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作為高速數據傳輸與光電信號處理的核心器件，垂直腔面發射激光器（VCSEL）在高速光通信、激光雷達等領域應用廣泛，其動態特性直接關聯器件調制速率及穩定性等...
意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器，為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。
GaN技術正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關、低能耗和優異熱性能等優勢，完美契合當今AI基礎設施、電動汽車平臺、可再生能源和工業控制等...
在GaN功率器件場景化爆發的關鍵窗口期，京東方華燦以消費類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點，正式開啟“消費級普及、工業級深化、車規級突破”的三級...
隨著電子技術的快速發展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運...
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統...
45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269
45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269氮化鎵電源電路由于減少了元件數量和功率轉換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯寶科技作為E...
基于 ICeGaN? 和IVCC1104的2.5kW圖騰柱無橋PFC設計案例研究
ICeGaN? 助力瞻芯電子輕松升級 IVCC1104 參考設計平臺，在大功率應用場景下展現易用性和卓越可靠性 英國劍橋——Cambridge GaN ...
深度分析650V國產碳化硅MOSFET的產品力及替代高壓GaN器件的潛力
深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(...
電子發燒友網綜合報道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD（肖特基二極管）的工業用GaN晶體管產品系列CoolGaN G5，該產品系列通過減少不必要的死區損...
近日，全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，將于2025年5月6日至8日參加在德國紐倫堡舉辦的PCIM（PCIM Expo &...
功率電子技術的快速發展，得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、...
此前，4月16日下午，春意融融，陽光灑滿大地，2025（春季）芯導科技產品推介會暨合作伙伴大會在芯導科技上海總部圓滿舉行。此次大會匯聚了近百位行業專家與...
電子發燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開關）。這是一種較為新型的...
2025-04-20 標簽：GaN 361 0
TI 分享精準的電機控制、邊緣計算、智能傳感及實時通信技術，以及如何助力重塑智能、高效、安全的自動化工廠。
氮化鎵的應用已經從消費電子的快充向工業級功率領域滲透，這給了國內廠商非常大的市場機會。在2025CITE電子展上，鎵創晶合董事長助理趙陽接受媒體采訪，分...
2025-04-16 標簽：GaN 645 1
GaN充電器高頻化之路：分立器件如何破解電磁干擾與協同難題？
本文針對 GaN 器件高頻化挑戰，合科泰分析寄生電感振蕩與驅動信號失真問題，提出通過器件選型、PCB 布局及電路優化等方案，提升高頻應用性能與可靠性。
01AI服務器電源的核心挑戰與技術需求超高功率密度：單機架功率已從傳統服務器的數千瓦提升至數十千瓦（如英偉達DGX-2需10kW，未來GB300芯片預計...
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