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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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igbt技術

IGBT發(fā)展簡史

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2021-06-02 標簽:IGBT 7027 0

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雙脈沖開關的特性是什么,IGBT開通和關斷過程描述

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由于現(xiàn)在經(jīng)濟的快速發(fā)展,能源的消耗也是急劇增加,我們如何去減少能源的損耗做到節(jié)能減排?這就要求我們的產品有一個更高的效率,更低的成本。

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2020-11-24 標簽:IGBT 2253 0

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