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例如,多家半導體制造商開發了片上系統 (SoC),其中包括整個射頻 (RF) 信號鏈和有源相控陣天線,該天線在微型封裝中集成了數十個元件。硅鍺(SiGe...
掌握基本的射頻微波理論知識;熟練使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso,calibre)、EMX等電磁仿真以及射頻芯片設...
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導體,日本和海外正在進行研究和開發。
用一個Hercules LaunchPad開發套件控制GaN功率級
與LMG5200評估模塊 (EVM) 一同提供的還有一塊驅動GaN集成電路 (IC) 的電路。你需要將其斷開,并且連接你的LaunchPad開發套件。
雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成,256級灰度的雙基色顯示屏可顯示65,536種顏色(雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色)。全彩色LED顯示屏由紅...
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG,使得器件在零柵壓下為關斷狀態。當正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導電溝道,器件呈導通狀態。
Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對齊,并與晶圓上的電路進行物...
GAN的優點是能夠生成高質量的數據,但其訓練過程相對復雜,需要平衡生成器和判別器的性能,避免生成器落入局部最優解。
GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數以億計的此類設備,其中許多每天運行數小時,因此節省的能源將是巨大的。
近年來,以SiC(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而飽受關注。
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