內(nèi)存領(lǐng)域，一場(chǎng)關(guān)于HBM的競(jìng)賽已悄然打響

存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)訪問速度跟不上處理器的數(shù)據(jù)處理速度，數(shù)據(jù)傳輸就像處在一個(gè)巨大的漏斗之中，不管處理器灌進(jìn)去多少，存儲(chǔ)器都只能“細(xì)水長(zhǎng)流”。兩者之間數(shù)據(jù)交換通路窄...

2023-01-17 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)SK海力士 886 0

DRAM的電容技術(shù)發(fā)展歷程

通過控制溫度來控制晶相，將非晶AlO、T相ZrO制作為新型介質(zhì)薄膜。因?yàn)橹饕暙I(xiàn)點(diǎn)是EOT很低的新型薄膜，通過三個(gè)I_V曲線描述漏電性能，XRD表明晶相...

2023-01-12 標(biāo)簽：電容器電容DRAM 4311 0

一本雜志，讓日本走上半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)之路

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）從20世紀(jì)開始，人類社會(huì)逐漸從原子時(shí)代走向信息時(shí)代，數(shù)據(jù)成為人類日常發(fā)展的主流。而半導(dǎo)體芯片作為數(shù)據(jù)的重要載體，也開始在產(chǎn)...

2023-01-08 標(biāo)簽：東芝amd半導(dǎo)體 5618 0

只租不賣？服務(wù)器內(nèi)存探索新的商業(yè)模式

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星作為世界最大的存儲(chǔ)廠商之一，正在尋求開辟高端內(nèi)存芯片租賃這一全新的商業(yè)模式。在這一商業(yè)模式下，客戶通...

2023-01-08 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存服務(wù)器內(nèi)存 3902 0

DRAM的表現(xiàn)可為“一瀉千里”

市場(chǎng)方面，DRAM的全球市場(chǎng)也不容樂觀。在今年三季度，全球DRAM的市場(chǎng)規(guī)模，降至181.87億美元，不及上一季度的255.94億美元，環(huán)比下滑28.9...

2023-01-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM 702 0

淺析存儲(chǔ)顆粒和存儲(chǔ)組件的價(jià)格形成

DRAM會(huì)區(qū)分顆粒的技術(shù)層級(jí)：DDR3/DDR4/DDR5; Flash會(huì)區(qū)分顆粒的類別：TLC/MLC/SLC; 也會(huì)區(qū)分顆粒的容量 8G/16G/3...

2023-01-05 標(biāo)簽：DRAMSSD半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 1312 0

DRAM價(jià)格沒有回升跡象，DDR5繼續(xù)下跌

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，到 2022 年為止，DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格已下跌超過 40%，而 NAND 閃存晶圓價(jià)格已跌至供應(yīng)商的現(xiàn)金成本水平以下。

2023-01-04 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 790 0

三星首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn)，以優(yōu)異的性能和更高的能效，推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日...

2022-12-21 標(biāo)簽：DRAM三星半導(dǎo)體DDR5 1011 0

美國(guó)嘗試將大陸芯片產(chǎn)業(yè)“孤立”？

荷蘭ASML光刻機(jī)對(duì)于半導(dǎo)體、對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體的重要性都不言而喻，所以美國(guó)早早就要求用于7nm及以下線寬先進(jìn)工藝的EUV產(chǎn)品，對(duì)華禁售。而最近，美國(guó)又在“...

2022-12-15 標(biāo)簽：DRAM芯片制造ASML 406 0

研華工業(yè)存儲(chǔ)多寬溫解決方案，面向工業(yè)機(jī)器人應(yīng)用與挑戰(zhàn)

隨著物聯(lián)網(wǎng)科技與時(shí)代不斷發(fā)展，工業(yè)機(jī)器人在制造業(yè)中發(fā)揮著越來越大的作用。它們常應(yīng)用于各種不同寬溫度的環(huán)境，例如戶外應(yīng)用，冷鏈物流等。所以固態(tài)硬盤和DRA...

2022-12-15 標(biāo)簽：嵌入式DRAM機(jī)器人 612 0

2022年模擬市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)20.8%

小信號(hào)晶體管的這種水平預(yù)測(cè)似乎是合理的，但功率晶體管的需求由于汽車電氣化而持續(xù)增長(zhǎng)，因此我們應(yīng)該可以預(yù)期同比增長(zhǎng)超過10%。

2022-12-14 標(biāo)簽：DRAM晶體管功率器件 425 0

西安紫光國(guó)芯成功入選國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心

近日，國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)公示完成2022年（第29批）擬認(rèn)定國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心名單，憑借著在存儲(chǔ)領(lǐng)域領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力、持續(xù)的創(chuàng)新成果和科學(xué)的管理運(yùn)營(yíng)，西安...

2022-12-08 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)技術(shù)紫光國(guó)芯 1388 0

探索傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的發(fā)展史

最初通過PMOS技術(shù)達(dá)到可接受的良率。在這之后，一項(xiàng)關(guān)鍵的額外設(shè)計(jì)變更——埋層接觸孔(buried contacts)顯著提高了良率，并實(shí)現(xiàn)了更小尺寸的...

2022-11-29 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器晶體管 980 0

美光科技在日本廣島開始量產(chǎn)尖端存儲(chǔ)器DRAM

最新消息，據(jù)日本共同社報(bào)道，美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲(chǔ)器公司”，已于16日在該市廣島工廠啟動(dòng)最尖端DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器...

2022-11-28 標(biāo)簽：DRAM美光科技 1457 0

2021存儲(chǔ)行業(yè)營(yíng)收概況 非易失性存儲(chǔ)表現(xiàn)亮眼

在芯片產(chǎn)業(yè)中，存儲(chǔ)芯片是全球集成電路市場(chǎng)銷售額占比最高的分支，在產(chǎn)業(yè)中占據(jù)很重要的地位。2021年存儲(chǔ)行業(yè)整體營(yíng)收共計(jì) 214.49億元，同比增長(zhǎng) 91...

2022-11-24 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)芯片非易失性存儲(chǔ)器 843 0

美光出貨量環(huán)比下跌21% ，第四季NAND Flash營(yíng)收恐續(xù)跌

第三季NAND Flash市場(chǎng)仍不敵需求疲弱沖擊，無論在消費(fèi)電子或服務(wù)器領(lǐng)域出貨皆劣于預(yù)期，導(dǎo)致第三季NAND Flash價(jià)格跌幅擴(kuò)大至18.3%。

2022-11-23 標(biāo)簽：DRAM美光Nand flash 490 0

IC Insights：預(yù)計(jì)今年下半年全球DRAM營(yíng)收將較上半年驟減40%

近日，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布報(bào)告，預(yù)期下半年DRAM營(yíng)收恐將較上半年驟減40%，全年DRAM營(yíng)收將下滑18%。 報(bào)告指出，全球經(jīng)濟(jì)疲軟和高通...

2022-11-22 標(biāo)簽：DRAM 1252 0

美光：DRAM和NAND晶圓將削減20%開工率

美光表示：“最近，人們對(duì)2023年的市場(chǎng)前景有所減弱。”并指出，預(yù)計(jì)DRAM bit的供應(yīng)同比將有所收縮，NAND bit的供應(yīng)增長(zhǎng)也將顯著低于此前預(yù)期。

2022-11-17 標(biāo)簽：DRAM 344 0