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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個節(jié)點推向下一個階段，本單元詳細介紹了EUV光刻機，EUV光刻機技術(shù)的技術(shù)應用，EUV光刻機的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內(nèi)容。

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euv技術(shù)

芯片晶體管是實現(xiàn)技術(shù)詳解

半導體產(chǎn)業(yè)毋庸置疑是近百年最為激動人心的領(lǐng)域，正是這無數(shù)的晶體管一代又一代的更新變革才有了近些年幾乎爆炸式的IT 技術(shù)進步。

2018-12-03 標簽：芯片晶體管 EUV 5369 0

微納制造技術(shù)：定向自組裝（DSA）終于找到了立足點

英特爾的發(fā)言人表示，該公司目前正在尋求多種利用定向自組裝（DSA）的集成工藝流程。“我們在 SPIE 等會議上公開討論過的一個工藝流程是使用 DSA 進...

2023-08-22 標簽：DSA 極紫外光刻機器學習 5099 0

光刻機的工作原理和分類

? 本文介紹了光刻機在芯片制造中的角色和地位，并介紹了光刻機的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機：芯片制造的關(guān)鍵角色 ? ? 光刻機在芯片制造中占...

2024-11-24 標簽：芯片制造光刻機 EUV 4984 0

光刻機的基本原理和核心技術(shù)

雖然DUVL機器可以通過多重曝光技術(shù)將線寬縮小到7-5納米，但如果要獲得更小的線寬，DUVL已經(jīng)達到了極限。采用EUV作為光源的極紫外光刻（EUVL）成...

2024-04-25 標簽：光源晶體管光刻機 4687 0

ASML***發(fā)展歷程 ***核心系統(tǒng)設(shè)計流程

光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機用于芯片的制造，曝光工藝極其復雜，后道光刻機主要用于封裝測試...

2023-06-15 標簽：芯片制造光刻機 EUV 4516 0

淺談英特爾的SuperFin

英特爾自己的工程師說，即使他們自己有時也很難記住哪個+變體具有特定的更新，或者哪個產(chǎn)品建立在哪個+節(jié)點上，這個消息也許能讓你心情好上一些。

2020-09-02 標簽：英特爾晶體管 EUV 4478 0

一文讀懂芯片混合鍵合工藝流程

在封裝史上，最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時起，更先進的封裝形式（例如晶圓級扇出和 TCB）一直是相同核心原理的漸進式改進。

2024-02-27 標簽：晶圓芯片設(shè)計蝕刻 4278 0

如何加快5nm芯片良率，EUV光刻或是關(guān)鍵要素

先進 5nm 器件或先進封裝的良率提升需要識別和去除從光刻到封裝材料的關(guān)鍵缺陷，因此智能和快速的晶圓級檢測必不可少。

2022-05-07 標簽：光刻 EUV 3718 0

DUV與EUV***的芯片加工流程詳解

SSMB就產(chǎn)生了和FEL類似的“微聚束”，但是關(guān)鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài)，電子團在波蕩器里自由互相作用，最后發(fā)出強光完事。SSMB是讓電子束在...

2023-09-22 標簽：芯片芯片制造光刻 3632 0

半導體光刻技術(shù)的起源與發(fā)展

光刻是半導體工業(yè)的核心技術(shù)。自1960年Fairchild Semiconductor的羅伯特·諾伊斯發(fā)明單片集成電路以來，光刻一直是主要的光刻技術(shù)。

2022-11-14 標簽：CMOS Sti TEM 3593 0

淺談ASML EUV光刻機路線圖

目前主力出貨的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度為1.1nm，曝光速度30 mJ/cm2，每小時曝光160片晶圓，年產(chǎn)量為140萬片。

2022-12-21 標簽：光刻機 EUV 3591 0

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認為是實現(xiàn)半導體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預計EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進步。

2023-05-18 標簽：光刻人工智能 EUV 3490 0

什么是EUV光刻？EUV與DUV光刻的區(qū)別

EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計過程中的后續(xù)步驟。

2023-10-30 標簽：芯片設(shè)計光刻 EUV 3471 0

一文解析EUV掩模版缺陷分類、檢測、補償

光刻機需要采用全反射光學元件，掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn)，...

2023-06-07 標簽：光刻機光刻技術(shù)EUV 3098 0

高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖

探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案

2022-01-10 標簽：存儲器 EUV 3d nand 3043 0

EUV光源四種產(chǎn)生方式及對比分析

隨著光刻技術(shù)的進步，光刻光源的曝光波長已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術(shù)的曝光波長為436nm、365nm （分別來自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線），所...

2023-06-01 標簽：集成電路光刻 EUV 2847 0

淺談高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的好處

　在更高的孔徑下，光子以更淺的角度撞擊掩模，相對于圖案尺寸投射更長的陰影。“黑暗”、完全被遮擋的區(qū)域和“明亮”、完全曝光的區(qū)域之間的邊界變?yōu)榛疑瑥亩?..

2022-06-22 標簽：英特爾 EUV 2824 0

原子級工藝實現(xiàn)納米級圖形結(jié)構(gòu)的要求

技術(shù)節(jié)點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現(xiàn)在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個硅原子稍大一點。半導體制造已經(jīng)跨越了從納...

2020-06-02 標簽：制造工藝 EUV 3d nand 2604 0

助力高級光刻技術(shù)：存儲和運輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)

隨著半導體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計尺寸不斷縮小的極限，極紫外（EUV）光刻技術(shù)的運用逐漸擴展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對于 7 納米及更小的高級節(jié)點，EUV 光刻...

2019-07-03 標簽：半導體光刻 EUV 2288 0

EUV光刻工藝制造技術(shù)主要有哪些難題？

光掩模可以被認為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。

2023-03-03 標簽：gpu 晶體管光刻機 2201 0

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