為什么說第三代半導(dǎo)體是中國大陸半導(dǎo)體的希望?

從上面的數(shù)據(jù)可以看出，在第一代半導(dǎo)體面前，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因?yàn)樯庥卸嗝吹拇螅且驗(yàn)閲篮涂萍夹畔⒓夹g(shù)的發(fā)展需要用到...

2020-09-29 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體電力電子 5659 0

復(fù)合年增長70%！GaN被快充帶火，用于數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車，未來市場無限可期

近幾年，第三代半導(dǎo)體GaN快速發(fā)展，根據(jù)襯底材料的不同，GaN主要分為幾類：Si基GaN，目前主要應(yīng)用在功率期間中，也逐漸被部分射頻器件采用；藍(lán)寶石襯底...

2021-06-16 標(biāo)簽：GaN快充 5636 0

半導(dǎo)體材料的代表_GaN和SiC這幾大變化不得不看

雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴(kuò)張的步伐，但世易時(shí)移，新興市場為其應(yīng)用加速增添了新動(dòng)能。

2018-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiCGaN 5591 0

GaN助力運(yùn)營商和基站OEM實(shí)現(xiàn)5G sub-6GHz和mmWave大規(guī)模MIMO

到2021年，估計(jì)全球會(huì)有更多的人擁有移動(dòng)電話(55億)，將超過用上自來水的人數(shù)(53億)。與此同時(shí)，帶寬緊張的視頻應(yīng)用將進(jìn)一步增加對(duì)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的需求，其...

2018-10-29 標(biāo)簽：GaN5G 5563 0

GaN 成實(shí)現(xiàn) 5G的關(guān)鍵技術(shù),Qorvo引領(lǐng)5G時(shí)代的三大優(yōu)勢

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為GaN將取代傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料用于5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，這項(xiàng)高效、寬帶隙、高功率密度、可靠的功率PA技術(shù)使網(wǎng)絡(luò)效率逐年大幅提高。如今

2019-04-03 標(biāo)簽：GaN5GQorvo 5533 0

納微在中國開設(shè)GaNFast?研發(fā)中心以支持創(chuàng)新

納微（Navitas）今天宣布在杭州開設(shè)新的GaNFast研發(fā)中心，以幫助合作伙伴和客戶設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)先的電源轉(zhuǎn)換器；相比傳統(tǒng)的硅MOS管方案，這些新設(shè)計(jì)能...

2018-06-21 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器gan納微 5531 0

IDM將成為全球首座8英寸GaN代工廠

從硅晶圓到8英寸晶圓代工報(bào)價(jià)調(diào)漲，世界先進(jìn)8英寸產(chǎn)能供需吃緊一路暢旺到年底，并積極擴(kuò)增氮化鎵（GaN）產(chǎn)能，已有國際IDM大廠看好電動(dòng)車產(chǎn)業(yè)后市，預(yù)先包...

2018-06-29 標(biāo)簽：ic晶圓gan 5481 0

GaN使電子設(shè)備電子適配器變得更加強(qiáng)大，輕型和小型化

Dialog半導(dǎo)體公司將啟動(dòng)GaN進(jìn)入消費(fèi)者電源適配器市場。GaN使電子設(shè)備電子適配器變得更加強(qiáng)大，輕型和小型化。

2018-06-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN 5470 0

意法半導(dǎo)體展示其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展

今年9月，意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展，并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線，包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。

2018-12-18 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體GaN 5409 0

GaN和SiC能促電動(dòng)汽車電池降本？ 一大波半導(dǎo)體器件商表關(guān)注

迄今為止，電動(dòng)汽車電池的價(jià)格昂貴，體積大且效率低。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是汽車電子領(lǐng)域的兩項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)，它們也許可以改變這一切。 較新的化...

2020-01-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiCGaN 5365 0

蘇州鎵敏光電GaN紫外傳感器介紹

氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對(duì)應(yīng)截至波長365nm，對(duì)可見光無響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見光有強(qiáng)烈響應(yīng)，且紫外靈...

2021-03-10 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵GaN 5325 0

CREE(科銳)公司的歷史和產(chǎn)品變遷

說到GaN(氮化鎵)產(chǎn)品，不得不說到一家美國公司:CREE科銳，可以說，講GaN材料應(yīng)用到極致，并產(chǎn)生商業(yè)價(jià)值最大化，全球沒有第二家公司超越。 經(jīng)常聽到...

2023-07-10 標(biāo)簽：ledCreeGaN 5310 0

GaN技術(shù)讓未來生活更環(huán)保

預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上的節(jié)能。這些電力足以為30多萬個(gè)家庭提供...

2018-07-12 標(biāo)簽：gan 5301 0

一套基于GAN的驗(yàn)證碼AI識(shí)別系統(tǒng)，能在0.5秒之內(nèi)識(shí)別出驗(yàn)證碼

近日，英國蘭卡斯特大學(xué)、中國西北大學(xué)、北京大學(xué)的計(jì)算機(jī)科學(xué)家們共同開發(fā)了一種AI系統(tǒng)，能夠在短短0.5秒內(nèi)識(shí)別出多種驗(yàn)證碼。該系統(tǒng)已在不同的33個(gè)驗(yàn)證碼...

2018-12-16 標(biāo)簽：GAN識(shí)別系統(tǒng)圖像分類 5273 0

GaN射頻應(yīng)用優(yōu)勢明顯，功率玩家厚積薄發(fā)

GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計(jì)、晶圓制造、封裝測試三個(gè)部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類，與SiC類似，全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上，不過相比于Si...

2022-07-18 標(biāo)簽：射頻功率器件GaN 5271 0

GaN芯片的制備工藝

GaN作為第三代半導(dǎo)體的典范正在被廣泛使用，就連電梯間也能看到快充品牌直接拿GaN做廣告語了。

2022-08-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體GaN 5263 0

開關(guān)損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開始進(jìn)軍光儲(chǔ)、家電市場

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料被推出以后，因其優(yōu)秀的特性，迅速在多種電力電子設(shè)備中應(yīng)用。目前來看，GaN已經(jīng)在...

2024-07-04 標(biāo)簽：SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 5257 0