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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關機就會丟失數(shù)據(jù)）

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金士頓強攻中國大陸布局NAND相關應用群聯(lián)、力成、點序沾光

金士頓目前在世界存儲芯片市場上的占有率超過78%，10多年來一直占據(jù)業(yè)界第1的位置。兩位共同創(chuàng)業(yè)者孫大衛(wèi)、杜紀川與臺灣的關系非常友好。金融海嘯發(fā)生時，金...

2023-12-05 標簽：DRAM 金士頓嵌入式存儲 1349 0

SK海力士超過三星電子成為市場領頭羊

服務器DRAM是一種價值較高且至關重要的半導體產(chǎn)品，對企業(yè)云服務和數(shù)據(jù)中心發(fā)揮著重要作用，約占整個DRAM市場的35-40%。

2023-12-04 標簽：英特爾 DRAM SK海力士 1308 0

中國長鑫存儲自主研發(fā) LPDDR5 完成

長鑫存儲最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5...

2023-12-03 標簽：芯片 DRAM 長鑫存儲 1304 0

HBM4為何備受存儲行業(yè)關注？

當前，生成式人工智能已經(jīng)成為推動DRAM市場增長的關鍵因素，與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長。未來，隨著AI技術不斷演進，HBM將成為數(shù)據(jù)中...

2023-12-02 標簽：DRAM gpu 內(nèi)存 833 0

長鑫存儲LPDDR5正式進軍移動終端市場

資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲器，由DDR內(nèi)存演化而來。LPDDR的架構和接口針對低功耗應用進行了專門優(yōu)化，提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工...

2023-12-01 標簽：DRAM DDR LPDDR 863 0

NAND閃存現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲

大部分頻道及存儲器模塊生產(chǎn)企業(yè)已經(jīng)完成了9、10月份年末旺季的出貨。消息人士補充說：“由于顧客對價格進一步上漲的期待心理，短期再供應需求得到消除，因此，...

2023-12-01 標簽：DRAM NAND 存儲器 841 0

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當投資者詢問...

2023-12-01 標簽：芯片 DRAM 三星電子 1080 0

長鑫存儲首款國產(chǎn)LPDDR5，推動產(chǎn)業(yè)跨入LPDDR5領域

　相比上一代LPDDR4，長鑫的LPDDR5單顆芯片容量和速率都提升了50%，達到12Gb和6400Mbps，并且功耗降低了30%。從產(chǎn)品應用和市場角度...

2023-11-29 標簽：DRAM 封裝技術數(shù)據(jù)安全 1870 0

長鑫存儲推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲芯片

長鑫12GB LPDDR5芯片由8個12Gb顆粒封裝，這是長鑫存儲首款采用層疊封裝（Package on Package）的芯片產(chǎn)品。

2023-11-29 標簽：DRAM 存儲芯片長鑫存儲 1693 0

國內(nèi)首家，長鑫存儲推出多款 LPDDR5產(chǎn)品

長鑫存儲12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國主流手機制造商小米、傳音等品牌機型上完成了驗證。lpddr5是長鑫存儲針對中高端移動機器市場推出的產(chǎn)品，...

2023-11-29 標簽：芯片半導體 DRAM 1677 0

淺談DRAM的常用封裝技術

目前，AI服務器對HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求量越來越大，因為HBM大大縮短了走線距離，從而大幅提升了AI處理器運算速度。HBM經(jīng)歷了幾代產(chǎn)品，包括HBM...

2023-11-28 標簽：DRAM 封裝技術存儲芯片 2389 0

AI PC推動存儲規(guī)格升級預期明年上半年DDR5將會超越DDR4

隨著三大國際DRAM廠商三星、SK海力士、美光科技擴大減產(chǎn)幅度，業(yè)內(nèi)普遍認為，供給減少疊加AI帶動的需求擴大，存儲器市場有望揚升。

2023-11-25 標簽：DRAM 存儲器 DDR4 1107 0

未來四年HBM市場將飆升52%

DRAM產(chǎn)業(yè)在生成式AI中受益匪淺，未來DRAM產(chǎn)業(yè)格局將發(fā)生重大變化。

2023-11-25 標簽：DRAM 存儲芯片機器學習 1234 0

DRAM的范式轉變歷程

DRAM制造技術進入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過去五年了。過去五年，DRAM技術和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結和更新了DRAM的產(chǎn)品...

2023-11-25 標簽：芯片 DRAM 半導體制造 2201 0

DDR5實現(xiàn)大幅增長美光計劃明年初大量出貨HBM3E

預計2023年第4季度移動DRAM的合約價格將上漲13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合約價格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢預計...

2023-11-24 標簽：DRAM NAND HBM 1397 0

機構：未來四年HBM市場將飆升52%

omdia首席研究員Jung Sung-kong表示：“dram產(chǎn)業(yè)正在充分享受生成式AI帶來的好處。今后dram產(chǎn)業(yè)的地形圖將發(fā)生巨大變化。”在生成型...

2023-11-24 標簽：DRAM AI 機器學習 880 0

世界上首次商用D1Beta一代DRAM的誕生

Micron的D1B DRAM打破了0.4 Gb/mm2的密度壁壘，對提升電子設備性能至關重要，包括移動電話和其他邊緣設備。

2023-11-24 標簽：DRAM 電子設備 EUV 930 0

異質(zhì)集成時代半導體封裝技術的價值

隨著對高性能半導體需求的增加，半導體市場越來越重視“封裝工藝”的重要性。根據(jù)這一趨勢，SK海力士正在大規(guī)模生產(chǎn)基于HBM3（高帶寬存儲器3）的高級封裝產(chǎn)...

2023-11-23 標簽：DRAM 存儲器 SK海力士 1383 0

速度優(yōu)勢是HBM產(chǎn)品成功的關鍵

2023-11-29 標簽：DRAM 帶寬機器學習 703 0

3D時代值得關注的趨勢

2023-11-24 標簽：DRAM 晶體管場效應晶體管 731 0

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