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標(biāo)簽 > duv
duv就是深紫外光,主要是指波長(zhǎng)小于i-line365nm的紫外光,一般工業(yè)上有193arf和248nmkrf的的激光。用的都是化學(xué)增幅型的光刻膠。
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國(guó)產(chǎn)***EUV與DUV的分類(lèi)
DUV是深紫外線(Deep Ultraviolet Lithography),EUV是極深紫外線(Extreme Ultraviolet Lithogr...
用于集成電路制造的光刻機(jī)有兩種:半導(dǎo)體光刻機(jī)和光學(xué)(光刻)光刻機(jī)。下面將分別介紹這兩種光刻機(jī)的相關(guān)知識(shí)。半導(dǎo)體光刻機(jī)是根據(jù)芯片制造的工藝和設(shè)備來(lái)劃分的,...
SSMB就產(chǎn)生了和FEL類(lèi)似的“微聚束”,但是關(guān)鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài),電子團(tuán)在波蕩器里自由互相作用,最后發(fā)出強(qiáng)光完事。SSMB是讓電子束在...
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光,涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會(huì)將圖案打印到晶圓上,用于微芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)光刻EUV 3453 0
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中,k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度,ASML認(rèn)為其物理極限在0.25,...
在曝光過(guò)程中,掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1,分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離,隨著曝光次數(shù)...
光刻掩膜版保護(hù)膜常見(jiàn)的類(lèi)型有哪些?
掩膜版保護(hù)膜,mask pellicle,是一種透明的薄膜,在生產(chǎn)中覆蓋在掩膜版的表面。顧名思義,主要對(duì)掩膜版起物理與化學(xué)保護(hù)作用。
廈門(mén)大學(xué)康俊勇教授、尹君副教授課題組根據(jù)致病菌中遺傳物質(zhì)、蛋白質(zhì)的紫外光吸收特性,開(kāi)發(fā)了一種由275-nm氮化物L(fēng)ED組成的大功率(3.2 W)且輻照均...
芯片制造和傳統(tǒng)IC封裝的生產(chǎn)有何不一樣
DUV是深紫外線,EUV是極深紫外線。從制程工藝來(lái)看,DUV只能用于生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。而只有EUV能滿(mǎn)足7nm晶圓制造,并且還可以向5nm、3n...
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