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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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Wolfspeed SiC助力實(shí)現(xiàn)太陽能基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型
如今,世界各地的人們越來越多地盡可能選擇可再生能源。各類消費(fèi)者和大大小小的企業(yè)都將太陽能視為一種可行、清潔、便利的能源形式。
英飛凌 | SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢在哪里
低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用 在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)頻率(5...
最近很多朋友和我聊到IGBT單管和模塊的區(qū)別,優(yōu)缺點(diǎn)對比等。本人從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)十幾年有余,對單管和模塊都有一定的應(yīng)用,開發(fā)過的產(chǎn)品包括工頻塔式機(jī)U...
2025年預(yù)測電動(dòng)車國內(nèi)市場達(dá)到100-150億以上;2019-2020年新能源汽車銷量沒怎么漲,但是2020年10月開始又開始增長,一輛車功率半導(dǎo)體價(jià)...
2024-01-08 標(biāo)簽:IGBT新能源車功率半導(dǎo)體 1507 0
芯聯(lián)集成榮獲比亞迪“特別貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”
自2021年起,芯聯(lián)集成與比亞迪在多個(gè)領(lǐng)域展開深度合作,涵蓋晶圓電力MOSFET、IGBT、Si基MOSFET等功率器件及車載主驅(qū)功率模塊、模擬IC等多個(gè)板塊。
1、變頻器電路板用熱風(fēng)機(jī)吹一下就能正常使用,請問是什么原因? 答:出現(xiàn)這種情況可能有以下幾個(gè)原因: (1)線路板出現(xiàn)虛焊或是脫焊,用一段時(shí)間會(huì)有錫斑,這...
IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說明
IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說明 IGBT是一種高壓開關(guān)器件,它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢。在本文中,我們將詳細(xì)地探討IGBT的優(yōu)...
IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領(lǐng)域中常用的晶體管器件。它由一個(gè)IGBT芯片和一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路組成,用于控制高電壓和高電流的開關(guān)操作。相比...
超結(jié)MOS/IGBT在儲(chǔ)能變流器(PCS)上的應(yīng)用
功率器件在儲(chǔ)能變流器(PCS)上的應(yīng)用,雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路,推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)...
新疆首個(gè)用于超特高壓換流站的高壓電力電子實(shí)驗(yàn)室正式投入使用
近日新疆首個(gè)用于超特高壓換流站大功率半導(dǎo)體器件性能分析的高壓電力電子實(shí)驗(yàn)室正式投入使用,順利完成3支來自±1100千伏昌吉換流站的6英寸(0.1524米...
翠展微電子 2023年度總結(jié) 作為IGBT行業(yè)中的后起之秀,翠展微電子2020年落戶嘉善,21年封測線投產(chǎn),22年搬入二期項(xiàng)目,23年三期項(xiàng)目占地59畝...
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物...
2023-12-27 標(biāo)簽:IGBT場效應(yīng)晶體管功率器件 617 0
SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢,SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)
濰柴動(dòng)力發(fā)布SiC項(xiàng)目招標(biāo),SiC進(jìn)軍已指日可待
值得關(guān)注的是,根據(jù) Statista 數(shù)據(jù)庫的統(tǒng)計(jì),2020年全球工程機(jī)械市場規(guī)模約為 1363 億美元,預(yù)計(jì)2030年市場規(guī)模將達(dá)到 2346 億美元...
近年來,全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)波動(dòng)變化。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2021年全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場規(guī)模為303.37億美元,同比增長27.4%,20...
SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用
電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的性能指標(biāo)不僅與控制系統(tǒng)的性能指標(biāo)及控制算法密不可分,也與電力電子功率器件的性能指標(biāo)密切相關(guān)。
2023-12-24 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)IGBTSiC 1818 0
根 據(jù) Yole 數(shù)據(jù),2021 年 SiC 市場份額前五廠家均為歐美日企業(yè),合計(jì)占 據(jù) 93%的市場份額,其中意法半導(dǎo)體依靠與特斯拉的合作占據(jù)全球 4...
英飛凌半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品推薦
英飛凌(Infineon)作為世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先行者和引領(lǐng)者,一直致力于打造先進(jìn)的產(chǎn)品和全面的系統(tǒng)解決方案,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、...
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