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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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臺積電宣布與旗下多個客戶聯(lián)手打造全球首款加速器專屬快取互聯(lián)一致性測試芯片
晶圓代工龍頭臺積電7納米制程再邁進(jìn)一步,宣布與旗下客戶包括Xilinx(賽靈思)、ARM(安謀國際)、Cadence Design Systems(益華...
泛林集團(tuán):一家能夠相當(dāng)程度地調(diào)動全球人力資源服務(wù)于中國客戶的公司
關(guān)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對中國的重要性、中國要發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的急切心情我們就不必多說了。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個資金和技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)。與過去相比,中國現(xiàn)在已經(jīng)不再缺少...
中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝
中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并藉此進(jìn)入AI...
中芯國際14納米制程獲重大進(jìn)展,已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段
8月9日,中芯國際發(fā)布其2018年第二季度報。公告顯示,中芯國際第二季度不僅營收、凈利雙增長,14納米制程更是獲得重大進(jìn)展!
臺積電宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點(diǎn)的首個時間表
持續(xù)同時朝多面向快速進(jìn)展的晶圓代工大廠臺積電(TSMC),于美國硅谷舉行的年度技術(shù)研討會上宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn),并將有一個采用極紫外光微影(EUV)...
三星Exynos旗艦行動處理器將很快亮相 將采用7納米FinFET制程技術(shù)
就在華為麒麟 980、蘋果 A12 處理器之后,三星 Exynos 旗艦行動處理器也要朝 7 納米制程節(jié)點(diǎn)前進(jìn)了。隨著 2019 年三星旗下的智能型手機(jī)...
Achronix完成其基于16nm FinFET+工藝的Speedcore eFPGA技術(shù)量產(chǎn)級測試芯片的驗(yàn)證
要點(diǎn): 術(shù)量產(chǎn)級測試芯片的驗(yàn)證 Speedcore驗(yàn)證芯片通過了嚴(yán)格的整套測試,同時所有功能已獲驗(yàn)證 在所有的運(yùn)行條件下,復(fù)雜...
中芯攬三星電子、臺積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn)
中芯國際延攬前三星電子(Samsung Electronics)、臺積電技術(shù)高層梁孟松后,首次于線上法說會中現(xiàn)“聲”說法,他表示非常看好中芯在產(chǎn)業(yè)中的機(jī)...
淺析TSMC和FinFET工藝技術(shù)的Mentor解決方案
Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 12nm ...
2017-10-11 標(biāo)簽:tsmc物聯(lián)網(wǎng)mentor 3090 0
格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)
美國加利福尼亞圣克拉拉,2017年9月20日 – 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性...
格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即
加利福尼亞,圣克拉拉(2017年6月14日)—— 格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù),其40%的跨越式性能提升將滿足...
三星第二代10納米制程開發(fā)完成 | 老邢點(diǎn)評
三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成,未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
中國半導(dǎo)體工藝落后國際大廠 談突破先了解FinFET和胡正明
日前,中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化...
今年得獎?wù)邽槊绹又荽髮W(xué)柏克萊分校講座教授胡正明,他也曾是臺積電前技術(shù)長,主辦單位表示,胡研發(fā)的3D鰭式電晶體(FinFET),突破物理極限,使元件更小...
其中Exynos 8895M為高配版,CPU核心架構(gòu)為貓鼬M2+A53,其中貓鼬M2最高主頻為2.5GHz,而A53主頻為1.7GHz,GPU為20核的...
2016-12-29 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝Exynos8895 1470 0
7nm后,這個技術(shù)將接替FinFET延續(xù)摩爾定律
比利時微電子在2016國際電子元件會議中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體的CMOS集成電路,其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極...
據(jù)外媒報道,三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對三星提起訴訟,指...
據(jù)外媒報道,三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對三星提起訴訟,指...
據(jù)IEEE報道,來自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管,未來經(jīng)過技術(shù)改進(jìn)有可...
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