完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > gan
文章:1898個 瀏覽:76113次 帖子:159個
基于GAN先驗的退化感知特征插值人臉修復(fù)網(wǎng)絡(luò)
人臉修復(fù)是一種典型的ill-posed問題、可逆圖像修復(fù)問題,其解不唯一且必存在。高度退化和多退化的場景下,高質(zhì)量的人臉修復(fù)明顯更具有挑戰(zhàn)性。
ICLR 2023 Spotlight:2D圖像轉(zhuǎn)換3D
本文提出的人體 NeRF 基于參數(shù)化人體模型 SMPL,它提供了方便的人體姿勢以及形狀的控制。進(jìn)行 NeRF 建模時,如下圖所示,本文將人體分為 16 ...
本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。閱讀本白皮書后,您應(yīng)該對平面磁性技術(shù)的優(yōu)勢以及自動化工作流程如何輕松...
2023-02-22 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體電力電子SiC 1607 0
使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關(guān)
眾所周知,因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序,所以在某些設(shè)計中,GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng),可能會導(dǎo)致組件損壞...
GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,具有高擊穿電場強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性,是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵(以下簡稱“GaN”) 功率開關(guān)。只...
使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測量結(jié)果、三電流探頭法原理和測量結(jié)果。
2023-02-19 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體器件 877 0
GaN IC設(shè)計系統(tǒng)級優(yōu)勢分析
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實現(xiàn)卓越性能的一個很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號塊。
SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)
從人類的角度來看,幾代人過得很慢,在人們的記憶中,從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代(Y?)和Z,現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而,在半導(dǎo)體...
氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件,氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心,新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...
小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)?什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系? 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體,具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...
氮化鎵(GaN)是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物,是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體,具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能,滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求,智...
對緊湊但功能強(qiáng)大的電機(jī)的需求為設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了盡可能提高小型電機(jī)的功率輸出,工程師們開始轉(zhuǎn)向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體...
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示, AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到,由下往上依次為180nm高溫A...
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一,采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...
20世紀(jì)40年代后,傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機(jī)非金屬材料,與有機(jī)聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機(jī)非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素?zé)?..
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點,被稱為第三代半導(dǎo)體,它具有更...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點,被稱為第三代半導(dǎo)體,它具有更...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |