全球首家成功提供8英寸GaN晶圓代工線

5G高頻率特性讓氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體制程成為功率放大器（PA）市場(chǎng)主流技術(shù)，同時(shí)，GaN功率元件也開始被大量應(yīng)用在車聯(lián)網(wǎng)及電動(dòng)車領(lǐng)域

2018-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電GaN 1.1萬 0

5G高頻特性將使GaN技術(shù)使用領(lǐng)域延伸

相較目前主流的硅晶圓（Si），第三代半導(dǎo)體材料SiC與GaN（氮化鎵）具備耐高電壓特色，并有耐高溫與適合在高頻環(huán)境下優(yōu)勢(shì)，其可使芯片面積大幅減少，并簡(jiǎn)化...

2018-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN5G 2531 0

慕展上，世強(qiáng)帶來的SiC、GaN、三電平讓你的效率直達(dá)最high點(diǎn)

2018年，世強(qiáng)元件電商在慕尼黑上海電子展上帶來了汽車、工業(yè)控制及自動(dòng)化、物聯(lián)網(wǎng)、測(cè)試測(cè)量等九大分區(qū)的最新元件產(chǎn)品及解決方案。

2018-03-29 標(biāo)簽：sicgan電源管理芯片 1.6萬 0

AI版“雙手互搏”有多牛？

日前，《麻省理工科技評(píng)論》刊文評(píng)出了2018年十大突破性技術(shù)，“對(duì)抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”( GAN )赫然在列。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 ...

2018-03-25 標(biāo)簽：AIGAN 3308 0

基于TI產(chǎn)品的有刷式直流電機(jī)參考設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評(píng)估模塊和SPICE模型快速輕松地評(píng)估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納...

2018-03-16 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器直流電機(jī)GaN 6788 0

在手機(jī)中使用GaN技術(shù)只是時(shí)間問題？

2018 國(guó)際消費(fèi)電子展并未讓人失望，會(huì)上展示了一些基于網(wǎng)絡(luò)的家居、汽車和浴室用小配件。但是，其中的許多技術(shù)需要更多數(shù)據(jù)，從而給無線網(wǎng)絡(luò)帶來了巨大壓力。...

2018-03-30 標(biāo)簽：電子GaN 3370 0

英飛凌射頻（RF）功率業(yè)務(wù),以約3億4500萬歐元被收購(gòu)

英飛凌首席執(zhí)行官Reinhard Ploss說：“Cree是我們射頻業(yè)務(wù)的新東家，在業(yè)內(nèi)有良好的聲譽(yù)。我們對(duì)合并的業(yè)務(wù)初衷和前景感到興奮。與此同時(shí)，我們...

2018-03-07 標(biāo)簽：英飛凌射頻GaN 8506 0

世界上最薄的旅行適配器搭載新型高速氮化鎵(GaN)功率IC

納微(Navitas)宣布GaNFast功率IC應(yīng)用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W電源適配器Mu One。這個(gè)用于全球范圍的超薄適配器可輕松滑...

2018-03-05 標(biāo)簽：適配器GaN 6741 0

生成式對(duì)抗系統(tǒng)最為驚艷世界的10大應(yīng)用

2018-01-11 標(biāo)簽：AIgan 6031 0

GaN是轉(zhuǎn)換射頻能量其在烹飪中的應(yīng)用1

在上世紀(jì)70 年代早期，磁控管首先在微波爐中進(jìn)入了廣泛的商業(yè)應(yīng)用，但整個(gè)射頻能量市場(chǎng)的發(fā)展相對(duì)還比較緩慢。如今，已經(jīng)有了各種各樣的應(yīng)用，包括在工業(yè)和消費(fèi)...

2019-03-07 標(biāo)簽：射頻GaN 711 0

納微半導(dǎo)體 (Navitas) 在重要亞洲電子會(huì)議上 展示氮化鎵(GaN) 功率IC

納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布，將在11月3號(hào)到6號(hào)在上海舉辦的中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。

2017-10-30 標(biāo)簽：GaN納微半導(dǎo)體 1.4萬 0

SiC如此多嬌，引無數(shù)廠商競(jìng)出招

隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料（即第三代半導(dǎo)體材料）設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導(dǎo)體器...

2017-10-17 標(biāo)簽：SiCGaN 1880 0

天氣高溫，如何高效給RF設(shè)備降溫，看這里有招幫你

對(duì)于 RF 設(shè)備而言，熱量同樣也是一大挑戰(zhàn)。高溫下的 RF 信號(hào)叫什么？

2017-09-27 標(biāo)簽：RFganbaw 6523 0

納微半導(dǎo)體 GaN功率IC實(shí)現(xiàn) 世界上最小的65W USB-PD 手提電腦電源適配器

納微 （Navitas） 半導(dǎo)體宣布推出世界上最小的65W USB-PD （Type-C） 電源適配器參考設(shè)計(jì)，以跟上過去十年來筆記型電腦在更小尺寸和更...

2017-09-15 標(biāo)簽：電源適配器氮化鎵GaN 8942 0

Qorvo在5G演進(jìn)道路上的“殺手锏”，你了解嗎？

Qorvo高級(jí)應(yīng)用工程師朱俊峰指出，未來從 4G 逐步演進(jìn)至 5G 的過程中，核心技術(shù)主要圍繞著載波聚合（CA）、多天線輸入輸出技術(shù)（MIMO）和有源天...

2017-07-27 標(biāo)簽：GaN毫米波5G 1948 0

GaN將成PA主流技術(shù)，這家美國(guó)公司恐成最大贏家

GaN將于未來5~10年成為3W以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù)，未來5G時(shí)代，手機(jī)功率放大器采用的半導(dǎo)體制程，預(yù)估將會(huì)是砷化鎵/氮化鎵占一半、CMOS占一半...

2017-07-27 標(biāo)簽：功率放大器GaN射頻技術(shù) 8852 0

TI助力工程師進(jìn)行工業(yè)系統(tǒng)創(chuàng)新

2017年5月8日，北京訊—近日，德州儀器（TI）發(fā)布了幾項(xiàng)創(chuàng)新的系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)，包括公司最先進(jìn)的模擬和嵌入式處理技術(shù)。TI Designs參考設(shè)計(jì)支持從...

2017-05-09 標(biāo)簽：tigan參考設(shè)計(jì) 1444 0

高壓氮化鎵的未來，您能想象得到嗎？

你可以想象有這樣一個(gè)世界，在這個(gè)世界中，你不需要建造這么多發(fā)電廠，來滿足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個(gè)世界中，工業(yè)、企業(yè)計(jì)算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運(yùn)行速度...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵GaNlmg3410 1119 0