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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

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如今,世界各地的人們越來越多地盡可能選擇可再生能源。各類消費(fèi)者和大大小小的企業(yè)都將太陽能視為一種可行、清潔、便利的能源形式。

2024-01-10 標(biāo)簽:二極管IGBTSiC 1006 0

英飛凌 | SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢在哪里

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低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用 在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)頻率(5...

2024-01-09 標(biāo)簽:IGBT碳化硅 536 0

IGBT單管和模塊的對比和分析

最近很多朋友和我聊到IGBT單管和模塊的區(qū)別,優(yōu)缺點(diǎn)對比等。本人從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)十幾年有余,對單管和模塊都有一定的應(yīng)用,開發(fā)過的產(chǎn)品包括工頻塔式機(jī)U...

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2024-01-08 標(biāo)簽:IGBT新能源車功率半導(dǎo)體 1507 0

芯聯(lián)集成榮獲比亞迪“特別貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”

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23個(gè)變頻器常見問題解析(1/2)

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1、變頻器電路板用熱風(fēng)機(jī)吹一下就能正常使用,請問是什么原因? 答:出現(xiàn)這種情況可能有以下幾個(gè)原因: (1)線路板出現(xiàn)虛焊或是脫焊,用一段時(shí)間會(huì)有錫斑,這...

2024-01-06 標(biāo)簽:變頻器IGBT互感器 858 0

IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說明

IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說明 IGBT是一種高壓開關(guān)器件,它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢。在本文中,我們將詳細(xì)地探討IGBT的優(yōu)...

2024-01-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBTBJT 1822 0

IGBT的低電磁干擾特性

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2024-01-04 標(biāo)簽:IGBT晶體管電磁干擾 1368 0

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2024-01-04 標(biāo)簽:封裝IGBT 2478 0

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2024-01-02 標(biāo)簽:LED芯片IGBT導(dǎo)熱凝膠 3018 0

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近日新疆首個(gè)用于超特高壓換流站大功率半導(dǎo)體器件性能分析的高壓電力電子實(shí)驗(yàn)室正式投入使用,順利完成3支來自±1100千伏昌吉換流站的6英寸(0.1524米...

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IGBT廠商翠展微電子2023年度總結(jié)重磅公布

翠展微電子 2023年度總結(jié) 作為IGBT行業(yè)中的后起之秀,翠展微電子2020年落戶嘉善,21年封測線投產(chǎn),22年搬入二期項(xiàng)目,23年三期項(xiàng)目占地59畝...

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2023-12-27 標(biāo)簽:MOSFET晶圓IGBT 1838 0

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值得關(guān)注的是,根據(jù) Statista 數(shù)據(jù)庫的統(tǒng)計(jì),2020年全球工程機(jī)械市場規(guī)模約為 1363 億美元,預(yù)計(jì)2030年市場規(guī)模將達(dá)到 2346 億美元...

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近年來,全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)波動(dòng)變化。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2021年全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場規(guī)模為303.37億美元,同比增長27.4%,20...

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2023-12-24 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)IGBTSiC 1818 0

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根 據(jù) Yole 數(shù)據(jù),2021 年 SiC 市場份額前五廠家均為歐美日企業(yè),合計(jì)占 據(jù) 93%的市場份額,其中意法半導(dǎo)體依靠與特斯拉的合作占據(jù)全球 4...

2023-12-22 標(biāo)簽:新能源汽車IGBTSiC 1167 0

英飛凌半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品推薦

英飛凌(Infineon)作為世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先行者和引領(lǐng)者,一直致力于打造先進(jìn)的產(chǎn)品和全面的系統(tǒng)解決方案,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、...

2023-12-20 標(biāo)簽:英飛凌MOS管IGBT 1203 0

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  • TMS320F28335
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    ESP8266
    +關(guān)注
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