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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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BBCube3D以混合3D方法實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成
日本東京工業(yè)大學(xué)(Tokyo Tech)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種用于處理單元(processing units)和內(nèi)存堆疊的創(chuàng)新三維集成技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)目前“...
部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià),故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年...
美光利用1β工藝技術(shù)提供高速7,200 MT/s DDR5內(nèi)存
隨著數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載所需cpu核心數(shù)量的增加,對(duì)更高內(nèi)存帶寬和容量的要求增加,克服了“內(nèi)存墻”問(wèn)題,優(yōu)化了總擁有費(fèi)用。美光公司的 1β DDR5 DRA...
戴爾科技宣布推出全新全閃存存儲(chǔ)PowerScale F210和PowerScale F710
下一代工作負(fù)載和AI帶來(lái)的巨大數(shù)據(jù)引力,客戶需要更快且更具成本效益的解決方案。
2024-02-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DRAMSSD 1236 0
SK海力士:HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%,達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率
據(jù)報(bào)道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
Integrated Silicon Solution公司(ISSI)日前...
DDR2乏人問(wèn)津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2乏人問(wèn)津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能 DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異,DDR2合約價(jià)大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來(lái)臨,將加速D...
存儲(chǔ)芯片行業(yè)曙光初現(xiàn),上下游漲價(jià)拉鋸戰(zhàn)持續(xù)
進(jìn)入4月,固態(tài)硬盤的現(xiàn)貨價(jià)格保持穩(wěn)定,甚至出現(xiàn)部分產(chǎn)品價(jià)格高于官方售價(jià)的倒掛現(xiàn)象,進(jìn)而引發(fā)了跌價(jià)。
三星開(kāi)發(fā)新一代“緩存DRAM”:能效提升60%,速度延遲降低50%
有傳聞稱,三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu,但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉,hbm可以將多個(gè)dram垂直連接...
存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)出現(xiàn)美日韓的壟斷之勢(shì) 紫光國(guó)際“攪局”破勢(shì)而出
誰(shuí)將成為存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的“攪局者”,儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)還在日益擴(kuò)張,供不應(yīng)求之勢(shì)越發(fā)明顯。中國(guó)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起,美日韓的壟斷之勢(shì)越來(lái)越強(qiáng)盛,紫光國(guó)際“攪...
Gartner最新一項(xiàng)調(diào)查顯示,2015年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額預(yù)計(jì)將達(dá)到3,480億美元,較2014年增長(zhǎng)2.2%,但低于上季度所預(yù)測(cè)的4%增長(zhǎng)目標(biāo)。帶...
存儲(chǔ)芯片價(jià)格有望在2024年第一季度上漲
TrendForce保持預(yù)設(shè)不變,認(rèn)為DRAM合約價(jià)季增幅大約為13%至18%;而NAND Flash合約價(jià)季增幅則在18%至23%之間。盡管業(yè)界對(duì)于第...
中國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自主研發(fā) LPDDR5 完成
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最近在其官網(wǎng)上宣布,已研發(fā)出中國(guó)首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片,并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5...
2023-12-03 標(biāo)簽:芯片DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1217 0
三星將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,下半年DRAM漲勢(shì)恐止歇
全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,業(yè)界認(rèn)為,由于建廠時(shí)間還要兩年,難解今年缺貨窘境,不過(guò)受心理層面影響,恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇。
存儲(chǔ)芯片或面臨價(jià)格下降 四季度需要進(jìn)行調(diào)整
產(chǎn)業(yè)鏈消息人士表示,在今年四季度,存儲(chǔ)芯片制造商將忙于調(diào)整庫(kù)存。
美光10億美元擴(kuò)廠提升封測(cè)產(chǎn)能自給率
美光科技選定在臺(tái)灣積極擴(kuò)產(chǎn),尤其是臺(tái)中后里新廠也就是原先達(dá)鴻先進(jìn)舊廠為擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn),美光進(jìn)駐該廠之后已進(jìn)行廠區(qū)改造重建的動(dòng)作,并招兵買馬征才千人,投入10億...
傳三星/SK海力士已開(kāi)始訂購(gòu)DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備
數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開(kāi)始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu);此外,三星...
新型先進(jìn)移動(dòng)芯片LPDDR5T開(kāi)始供貨
“LPDDR5T是最大限度發(fā)揮智能手機(jī)性能的最佳內(nèi)存。我們將繼續(xù)擴(kuò)大該產(chǎn)品的應(yīng)用范圍,引領(lǐng)移動(dòng)DRAM領(lǐng)域的換代。”SK海力士在一份聲明中表示。隨著JE...
近日,備受矚目的上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨第三十屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)(ICCAD-Expo 2024)在上海隆重舉行。來(lái)自全球的集成電路產(chǎn)...
三星研發(fā)CXL混合存儲(chǔ)模組,實(shí)現(xiàn)閃存與CPU數(shù)據(jù)直傳
據(jù)三星展示的圖片顯示,此模組可以通過(guò)CXL接口在閃存部分及CPU之間進(jìn)行I/O塊傳輸,也可以運(yùn)用DRAM緩存和CXL接口達(dá)到64字節(jié)的內(nèi)存I/O傳輸。
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