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標(biāo)簽 > esd
ESD(Electro-Static discharge)的意思是“靜電釋放”。ESD是20世紀(jì)中期以來形成的以研究靜電的產(chǎn)生、危害及靜電防護(hù)等的學(xué)科。因此,國際上習(xí)慣將用于靜電防護(hù)的器材統(tǒng)稱為ESD,中文名稱為靜電阻抗器。
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基于SCR結(jié)構(gòu)的納米工藝ESD防護(hù)器件研究
本文主要針對(duì)用于ESD防護(hù)的SCR結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。通過對(duì)其ESD泄放能力和工作機(jī)理的研究,為納米工藝下的IC設(shè)計(jì)提供ESD保護(hù)。本文的研究主要集中在兩種...
原文來自公眾號(hào):硬件工程師看海 公眾號(hào)后臺(tái)回復(fù):TVS 上一篇文章介紹了ESD與TVS的關(guān)系,使用TVS來抑制靜電是一個(gè)常見的方案。 在冬天時(shí),我們接觸...
運(yùn)算放大器:4 kV HBM ESD TOLERANCE是什么意思
4kV HBM ESD容差指的是器件能夠承受的最高靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)電壓值。HBM(Human Bod...
2024-07-10 標(biāo)簽:ESD運(yùn)算放大器 1.5萬 0
經(jīng)典又實(shí)用的超低電容小尺寸的ESD保護(hù)方案
便攜式電子產(chǎn)品(例如手機(jī)、PDA、GPS、移動(dòng)數(shù)字電視等)已成為移動(dòng)生活的必需品。而這些電子產(chǎn)品由于頻繁地與人體接觸,很容易受到靜電放電(ESD)的沖擊...
傳感器測(cè)量通常是將感興趣的物理現(xiàn)象轉(zhuǎn)換為電子電路參數(shù),如電阻和電容,然后再用橋電路進(jìn)行讀取。橋電路再產(chǎn)生與溫度和電源電壓成比例關(guān)系的輸出電壓或電流信號(hào),...
JESD204B標(biāo)準(zhǔn)及演進(jìn)歷程
在從事高速數(shù)據(jù)擷取設(shè)計(jì)時(shí)使用FPGA的人大概都聽過新JEDEC標(biāo)準(zhǔn)「JESD204B」的名號(hào)。近期許多工程師均聯(lián)絡(luò)德州儀器,希望進(jìn)一步了解 JESD20...
如何設(shè)計(jì)系統(tǒng)輸入輸出保護(hù)電路?解決模擬輸入IEC系統(tǒng)保護(hù)問題!
簡介 與系統(tǒng)模擬輸入和輸出節(jié)點(diǎn)交互作用的外置高壓瞬變可能破壞系統(tǒng)中未采用充分保護(hù)措施的集成電路(IC)。現(xiàn)代IC的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放...
為了確保電路可靠的工作,在設(shè)計(jì)過程的早期階段就應(yīng)考慮到瞬態(tài)電壓的抑制。這可能是一項(xiàng)復(fù)雜的任務(wù),因?yàn)殡娮釉?duì)雜散的電氣瞬變?cè)絹碓矫舾小?/p>
2023-06-09 標(biāo)簽:ESD壓敏電阻電動(dòng)機(jī) 1.4萬 0
ESD器件概述 ESD保護(hù)元件的作用是轉(zhuǎn)移來自敏感元件的ESD應(yīng)力,使電流流過保護(hù)元件而非敏感元件,同時(shí)維持敏感元件上的低電壓;ESD保護(hù)元件還應(yīng)具有低...
2018-04-13 標(biāo)簽:ESD 1.4萬 0
淺談ESD(Electro-Static Discharge)
靜電放電(Electrostatic Discharge,ESD)是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。當(dāng)帶了靜電荷的物體(也就是...
EMI全稱Electromagnetic Interference,即電磁干擾,指電子設(shè)備在自身工作過程中產(chǎn)生的電磁波,對(duì)外發(fā)射并對(duì)設(shè)備其它部分或外部其...
什么是TLP測(cè)試?TLP如何工作?TLP如何測(cè)量?
我們比較熟悉的ESD模型和評(píng)估手段是人體模型HBM、機(jī)器模型MM、充電模型CDM,IEC模式等,這些靜電模型直接模擬了現(xiàn)實(shí)中的某種靜電形式。
詳細(xì)介紹一下TLP測(cè)試相關(guān)的知識(shí)
動(dòng)態(tài)阻抗是ESD保護(hù)器件的一個(gè)非常重要的參數(shù),動(dòng)態(tài)阻抗越低,表明更多的ESD電流會(huì)流經(jīng)保護(hù)器件,更少的電流會(huì)流經(jīng)被保護(hù)設(shè)備。
2022-08-17 標(biāo)簽:ESD脈沖發(fā)生器動(dòng)態(tài)阻抗 1.4萬 0
ESD防護(hù)應(yīng)用:GGNMOS和GCNMOS對(duì)比分析
GCNMOS的工作原理與GGNMOS不同,GGNMOS是利用體寄生三極管的開啟進(jìn)行ESD靜電流的泄放通路,而GCNMOS則利用了NMOS器件的溝道作為泄放通道。
ESD引起集成電路損傷的三種途徑(1)人體活動(dòng)引起的摩擦起電是重要的靜電來源,帶靜電的操作者與器件接觸并通過器件放電。
靜電是人們非常熟悉的一種自然現(xiàn)象。靜電的許多功能已經(jīng)應(yīng)用到軍工或民用產(chǎn)品中,如靜電除塵、靜電噴涂、靜電分離、靜電復(fù)印等。然而,靜電放電ESD(Elect...
全面了解cmos電路中esd保護(hù)結(jié)構(gòu)原理及應(yīng)用
ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴(yán)重的失效機(jī)理之一,嚴(yán)重的會(huì)造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護(hù)的必要性,研究了在CMOS電路中ES...
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