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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司(簡(jiǎn)稱“芯長(zhǎng)征”),一家在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有盛譽(yù)的高新技術(shù)企業(yè),近日向證監(jiān)會(huì)提交了首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案...
2024-02-26 標(biāo)簽:芯片IGBT功率半導(dǎo)體 2168 0
IGBT7系列分立器件核心知識(shí)點(diǎn)最全整理!
英飛凌IGBT7單管系列,作為目前炙手可熱的光儲(chǔ)應(yīng)用新星產(chǎn)品,正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產(chǎn)品的核心知識(shí)大全,希望大家買得放心...
功率半導(dǎo)體器件廠商芯長(zhǎng)征啟動(dòng)上市輔導(dǎo)
江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“芯長(zhǎng)征”)近日引起了市場(chǎng)的廣泛關(guān)注。證監(jiān)會(huì)已公開披露了關(guān)于該公司首次公開發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案報(bào)告,這一消...
2024-02-22 標(biāo)簽:封裝IGBT功率半導(dǎo)體 1288 0
功率半導(dǎo)體龍頭芯長(zhǎng)征擬A股IPO,已進(jìn)行上市輔導(dǎo)備案
近日,證監(jiān)會(huì)披露了關(guān)于江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司(簡(jiǎn)稱:芯長(zhǎng)征)首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。
2024-02-22 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2492 0
廣州新增青藍(lán)半導(dǎo)體SiC模塊產(chǎn)線 全年產(chǎn)量或達(dá)80萬(wàn)只
新的一年,許多碳化硅企業(yè)紛紛開工,龍騰虎躍開新篇!廣州番禺區(qū)一家SiC模塊企業(yè)也開足馬力忙生產(chǎn),全年產(chǎn)量或達(dá)80萬(wàn)只。
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時(shí)候是不是都要負(fù)電壓的?
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時(shí)候是不是都要負(fù)電壓的? GTO和IGBT是兩種常見的電力電子元件,它們?cè)陉P(guān)斷過程中確實(shí)需要負(fù)電壓。 首先,讓我們了...
什么是絕緣柵雙極型晶體管的開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間?
什么是絕緣柵雙極型晶體管的開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間? 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種主要應(yīng)用于功率電子裝置中的半導(dǎo)體器件,其具有低導(dǎo)通壓降和高關(guān)斷速度等...
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時(shí)間是什么關(guān)系?
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時(shí)間是什么關(guān)系? IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓、...
揚(yáng)杰科技又新增5億元車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目
近日,據(jù)邗江發(fā)布消息,在維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上,揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司副董事長(zhǎng)梁瑤信心滿滿地告訴記者,“去年揚(yáng)杰電子實(shí)現(xiàn)開...
2024-02-20 標(biāo)簽:IGBTSiC模塊揚(yáng)杰科技 1496 0
什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象?
什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象? IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中...
2024-02-19 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 6216 0
為什么IGBT的短路耐受時(shí)間只有10us?10us又是如何得來(lái)的?
為什么IGBT的短路耐受時(shí)間只有10us?10us又是如何得來(lái)的? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種常用的功率半導(dǎo)體器件,用于控制高功率的電流和電壓...
2024-02-18 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 2631 0
退飽和電路的實(shí)現(xiàn)機(jī)理是什么樣的?IGBT退飽和過程和保護(hù)
退飽和電路的實(shí)現(xiàn)機(jī)理是什么樣的?IGBT退飽和過程和保護(hù) 退飽和電路的實(shí)現(xiàn)機(jī)理是當(dāng)IGBT工作在飽和狀態(tài)時(shí),通過引入一定的電路設(shè)計(jì)和調(diào)整,使IGBT在過...
2024-02-18 標(biāo)簽:功率開關(guān)散熱器IGBT 4057 0
IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別
IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們?cè)谠S多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是...
2024-02-18 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3402 1
IGBT導(dǎo)通過程發(fā)生的過流、短路故障 IGBT導(dǎo)通過程中可能發(fā)生的過流、短路故障一直是電力電子領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)問題之一。IGBT 是一種新型的功率半導(dǎo)體器...
IGBT開通過程發(fā)生的過流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導(dǎo)體器件,常用于電力電子領(lǐng)域。它具有開關(guān)速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優(yōu)點(diǎn),因此在各種電...
2024-02-18 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 3459 0
IGBT過流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫,是一種半導(dǎo)體功率開關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,常常用于高壓、高電流的開關(guān)電源和...
2024-02-18 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT晶體管 2986 0
如何理解IGBT的四種SOA? IGBT的四種SOA表示了IGBT器件在不同工作狀態(tài)下的安全操作區(qū)域。這四種SOA是:Continuous SOA、Li...
IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型? IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中,IGBT可能會(huì)遭遇多種短路類型。下面,我將詳細(xì)介紹IGBT...
2024-02-18 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié)功率半導(dǎo)體 2471 0
短路是什么原因造成的 igbt上下橋短路原因? 短路是一種電路故障,其特點(diǎn)是電流繞過正常的電路路徑,通過一條或多條低阻抗的路徑流過。IGBT是一種常見的...
2024-02-18 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體電流電壓 4968 0
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