在2019年收入和利潤率大幅下降之后，SK Hynix宣布計(jì)劃削減其資本支出。盡管市場已經(jīng)顯示出復(fù)蘇的跡象，但該公司不確定對DRAM和NAND的需求，因此其投資將變得更加保守和謹(jǐn)慎。因此，SK海力士
2020-02-11 11:37:37
3706 隨著行業(yè)的回暖，國內(nèi)半導(dǎo)體制造企業(yè)業(yè)績將面臨回升，強(qiáng)周期電子股未來的走勢值得關(guān)注。伴隨著近期半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)回暖，多家業(yè)內(nèi)上市公司開工率正在同步回暖。
2013-02-26 09:41:07483 本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
2016-12-27 15:49:1320415 
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001984 
年增長率將達(dá)到110%，增長速度令人驚嘆！雖然科銳對晶圓投料量和器件TAM前景非常樂觀，但著名市場研究公司Yole則持更保守的觀點(diǎn)。Yole預(yù)計(jì)2023年150mm SiC晶圓的用量為15萬片，復(fù)合
2019-05-12 23:04:07
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯
觀點(diǎn)：盡管NAND閃存市場需求在一定程度上受到了經(jīng)濟(jì)形勢的影響，但美光市場卻逆勢增長，其市場份額首次突破20%大光。這是其
2012-09-24 17:03:43
單恐不可避免，在客戶端可能面臨庫存調(diào)整之下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)下半年恐旺季不旺。 臺(tái)積電第2季營收估達(dá)101至104億美元，季減2.04至季增0.87%，仍有機(jī)會(huì)續(xù)寫新猷，雙率也將續(xù)站穩(wěn)高檔；雖然客戶需求
2020-06-30 09:56:29
盤上涂敷助焊劑；第二臺(tái)負(fù)責(zé)置放焊球并完成回流焊處理前的所有工序。 第一臺(tái)機(jī)器裝載晶圓，利用視像識(shí)別系統(tǒng)校準(zhǔn)位置，然后將助焊劑壓印在焊凸下金屬焊盤處。晶圓之后輸送到第二臺(tái)機(jī)器，把壓印了助焊劑的晶圓裝載
2011-12-01 14:33:02
有沒有能否切割晶圓/硅材質(zhì)濾光片的代工廠介紹下呀
2022-09-09 15:56:04
`晶圓切割目的是什么？晶圓切割機(jī)原理是什么？一.晶圓切割目的晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
品種、規(guī)格的產(chǎn)品；但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。在用針測（Probe）儀對每個(gè)晶粒檢測其電氣特性，并將不合格的晶粒標(biāo)上記號(hào)后，將晶圓切開，分割成一顆顆單獨(dú)的晶粒，再按其電氣特性分類，裝入
2011-12-01 15:43:10
整根棒料，生長成一根單晶，晶向與籽晶的相同.三、晶片分片將晶棒橫向切成厚度基本一致的晶圓片，Wafer。四、Wafer拋光進(jìn)行晶圓外觀的打磨拋光。五、Wafer鍍膜通過高溫，或者其他方式，使晶圓上產(chǎn)生
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本階段：晶圓制造（材料準(zhǔn)備、長晶與制備晶圓）、積體電路制作，以及封裝。晶圓制造過程簡要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圓制造的基礎(chǔ)知識(shí)，適合入門。
2014-06-11 19:26:35
就不得不把16個(gè)芯片中的4個(gè)報(bào)廢掉(即占這塊硅晶圓的1/4 )。如果這塊硅晶圓代表我們生產(chǎn)過程中生產(chǎn)的所有硅晶圓，這意味著我們廢品率就是1/4，這種情況將導(dǎo)致制造成本的上升。 在無法對現(xiàn)在的制造進(jìn)程
2011-12-01 16:16:40
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
有人又將其稱為圓片級-芯片尺寸封裝（WLP-CSP），以晶圓圓片為加工對象，在晶圓上封裝芯片。晶圓封裝中最關(guān)鍵的工藝為晶圓鍵合，即是通過化學(xué)或物理的方法將兩片晶圓結(jié)合在一起，以達(dá)到密封效果。如下
2021-02-23 16:35:18
`美國Tekscan公司研發(fā)的I-SCAN系統(tǒng)可以解決晶圓制作過程中拋光頭與晶圓接觸表面壓力分布不均勻，導(dǎo)致高不良率出現(xiàn)的問題。在實(shí)驗(yàn)過程中只需要將目前世界上最薄的壓力傳感器（0.1mm)放置于拋光
2013-12-04 15:28:47
` 誰來闡述一下晶圓有什么用？`
2020-04-10 16:49:13
本人想了解下晶圓制造會(huì)用到哪些生產(chǎn)輔材或生產(chǎn)耗材
2017-08-24 20:40:10
晶圓的制造過程是怎樣的？
2021-06-18 07:55:24
` 硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
`晶圓的結(jié)構(gòu)是什么樣的？1 晶格：晶圓制程結(jié)束后，晶圓的表面會(huì)形成許多格狀物，成為晶格。經(jīng)過切割器切割后成所謂的晶片 2 分割線：晶圓表面的晶格與晶格之間預(yù)留給切割器所需的空白部分即為分割線 3
2011-12-01 15:30:07
晶圓級封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級封裝的開發(fā)主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動(dòng)。1964年，美國IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圓表面各部分的名稱（1）器件或叫芯片（Chip，die，device，circuit，microchip，bar）：這是指在晶圓表面占大部分面積的微芯片掩膜。（2）街區(qū)或鋸切線（Scribe
2020-02-18 13:21:38
不良品，則點(diǎn)上一點(diǎn)紅墨水，作為識(shí)別之用。除此之外，另一個(gè)目的是測試產(chǎn)品的良率，依良率的高低來判斷晶圓制造的過程是否有誤。良品率高時(shí)表示晶圓制造過程一切正常， 若良品率過低，表示在晶圓制造的過程中，有
2020-05-11 14:35:33
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
美光科技公司宣布，將推出面向全球手機(jī)用戶的新型MT9D011低功耗200萬像素CMOS成像傳感器。 隨著消費(fèi)者對手機(jī)、第三代智能電話等設(shè)備的高分辨率相機(jī)的要求，美光為此提供一種新款成像傳感器
2018-10-26 16:48:45
Win。 “按銷售額衡量，美光迅速成為最大的CMOS圖像傳感器制造商，而且利潤率也高于任何把圖像傳感器作為一項(xiàng)業(yè)務(wù)加以報(bào)告的上市公司。”American Technology Research
2018-11-20 16:03:30
請問有人用過Jova Solutions的ISL-4800圖像測試儀嗎，還有它可否作為CIS晶圓測試的tester，謝謝！
2015-03-29 15:49:20
DRAM、NAND Flash、NOR Flash、eMMC、PCM和SD卡等，從上游到下游一條鞭相當(dāng)齊全。美光在全球DRAM市場市占率位居第4，與三哥爾必達(dá)(Elpida)之間競爭相當(dāng)激烈；而在
2022-01-22 08:14:06
：DRAM庫存緊張，因行業(yè)資本支出增加反而擔(dān)憂NAND對于美光而言，由于在2020年和2021年有限的資本支出，再加上需求增加的雙重影響，截止到2021財(cái)年Q2財(cái)季，美光庫存天數(shù)減少至99天，庫存
2021-12-27 16:04:03
爾必達(dá)（Elpida）陣營的新增產(chǎn)能是否順利去化，將牽動(dòng)DRAM價(jià)格走勢，是重要的觀察指標(biāo)。他說，爾必達(dá)陣營制程技術(shù)推進(jìn)至63奈米，7月產(chǎn)出將大量增加，加上美光陣營的南科、華亞科也導(dǎo)入50奈米，下半年
2010-05-10 10:51:03
450mm直徑的晶體和450mm晶圓的制備存在的挑戰(zhàn)性。更高密度和更大尺寸芯片的發(fā)展需要更大直徑的晶圓供應(yīng)。在20世紀(jì)60年代開始使用的1英寸直徑的晶圓。在21世紀(jì)前期業(yè)界轉(zhuǎn)向300mm（12英寸）直徑的晶圓
2018-07-04 16:46:41
，大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達(dá)40%-45%，而美光NAND技術(shù)從40nm到16nm，再到64層3D技術(shù)，一直為市場提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個(gè)月前美
2018-09-20 17:57:05
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
的設(shè)計(jì)人員被要求將測試模式引入存儲(chǔ)陣列。測試的設(shè)計(jì)人員在探索如何將測試流程更加簡化而有效，例如在芯片參數(shù)評估合格后使用簡化的測試程序，另外也可以隔行測試晶圓上的芯片，或者同時(shí)進(jìn)行多個(gè)芯片的測試。`
2011-12-01 13:54:00
` 晶圓電阻又稱圓柱型精密電阻、無感晶圓電阻、貼片金屬膜精密電阻、高精密無感電阻、圓柱型電阻、無引線金屬膜電阻等叫法;英文名稱是：Metal Film Precision Resistor-CSR
2011-12-02 14:57:57
,TSOP 48封裝， 12*20mm。 4、穩(wěn)定性，CS創(chuàng)世 SD NAND的控制器是最新，內(nèi)部是SLC NAND。tSD/qSD內(nèi)部是TLC NAND Flash晶圓，只適合對價(jià)格很敏感的消費(fèi)類
2022-06-09 14:46:21
***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與美光等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品，2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，因此未來***地區(qū)廠商DRAM銷售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30
Insights指出，三星多年以來一直希望成為晶圓代工領(lǐng)域的重要企業(yè)，雖然去年獲得了蘋果、高通和賽靈思等重要客戶，仍僅位居全球第十大晶圓代工廠。但三星今年有新的晶圓廠計(jì)劃，近期還傳出三星將跨入模擬晶圓
2011-12-01 13:50:12
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
安森美半導(dǎo)體全球制造高級副總裁Mark Goranson最近訪問了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點(diǎn)開設(shè)了一個(gè)新建的8英寸
2018-10-25 08:57:58
翹曲度是實(shí)測平面在空間中的彎曲程度，以翹曲量來表示，比如絕對平面的翹曲度為0。計(jì)算翹曲平面在高度方向最遠(yuǎn)的兩點(diǎn)距離為最大翹曲變形量。翹曲度計(jì)算公式：晶圓翹曲度影響著晶圓直接鍵合質(zhì)量，翹曲度越小，表面
2022-11-18 17:45:23
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
light. It is also called a light point defect.局部光散射 - 晶圓片表面特征，例如小坑或擦傷導(dǎo)致光線散射，也稱為光點(diǎn)缺陷。Lot - Wafers
2011-12-01 14:20:47
時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤率是40％，但是第一季度過后NAND價(jià)格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來每年
2021-07-13 06:38:27
的費(fèi)用不斷上漲，一次0.6微米工藝的生產(chǎn)費(fèi)用就要20-30萬元，而一次0.35微米工藝的生產(chǎn)費(fèi)用則需要60-80萬元。如果設(shè)計(jì)中存在問題，那么制造出來的所有芯片將全部報(bào)廢。為了降低成本，我們采用了多項(xiàng)目晶圓。`
2011-12-01 14:01:36
晶圓劃片 (Wafer Dicing )將晶圓或組件進(jìn)行劃片或開槽，以利后續(xù)制程或功能性測試。提供晶圓劃片服務(wù)，包括多項(xiàng)目晶圓(Multi Project Wafer, MPW)與不同材質(zhì)晶圓劃片
2018-08-31 14:16:45
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:43:15
大家好，我做FPGA開發(fā)，需要用到大的內(nèi)存，ise12只有美光和現(xiàn)代的庫，我對美光內(nèi)存使用有如下疑惑：美光2G內(nèi)存位寬16位，速率可達(dá)200M，4G內(nèi)存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話，用更多的內(nèi)存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
`***高價(jià)大量求購大量各種品牌Nand Flash／DRAM／DDR2／DDR3／GOOD DIE／INK DIE WAFER晶圓tF,SD卡晶圓（如三星，東芝，美光，SANDISK）各種品牌Ｕ盤
2020-12-29 08:27:02
過處理之后成為光罩 這些就是最后完成的晶圓成品 接下來看晶圓切割 形成成品之后的晶圓還要經(jīng)過切割才能成為應(yīng)用于芯片制造。 這里演示的就是晶圓切割 放大觀看 接下來是演示經(jīng)過切割的晶圓的一些應(yīng)用。 可以應(yīng)用于芯片制造、液晶顯示屏制造或者手機(jī)芯片制造等。 ``
2011-12-01 15:02:42
?過去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器
2018-12-24 14:28:00
3D NAND的制程轉(zhuǎn)換及新產(chǎn)能布建，在DRAM的投資則全數(shù)集中在1X奈米的制程微縮，并無任何新產(chǎn)能。也因此，雖然第二季是傳統(tǒng)淡季，但因DRAM制程由20奈米微縮到1X奈米時(shí)遇到瓶頸，市場供給仍有吃緊
2017-06-13 15:03:01
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:45:30
求晶圓劃片或晶圓分撿裝盒合作加工廠聯(lián)系方式：QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
求DM3730用的NAND+DRAM 的線路和layout
2015-07-17 14:56:53
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
強(qiáng)敵三星。一直以來，NAND FLASH的晶圓芯片都是由三星、東芝/閃迪、美光、SK海力士5家大廠“壟斷”，占據(jù)整個(gè)市場的70%份額；只要他們又任何的產(chǎn)能的調(diào)整和市場策略變化，都直接影響到市場特別是
2016-07-29 15:42:37
激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝 激光加工為無接觸加工，激光能量通過聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片
2010-01-13 17:01:57
隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺(tái)之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術(shù)正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
看到了晶圓切割的一個(gè)流程，但是用什么工具切割晶圓？求大蝦指教啊 ？
2011-12-01 15:47:14
，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，做在一個(gè)微小面積上，以完成某一特定邏輯功能，達(dá)成預(yù)先設(shè)定好的電路功能要求的電路系統(tǒng)。硅是由沙子所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999
2011-12-02 14:30:44
的兩維直線電機(jī)工作臺(tái)及直驅(qū)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，專用 CCD監(jiān)視定位。采用紅外激光作為光源切割硅晶圓，具有最佳的切割性價(jià)比，切割速度達(dá)到160mm/s，無機(jī)械應(yīng)力作用，晶粒切割成品率高，切割后二極管芯片電學(xué)性能參數(shù)
2010-01-13 17:18:57
這個(gè)要根據(jù)die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。目前業(yè)界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個(gè)吋是估算值。實(shí)際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
2018-06-13 14:30:58
晶圓測溫系統(tǒng)，晶圓測溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文
2023-06-30 14:57:40
WD4000晶圓幾何形貌測量及參數(shù)自動(dòng)檢測機(jī)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷
2023-11-06 10:49:18
。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓的溫度直接影響到其上形成的薄膜的質(zhì)量，包括其厚度、結(jié)構(gòu)、電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)等。因此，對晶圓表面溫度的精確控制和測試是保證半導(dǎo)體產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。本文將
2023-12-04 11:36:42
WD4000無圖晶圓幾何形貌測量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
韓國太陽能電池廠商的設(shè)備開工率恢復(fù)至67.2％
據(jù)韓國調(diào)查公司Displaybank稱，韓國結(jié)晶硅型太陽能電池廠商的設(shè)備開工率已經(jīng)恢復(fù)。受
2010-02-04 09:22:22286 英特爾的芯片工廠開工率已調(diào)低至50%以下，這將有助于為未來的14納米芯片技術(shù)留出空間，但部分產(chǎn)能確實(shí)已經(jīng)處于閑置狀態(tài)。
2012-10-17 14:10:39786 目前，90%產(chǎn)品依賴出口的中國光伏產(chǎn)業(yè)面臨著歐美終端市場關(guān)門、低價(jià)多晶硅進(jìn)口沖擊、新興市場仍待成熟等三重壓力。目前，多晶硅行業(yè)開工率不足20%。
2012-10-24 11:24:35766 內(nèi)存市場日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測，DRAM 與 NAND 閃存等，未來 5 年年均復(fù)合增長率（CAGR）可達(dá) 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1，099 億美元。
2017-01-10 11:28:23599 根據(jù)Yole 預(yù)測2018年DRAM價(jià)格將上漲23%，NAND價(jià)格下降15％。
2018-06-28 17:05:015697 
據(jù)日媒指出，三星2019年針對存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443278 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢。
2019-07-06 11:38:563485 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場的增長。
2019-12-23 14:13:44647 DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921 有存儲(chǔ)模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià)，但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價(jià)格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價(jià)格，但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466 三星電子，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，近期在其位于中國西安的NAND閃存工廠實(shí)現(xiàn)了開工率的顯著回升，從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對市場趨勢的敏銳洞察和快速響應(yīng)，也凸顯了中國智能手機(jī)市場回暖以及全球半導(dǎo)體庫存調(diào)整對產(chǎn)業(yè)鏈上游的積極影響。
2024-03-14 12:32:26318
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