT...
隨著新能源汽車(chē)(NEV)的崛起,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已成為這一領(lǐng)域的核心元件。目前我國(guó)新能源汽車(chē)快速發(fā)展已經(jīng)使IGBT已成為我國(guó)最重要的應(yīng)用領(lǐng)域...
2023-10-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源IGBT 2260 0
IGBT模塊損壞時(shí),什么情況導(dǎo)致短路?什么情況導(dǎo)致開(kāi)路?
IGBT模塊損壞時(shí),什么情況導(dǎo)致短路?什么情況導(dǎo)致開(kāi)路?? IGBT模塊是一種功率模塊,用于高功率電子設(shè)備控制。當(dāng)IGBT模塊在使用過(guò)程中遭受損壞時(shí),可...
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響?
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開(kāi)關(guān)器件,常用于高功率電子應(yīng)用中。IG...
IGBT在控制極上加正電壓可以控制導(dǎo)通,電壓為0時(shí)可以讓其關(guān)斷,那么加一個(gè)反壓呢?IGBT會(huì)是什么情況?
IGBT在控制極上加正電壓可以控制導(dǎo)通,電壓為0時(shí)可以讓其關(guān)斷,那么加一個(gè)反壓呢?IGBT會(huì)是什么情況? 關(guān)于IGBT在控制極上加反壓的情況,我們需要探...
IGBT一定要加負(fù)壓才能關(guān)斷嗎?IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件有幾種?
IGBT的工作原理 IGBT一定要加負(fù)壓才能關(guān)斷嗎?IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件有幾種? 一、IGBT的工作原理 IGBT(Insulated Gate B...
2023-10-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 7829 0
igbt可以反向?qū)▎幔咳绾慰刂苅gbt的通斷? IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮...
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種晶體管,可以用作開(kāi)...
2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT晶體管驅(qū)動(dòng)電壓 2.4萬(wàn) 0
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)?
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)? GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中,各有強(qiáng)項(xiàng)和弱點(diǎn),本文著重...
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎?
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎? IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電...
2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT晶體管驅(qū)動(dòng)電路 3984 0
人機(jī)大戰(zhàn)之如何計(jì)算IGBT壽命——ChatGPT越戰(zhàn)越勇
本期是和ChatGPT辯論的第四回合(第三期回合回顧),本期ChatGPT大顯神威,抗住了資深FAE的連環(huán)追問(wèn),答案有模有樣。
羅姆集團(tuán)馬來(lái)西亞工廠新廠房竣工 以需求日益增長(zhǎng)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC為主加強(qiáng)模擬IC產(chǎn)能
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆為了加強(qiáng)模擬IC的產(chǎn)能,在其馬來(lái)西亞制造子公司ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd...
2023-10-18 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體IGBT 1056 0
汽車(chē)芯片持續(xù)旺盛的需求下,IGBT/MCU為何還一芯難求
自去年開(kāi)始,芯片市場(chǎng)逐漸呈現(xiàn)出“冰火兩重天”的格局。一方面,在消費(fèi)電子市場(chǎng)一片萎靡下,芯片市場(chǎng)從“搶芯片”變成“去庫(kù)存”,WSTS數(shù)據(jù)顯示,1月全球半導(dǎo)...
100家功率器件廠商匯總前言功率器件應(yīng)用前景廣闊,幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以MOSFET、IGBT為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同,廣泛應(yīng)用于汽...
羅姆新增SiC和IGBT模型,可提供超3,500種LTspice?模型
據(jù)AMEYA360介紹:全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)擴(kuò)大了支持電路仿真工具* 1 LTspice? 的SPICE模型* 2 陣容。LTs...
2023-10-17 標(biāo)簽:IGBTSiC羅姆半導(dǎo)體 951 0
就在今年8月,貝茵凱獨(dú)自開(kāi)發(fā)出了“第7代高性能igbt”,并在12英寸晶片上亮相。以200a電流規(guī)格為例,12英寸晶片能生產(chǎn)約400個(gè)芯片,而8英寸晶片...
芯未半導(dǎo)體功率項(xiàng)目一期通線投產(chǎn)
芯未半導(dǎo)體的半導(dǎo)體項(xiàng)目于去年8月開(kāi)工。當(dāng)時(shí)芯片未完成項(xiàng)目共投資10億元人民幣,分兩個(gè)階段建設(shè),竣工投產(chǎn)后,將向包括igbt芯片、模塊和解決方案構(gòu)成產(chǎn)品等...
智能功率模塊(IPM)為工業(yè)設(shè)備提供卓越保護(hù)
高集成度IPM是逆變器的好伙伴,IPM一般采用高速、低功耗的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為功率開(kāi)關(guān)元件,并集成電流傳感器、保護(hù)電路和柵極驅(qū)動(dòng)電路。IP...
忱芯科技完成億元戰(zhàn)略融資助力碳化硅ATE產(chǎn)品全球化征程
近日,「忱芯科技(UniSiC)」宣布完成億元戰(zhàn)略融資,本輪融資由火山石投資、華潤(rùn)旗下潤(rùn)科基金、老股東武岳峰科創(chuàng)聯(lián)合投資,融資資金將主要用于忱芯科技前瞻...
2023-10-10 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 997 0
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