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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器硬件功能安全
純電動(dòng)或混動(dòng)動(dòng)力汽車(chē)上的電機(jī)控制器MCU(Motor Control Unit),其主要功能就是將電池的高壓直流電,轉(zhuǎn)換為交流電,來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)運(yùn)行。
驅(qū)動(dòng)電路對(duì)動(dòng)態(tài)均流的影響:驅(qū)動(dòng)電路對(duì)并聯(lián)均流的影響也是顯而易見(jiàn)的,如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動(dòng)電路不同步,則先驅(qū)動(dòng)的IGBT要承擔(dān)大得多的動(dòng)態(tài)電流。
2023-10-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT驅(qū)動(dòng)電路 3921 0
我認(rèn)為的電動(dòng)車(chē)三電系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)
選電動(dòng)車(chē),我主要看三電:電池,電機(jī),電控。因?yàn)檫@三樣是構(gòu)成車(chē)的主要成本,也是關(guān)鍵。
2023-01-16 標(biāo)簽:鋰電池電動(dòng)車(chē)IGBT 3921 0
晶閘管(Thyristor)與絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中的關(guān)...
銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用
作為高可靠性芯片連接技術(shù),銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視,一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類(lèi)似技術(shù),已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
通過(guò)熱敏電阻,如何計(jì)算IGBT結(jié)溫?
IGBT模塊中通常都會(huì)在陶瓷基板(DBC)上設(shè)有熱敏電阻(NTC或PTC,由于NTC較為常用,以下統(tǒng)稱(chēng)NTC)用于溫度檢測(cè)。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師最直接也...
AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術(shù)是DBC(直接覆銅)工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、...
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)1
開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
國(guó)內(nèi)igbt技術(shù)相比國(guó)外如何?igbt安全注意事項(xiàng)以及柵極干擾降低的實(shí)現(xiàn)
技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì):無(wú)焊接、 無(wú)引線鍵合及無(wú)襯板/基板封裝...
什么是IGBT?IGBT模塊封裝的痛點(diǎn)與難點(diǎn)
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件,已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞,制造商在IGBT模塊焊接裝配過(guò)程...
智能功率模塊(IPM)是一種功率半導(dǎo)體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能,以及IGBT。這樣,可以通過(guò)...
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及現(xiàn)狀分析
近年來(lái),新型功率開(kāi)關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識(shí),IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率...
2023-09-11 標(biāo)簽:三極管新能源汽車(chē)IGBT 3862 0
大功率電力電子裝置常用的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件有哪些?
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
電源管理芯片怎么測(cè)好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
電源管理芯片(PMIC)是在單片芯片內(nèi)包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路,主要功用為在存在多個(gè)電源的情況下,選取、分配電力給主系統(tǒng)各部分使用。
IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護(hù)設(shè)計(jì)方法詳解
GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn),具有好的特性。80年代中期問(wèn)世以來(lái),逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場(chǎng),中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。
2017-06-05 標(biāo)簽:igbt 3843 0
功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)
MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開(kāi)關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū),那為什么還要在周?chē)O(shè)計(jì)一圈終端區(qū)浪費(fèi)芯片的一部分面積呢
IGBT組成的H橋功率單元和級(jí)聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有什么不同?
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子設(shè)備中常用的高效能開(kāi)關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導(dǎo)通壓降特點(diǎn)。
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車(chē)這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
絕緣柵雙極晶體管——IGBT,認(rèn)識(shí)其原理及其應(yīng)用
絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱(chēng)為IGBT ,是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體,使其成為理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。
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