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      標簽　>　gan

      gan

      廠商產品 +關注19人關注

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      gan資訊

      ACT41000-104-REF1實現多種GaN PA偏置并自動校準系統

      中國北京 – 2022 年 6 月 14 日 – 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo, Inc.(納斯達克...

      2022-06-14 標簽：功率放大器GaNQorvo 1637 0

      氮化鎵充電器電源方案的特點是怎樣的

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      隨著氮化鎵GaN市場的火爆，有很多做充電器的工廠在尋找氮化鎵充電器方案；市面上雖然已有多款氮化鎵充電器在銷售，但是提供GaN方案設計的廠商確不多，并且存...

      2022-06-02 標簽：充電器GaN 3523 0

      混合酸溶液和熔融KOH中蝕刻的GaN薄膜

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      本文介紹了我們華林科納采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作為濕法腐蝕介質，鹽酸作為陽極腐蝕介質，用掃描電鏡和透射電...

      2022-05-27 標簽：薄膜蝕刻GaN 923 0

      新開發了一種GaN襯底減薄技術——激光減薄技術

      而此次他們通過實驗證明，該技術同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進行減薄，該技術可顯著降低 GaN 襯底的消耗。

      2022-05-12 標簽：晶體功率器件GaN 5226 0

      ST和Exagan加速GaN的大規模采用

      　　通過與 Exagan 的集成，ST 將擁有市場上最強大的 GaN IP 產品組合，因為我們將能夠同時提供 E 模式和 D 模式 GaN 產品，從而為...

      2022-05-11 標簽：電感器晶體管GaN 1381 0

      納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級到700V，實現更高效率和可靠性

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      圖片 ? 采用 GaNSense? 技術的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實現更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...

      2022-05-05 標簽：氮化鎵GaN功率芯片 2769 0

      基于GaN光學芯片的高度集成、微型化、低成本光學顯微傳感系統

      目前主流商業化的無標記活細胞監測技術以電阻抗測量為基礎的微電子傳感技術為代表，該技術利用活細胞與檢測板孔中微電極相互作用，產生電阻抗的改變來定量活細胞狀...

      2022-04-29 標簽：GaN傳感系統光學芯片 2106 0

      一文詳解GaN氮化鎵電源技術

      一文詳解GaN氮化鎵電源技術

      第一代半導體材料：主要指Si、Ge元素為主的半導體，它們是半導體分立器件、集成電路和太陽能電池的基礎材料。

      2022-04-28 標簽：MOSFET電源技術氮化鎵 5680 0

      基于LMG5200 GaN器件的負載點轉換電源參考設計

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      該參考設計采用具有電流倍增整流器(current-doubler rectifier)的單級硬開關半橋，這種拓撲結構有效地支持高降壓比，同時提供可觀的輸...

      2022-04-26 標簽：電源GaN參考設計 2888 0

      如何使用合成數據測試機器學習

      當數據點之間存在依賴關系時，例如時間序列數據和文本分析，數據科學家會使用RNN（循環神經網絡） 。LSTM（長期短期記憶）通過一系列重復模塊創建一種形式...

      2022-04-25 標簽：GaN機器學習 2666 0

      通過GaN電源管理技術推動電動汽車的發展

      　　由于GaN和其他寬帶隙晶體管在結構和材料上與硅設備有所差異，它們需要專門定制的測試指南以確保設備的可靠性。測試指南對于增強人們對GaN可靠性的信心以...

      2022-04-20 標簽：電動汽車電源管理GaN 1164 0

      第三代半導體概念及發展歷程

      前言：【核芯觀察】是電子發燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產業鏈，理清上、中、下游的各個環節，同時迅速了解各大細分環...

      2022-04-18 標簽：半導體SiCGaN 2.3萬 0

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      一文知道GaN和SiC區別

      半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化...

      2022-04-16 標簽：半導體SiCGaN 7495 0

      快充市場持續爆發 廠商競爭激烈

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      在GaN功率晶體管價格不斷下降（目前已逼近約1美元），以及技術方案愈趨成熟的態勢下，預估至2025年GaN在整體快充領域的市場滲透率將達52%。

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      UMS毫米波內部匹配GAN功率晶體管

      GaN材料是第三代半導體的典型代表，具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此，GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大...

      2022-04-14 標簽：晶體管GaNUMS 651 0

      擴散模型在視頻領域表現如何？

      在視頻生成領域，研究的一個重要里程碑是生成時間相干的高保真視頻。來自谷歌的研究者通過提出一個視頻生成擴散模型來實現這一里程碑，顯示出非常有希望的初步結果...

      2022-04-13 標簽：視頻GaN模型 1943 0

      什么是GaN，為什么它如此重要？

      氮化鎵(GaN)由原子序數31的鎵和原子序數7的氮結合而成，是一種具有堅硬的六角形晶體結構的寬帶隙半導體材料。帶隙是將電子從圍繞原子核的軌道上釋放出來所需的能量

      2022-04-11 標簽：半導體數據中心GaN 7346 0

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      2022 年 4 月 7 日，中國——意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (...

      2022-04-07 標簽：電源設計變換器意法半導體 7874 0

      EditGAN圖像編輯框架將影響未來幾代GAN的發展

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      　　此外， EditGAN 框架可能會影響未來幾代 GAN 的發展。雖然當前版本的 EditGAN 側重于圖像編輯，但類似的方法也可能用于編輯 3D 形...

      2022-04-06 標簽：NVIDIA人工智能GaN 1834 0

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