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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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電動商用車對IGBT模塊有什么要求?IGBT在電動商用車的應用特點概述
英飛凌公司高級經理陳子穎在高工電動車·電動物流車產業峰會上,發表了《電動商用車IGBT模塊的關鍵技術及應用要求》的精彩演講,詳細闡述了IGBT的標準體系...
本文首先介紹了 IGBT 技術的研究現狀,并對 IGBT 不同結構的特點和電學特性做了簡要闡述;最 后列舉了一些最新的研究成果,并探討了 IGBT 的 ...
工控的IGBT市場規模在近年來逐步增大,尤其是隨著我國變頻器、電焊機市場穩步增長,工業機器人市場加速發展,對應的工控 IGBT 市場也將穩步增長。
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度...
基于IGBT電路的逆變器設計與分析,IGBT數字化模塊設計與考量
選擇導通阻抗非常低的mosFET作為開關器件,構成IGBT柵極功率輸出電路,如圖4,同時,采用多個柵極電阻切換的方式,實現不同條件下對IGBT性能的調...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
IGBT的開關速度指的是從導通到截止(或反之)所需的時間。快速的開關速度有助于減少功率損耗和提高效率,但過快的開關速度可能會增加電壓和電流的瞬態壓降,導...
根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象,可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向...
大家好,這期我們再聊一下IGBT的開關損耗,我們都知道IGBT開關損耗產生的原因是開關暫態過程中的電壓、電流存在交疊部分,由于兩者都為正,這樣就會釋放功...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的低導通壓降特性。在電力電子領域,IGBT廣泛應用于變頻器...
英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現代IGBT應用而設計的新型二極管系列:英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進的關斷能...
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