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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。

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finfet資訊

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泛林集團(tuán):一家能夠相當(dāng)程度地調(diào)動全球人力資源服務(wù)于中國客戶的公司

關(guān)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對中國的重要性、中國要發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的急切心情我們就不必多說了。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個資金和技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)。與過去相比,中國現(xiàn)在已經(jīng)不再缺少...

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中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝

中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并藉此進(jìn)入AI...

2018-05-14 標(biāo)簽:中芯國際finfet 5697 0

中芯國際14納米制程獲重大進(jìn)展,已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段

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2018-08-10 標(biāo)簽:中芯國際晶圓FinFET 2743 0

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持續(xù)同時朝多面向快速進(jìn)展的晶圓代工大廠臺積電(TSMC),于美國硅谷舉行的年度技術(shù)研討會上宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn),并將有一個采用極紫外光微影(EUV)...

2018-05-11 標(biāo)簽:臺積電晶圓finfet 3708 0

三星Exynos旗艦行動處理器將很快亮相 將采用7納米FinFET制程技術(shù)

就在華為麒麟 980、蘋果 A12 處理器之后,三星 Exynos 旗艦行動處理器也要朝 7 納米制程節(jié)點(diǎn)前進(jìn)了。隨著 2019 年三星旗下的智能型手機(jī)...

2018-11-07 標(biāo)簽:處理器三星電子FinFET 2077 0

Achronix完成其基于16nm FinFET+工藝的Speedcore eFPGA技術(shù)量產(chǎn)級測試芯片的驗(yàn)證

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要點(diǎn):   術(shù)量產(chǎn)級測試芯片的驗(yàn)證   Speedcore驗(yàn)證芯片通過了嚴(yán)格的整套測試,同時所有功能已獲驗(yàn)證   在所有的運(yùn)行條件下,復(fù)雜...

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什么是FinFET?FinFET的工作原理是什么?

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在2011年初,英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET,使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上[3]。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用...

2018-07-18 標(biāo)簽:cmos半導(dǎo)體finfet 12.2萬 0

中芯攬三星電子、臺積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn)

中芯國際延攬前三星電子(Samsung Electronics)、臺積電技術(shù)高層梁孟松后,首次于線上法說會中現(xiàn)“聲”說法,他表示非常看好中芯在產(chǎn)業(yè)中的機(jī)...

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三星第二代10納米制程開發(fā)完成 | 老邢點(diǎn)評

三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成,未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。

2017-04-27 標(biāo)簽:三星電子FinFET10nm制程 1666 1

中國半導(dǎo)體工藝落后國際大廠 談突破先了解FinFET和胡正明

日前,中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化...

2017-01-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體FD-SOIFinFET 3351 0

FinFET發(fā)明人胡正明 獲頒“潘文淵獎”

今年得獎?wù)邽槊绹又荽髮W(xué)柏克萊分校講座教授胡正明,他也曾是臺積電前技術(shù)長,主辦單位表示,胡研發(fā)的3D鰭式電晶體(FinFET),突破物理極限,使元件更小...

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10納米FinFET工藝制程的Exynos8895呼之欲出

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2016-12-29 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝Exynos8895 1470 0

7nm后,這個技術(shù)將接替FinFET延續(xù)摩爾定律

比利時微電子在2016國際電子元件會議中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體的CMOS集成電路,其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極...

2016-12-12 標(biāo)簽:摩爾定律FinFET7nm制程 2728 0

三星被指盜取FinFET芯片專利技術(shù)

據(jù)外媒報道,三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對三星提起訴訟,指...

2016-12-05 標(biāo)簽:三星電子FinFET 690 0

三星被指盜取FinFET芯片專利技術(shù) 將被起訴

據(jù)外媒報道,三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對三星提起訴訟,指...

2016-12-05 標(biāo)簽:芯片三星電子FinFET 840 0

下一代高性能晶體管——納米線能否繼任FinFET

據(jù)IEEE報道,來自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管,未來經(jīng)過技術(shù)改進(jìn)有可...

2016-11-23 標(biāo)簽:SiGe晶體管FinFET 4320 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) (SoC) 解決方案。
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    超級本
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