英偉達(dá)宣布了其用于培訓(xùn)人工智能系統(tǒng)的新方法

過(guò)去，人工智能研究人員使用一種稱(chēng)為數(shù)據(jù)增強(qiáng)的方法來(lái)規(guī)避此問(wèn)題。在這種方法中，以圖像算法為例，如果材料不足，則復(fù)制現(xiàn)有材料。在復(fù)制期間，會(huì)對(duì)原始圖像進(jìn)行更...

2020-12-16 標(biāo)簽：人工智能GaN英偉達(dá) 1537 0

InGaAs被發(fā)現(xiàn)可用于制造更小更節(jié)能的非硅基晶體管

麻省理工新聞報(bào)道稱(chēng)：科學(xué)家們已經(jīng)找到了用于制造更小、更節(jié)能的非硅基晶體管的新方法，它就是此前被用于高速通信系統(tǒng)的砷化銦鎵（InGaAs）材料。此前該材料...

2020-12-10 標(biāo)簽：晶體管GaN硅基 1616 0

武大發(fā)現(xiàn)PSSA襯底可提高LED芯片的效率

據(jù)報(bào)道，武漢大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來(lái)降低氮化鎵接合邊界失配...

2020-12-09 標(biāo)簽：LED芯片GaN 1002 0

電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)越來(lái)越簡(jiǎn)化 高功率GaN還是藍(lán)海市場(chǎng)

目前，電動(dòng)汽車(chē)電池行業(yè)五分之二的頂級(jí)公司在中國(guó)，國(guó)內(nèi)各種電動(dòng)汽車(chē)保有量已超過(guò)400萬(wàn)臺(tái);更有預(yù)測(cè)說(shuō)：到2030年，中國(guó)將占全球電動(dòng)汽車(chē)（EV）電池價(jià)值鏈...

2020-11-20 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)GaN 1736 0

SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì)，2019 年以來(lái)發(fā)生了什么變化？

11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》，在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)、電源和光伏逆變器需求的拉動(dòng)下，碳化硅（...

2020-11-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 2620 0

RF-LAMBDA微波PIN、GaAs和Gan開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)介紹

隨著PIN開(kāi)關(guān)在電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛，引腳開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)越來(lái)越受到國(guó)內(nèi)外元器件制造商的重視。PIN開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器的響應(yīng)速度是其重要指標(biāo)之一。PIN是經(jīng)...

2020-11-12 標(biāo)簽：射頻GaN 1567 0

GaN這種新型的半導(dǎo)體材料徹底引爆了全球功率器件的革新

GaN為何這么火？究其原因還是在于功率密度的提升，在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能。提升功率密度的四個(gè)重要方面包括：降低損...

2020-11-02 標(biāo)簽：GaN工業(yè)4.0工業(yè)互聯(lián)網(wǎng) 3621 0

GaN已非小功率快充那么low，大功率路線(xiàn)開(kāi)啟在即！

近日，有權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，以期在 2021-2025 年期間實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。第三代半...

2020-10-30 標(biāo)簽：GaN 326 0

為什么選擇GaN晶體管？MASTERGAN1來(lái)告訴你答案

ST 發(fā)布了市場(chǎng)首個(gè)也是唯一的單封裝集成 600 V 柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)加強(qiáng)版氮化鎵（GaN）晶體管的 MASTERGAN1。同類(lèi)競(jìng)品只提供一顆 GaN ...

2020-10-30 標(biāo)簽：晶體管GaN 650 0

致工程師系列之四：寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計(jì)優(yōu)化驗(yàn)證

第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn)，推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開(kāi)關(guān)器件既能實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉(zhuǎn)換，...

2020-10-30 標(biāo)簽：SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 814 0

GaN為什么這么火？

“GaN 為何這么火？”如果再有人這么問(wèn)你。 最簡(jiǎn)單的回答：“因?yàn)槲覀冸x不開(kāi)電源，并且我們不斷追求更好的電源系統(tǒng)！” 今天，基于 GaN 器件的快充已在...

2020-10-29 標(biāo)簽：GaN 503 0

GaN射頻技術(shù)將如何發(fā)展

以5G為代表的Sub 6G通信射頻系統(tǒng)非常復(fù)雜，尤其是那些需要使用高載波頻率和寬頻帶的新技術(shù)，包括載波聚合、Massive MIMO等。為此，很多半導(dǎo)體...

2020-10-26 標(biāo)簽：射頻SiCGaN 3853 0

氮化鎵與硅相比有何優(yōu)勢(shì)?

晶體管的高速度、低電阻率和低飽和開(kāi)關(guān)的優(yōu)點(diǎn)意味著它們有望在電力電子學(xué)中找到許多應(yīng)用案例。因此，工業(yè)界正在研究新的電力電子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、電路拓?fù)浜头庋b解決方案...

2020-10-22 標(biāo)簽：電源晶體管氮化鎵 1.5萬(wàn) 0

5G時(shí)代，氮化鎵充電器成為手機(jī)平板筆記本的標(biāo)配及最好選擇

如果說(shuō)2019年是5G元年，那么2020就是5G的正式商用之年。5G手機(jī)越來(lái)越多，5G已經(jīng)逐漸進(jìn)入了我們的日常生活，5G時(shí)代已經(jīng)到來(lái)了。

2020-10-12 標(biāo)簽：充電器連接器GaN 1241 0

萬(wàn)丈高樓平地起—GAN入門(mén)介紹

來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 目前， 人工智能 （ AI ）領(lǐng)域正在快速發(fā)展，每隔一段時(shí)間就取得新的突破。最近突出的一個(gè)詞是Generative Advers...

2022-11-15 標(biāo)簽：GaN 658 0

一文淺析你熟知的兩大半導(dǎo)體材料

來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 半導(dǎo)體原料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導(dǎo)體原料；第二階段是以砷化鎵?(GaAs)...

2022-11-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaNGaAs 2295 0