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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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三星第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求
12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片...
DRAM貨源短缺雖然給買家?guī)沓林卮驌簦瑓s給供應(yīng)商帶來了巨大的經(jīng)濟(jì)收益
三星公司作為本季度的市場王者,營收達(dá)到63億美元,較上個(gè)季度增長6.8%且目前占據(jù)整體市場份額的44.8%。SK海力士以40.5億美元銷售額位列第二,較...
美光告福建晉華盜用技術(shù),阻止中國開發(fā)自有的DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)
據(jù)12月11日引述行業(yè)人士報(bào)道,日前,美光科技公司在美國加州的一家聯(lián)邦地方法庭提交了訴狀,指控中國臺灣的聯(lián)華電子以及下屬的福建省晉華集成電路公司盜用了自...
國產(chǎn)內(nèi)存正在快速發(fā)展,引發(fā)了國外行業(yè)巨頭們的恐慌
雖然技術(shù)上還有差距,但自主處理器、內(nèi)存發(fā)展已經(jīng)在努力追趕,這引發(fā)了行業(yè)巨頭們的恐慌。
紫光國微DDR4內(nèi)存芯片年底就可推向市場,未來會加大投入DRAM存儲器芯片產(chǎn)品
國產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國微在深交所互動平臺上表示,目前國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中,紫光國微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場。
三星著眼量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存顆粒,或?qū)⒚髂陸?yīng)用到三星上
LPDDR5的數(shù)據(jù)傳輸速率將達(dá)到 6400 Mps,大約是現(xiàn)在 iPhone X 上所采用的 LPDDR4X 的 1.5 倍。三星方面表示,LPDDR5...
從下游需求結(jié)構(gòu)看國內(nèi)存儲芯片市場局勢
下游需求結(jié)構(gòu)來看,手機(jī)、服務(wù)器、PC三大應(yīng)用消耗了絕大部分存儲器芯片。主流存儲器市場以DRAM及NANDFlash為主,立基型存儲器則以EEPROM、小...
以DRAM為代表的存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價(jià)潮,三星、美光成最大贏家
“2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39%”,ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計(jì)。當(dāng)下,以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價(jià)潮。
三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存開始量產(chǎn),可使手機(jī)平板等移動設(shè)備更省電
根據(jù)報(bào)道,三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn),相比第一代,雖然性能沒有提升,但是功耗再降10%,可使手機(jī)平板等移動設(shè)備更省電。
內(nèi)存價(jià)格持續(xù)暴漲,新內(nèi)存管理方案出臺勢在必行
對于用戶來說,想在想買內(nèi)存簡直是困難的,因?yàn)樗膬r(jià)格暴漲的已經(jīng)離譜到難以接受的地步,更夸張的是,這個(gè)瘋漲勢頭還在繼續(xù)。
日前,合肥長鑫的DRAM正式投片,產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4。可以說,近期國內(nèi)三大存儲芯片工廠好消息接連不斷
中國投資內(nèi)存項(xiàng)目總預(yù)算達(dá)180億,欲終結(jié)三星市場壟斷
這一年多來內(nèi)存價(jià)格的瘋漲讓太多人感到心痛,而問題的根源在于DRAM內(nèi)存顆粒掌握在韓國三星、SK海力士和美國美光等極少數(shù)巨頭手中,合計(jì)份額超過90%,很容...
長鑫存儲DRAM項(xiàng)目正式首次投片,國產(chǎn)DRAM在大力的突破
據(jù)國際電子商情,日前,消息稱長鑫存儲DRAM項(xiàng)目正式首次投片,啟動試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
合肥長鑫存儲的DRAM項(xiàng)目,正開始進(jìn)入試產(chǎn)階段
中國DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國目前在全球個(gè)人計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心以及未來新時(shí)代的AI人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)均扮演...
三星電子宣稱開發(fā)出10納米8GbLPDDR5 DRAM
此次研發(fā)出的8Gb LPDDR5DRAM速度比現(xiàn)有高端手機(jī)所采用的DRAM(LPDDR4X, 4266Mb/s)高出1.5倍,可達(dá)6400Mb/s的速度...
長鑫發(fā)布首個(gè)中國自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,國產(chǎn)DRAM跨出重要一步
國內(nèi)目前有三大存儲芯片基地,紫光主導(dǎo)的長江存儲以武漢為基地,主要生產(chǎn)3D NAND閃存,預(yù)計(jì)明年正式投產(chǎn)32層堆棧的64Gb閃存,選擇DRAM內(nèi)存芯片作...
合肥DRAM“506項(xiàng)目”正式投產(chǎn)電性片
7月16日,合肥DRAM“506項(xiàng)目”進(jìn)行了控片投片總結(jié)會,并宣布正式投產(chǎn)電性片。 這是我國三大存儲器項(xiàng)目第一個(gè)宣布投片的項(xiàng)目。
2018-07-20 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存儲器 2.4萬 0
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三季除進(jìn)入傳統(tǒng)旺季外,終端產(chǎn)品微型化需求還將帶動快速增長
在產(chǎn)業(yè)即將進(jìn)入傳統(tǒng)旺季,加上目前人工智能、車用電子、物聯(lián)網(wǎng)等芯片等需求仍強(qiáng)勁,況且8英寸因晶圓代工價(jià)格產(chǎn)能供不應(yīng)求而陸續(xù)調(diào)漲,甚至DRAM價(jià)格仍處于高檔...
2018年以來,DRAM供貨依然吃緊,預(yù)計(jì)第三季價(jià)格仍會有小幅增長。而 NAND Flash 今年以來供貨過量,價(jià)格節(jié)節(jié)下滑。
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