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      標(biāo)簽　>　EPROM數(shù)據(jù)

      EPROM數(shù)據(jù)

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      EPROM由以色列工程師Dov Frohman發(fā)明，是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計算機儲存芯片——即非易失性的（非揮發(fā)性）。它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。

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      EPROM數(shù)據(jù)簡介

      　　EPROM由以色列工程師Dov Frohman發(fā)明，是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計算機儲存芯片——即非易失性的（非揮發(fā)性）。它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除?？梢詫PROM的玻璃窗對準(zhǔn)陽光直射一段時間就可以擦除。

      EPROM數(shù)據(jù)百科

      　　EPROM由以色列工程師Dov Frohman發(fā)明，是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計算機儲存芯片——即非易失性的（非揮發(fā)性）。它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除?？梢詫PROM的玻璃窗對準(zhǔn)陽光直射一段時間就可以擦除。

      　　工作原理

      　　EPROM是可編程器件，主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)牛ǘ觩oly）結(jié)構(gòu)，主要結(jié)構(gòu)如圖一所示。

      　　浮柵中沒有電子注入時，在控制柵加電壓時，浮柵中的電子跑到上層，下層出現(xiàn)空穴。

      　　由于感應(yīng)，便會吸引電子，并開啟溝道。

      　　如果浮柵中有電子的注入時，即加大的管子的閾值電壓，

      　　溝道處于關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達成了開關(guān)功能。

      　　如圖二所示，這是EPROM的寫入過程，在漏極加高壓，電子從源極流向漏極溝道充分開啟。在高壓的作用下，電子的拉力加強，能量使電子的溫度極度上升，變?yōu)闊犭娮樱╤ot electrON）。這種電子幾乎不受原子的振動作用引起的散射，在受控制柵的施加的高壓時，熱電子使能躍過SiO2的勢壘，注入到浮柵中。

      　　在沒有別的外力的情況下，電子會很好的保持著。在需要消去電子時，利用紫外線進行照射，給電子足夠的能量，逃逸出浮柵。

      　　EEPROM的寫入過程，是利用了隧道效應(yīng)，即能量小于能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達另一邊。

      　　量子力學(xué)認為物理尺寸與電子自由程相當(dāng)時，電子將呈現(xiàn)波動性，這里就是表明物體要足夠的小。

      　　就pn結(jié)來看，當(dāng)p和n的雜質(zhì)濃度達到一定水平時，并且空間電荷極少時，電子就會因隧道效應(yīng)向?qū)нw移。

      　　電子的能量處于某個級別允許級別的范圍稱為“帶”，較低的能帶稱為價帶，較高的能帶稱為導(dǎo)帶。

      　　電子到達較高的導(dǎo)帶時就可以在原子間自由的運動，這種運動就是電流。

      　　EEPROM寫入過程，如圖3所示，根據(jù)隧道效應(yīng)，包圍浮柵的SiO2，必須極薄以降低勢壘。

      　　源漏極接地，處于導(dǎo)通狀態(tài)。在控制柵上施加高于閾值電壓的高壓，以減少電場作用，吸引電子穿越。

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