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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇趨勢(shì)會(huì)在什么時(shí)候?
在本文中,我們將Mos Memory分為DRAM和NAND閃存,并嘗試從各公司的價(jià)格趨勢(shì)和銷售(份額)趨勢(shì)來(lái)預(yù)測(cè)全球市場(chǎng)何時(shí)完全復(fù)蘇。在這個(gè)過(guò)程中,筆者...
力積電2024年?duì)I收預(yù)期較去年增長(zhǎng),產(chǎn)能利用率有望提升至70%-75%?
力積電近期宣布了銅鑼新廠的進(jìn)展情況,截至目前已有80%的設(shè)備進(jìn)入并進(jìn)行調(diào)試,主要涉及55nm及40nm邏輯產(chǎn)品。同時(shí),公司對(duì)2023年資本投入計(jì)劃進(jìn)行了...
2024年半導(dǎo)體行業(yè)有望回暖,資本支出與產(chǎn)能利用率提升
TechInsights進(jìn)一步揭示,盡管2024年初的半導(dǎo)體機(jī)件訂單活動(dòng)和平靜無(wú)常,但由于存儲(chǔ)晶片銷售額的增加得以中和全線產(chǎn)品DAO銷售量的下滑,故存儲(chǔ)...
2024-01-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè) 1228 0
LLW DRAM:AI智能手機(jī)時(shí)代的財(cái)富密碼
LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存,擁有寬I/O、低延遲、每個(gè)模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬,與一個(gè)128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。
2024-01-17 標(biāo)簽:智能手機(jī)DRAM片上系統(tǒng) 862 0
AI算力驅(qū)動(dòng):HBM成為行業(yè)新寵
HBM(High Bandwidth Memory,高頻寬存儲(chǔ)器)是一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,通俗來(lái)講,就是先將很多DDR芯片堆疊在一起后,...
蘋果手表被曝將移除血氧傳感器技術(shù)以規(guī)避美國(guó)銷售禁令,消息稱SK海力士無(wú)錫工廠升級(jí)第四代DRAM
? 【華中科技大學(xué):研發(fā)自粘附壓力傳感器,用于水下目標(biāo)探測(cè)】 水下目標(biāo)探測(cè)是海洋技術(shù)領(lǐng)域的一個(gè)重要課題,涵蓋科學(xué)研究(例如海洋生物學(xué)和環(huán)境監(jiān)測(cè))、工業(yè)(...
SK海力士:挑戰(zhàn)美國(guó)限制,推進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)
無(wú)錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無(wú)錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體制造SK海力士 653 0
SK海力士計(jì)劃提升中國(guó)無(wú)錫工廠技術(shù)水平,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
隨著全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇,SK海力士認(rèn)識(shí)到,為了保持市場(chǎng)地位,推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。
2024-01-15 標(biāo)簽:DRAMSK海力士EUV光刻機(jī) 1733 0
半導(dǎo)體芯片研究:中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)概覽
DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計(jì)約占整體存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的97%;自2022年初起,下游需求市場(chǎng)的萎縮以及宏觀環(huán)境進(jìn)一步惡化導(dǎo)致存儲(chǔ)...
2024-01-14 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片 3228 0
SK海力士2024年第一季度將調(diào)整DRAM減產(chǎn)計(jì)劃
盡管在2023年面臨存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)下滑和價(jià)格下跌,SK海力士因應(yīng)人工智能芯片需求的增長(zhǎng),尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的激增,于去年12月成功超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星...
2024-01-12 標(biāo)簽:DRAM三星電子Nand flash 1033 0
近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
三星電子轉(zhuǎn)型之路:應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn),聚焦超級(jí)差距技術(shù)
三星電子現(xiàn)在的目標(biāo)是在新興的高密度存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域趕上競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,計(jì)劃到2024年將容量提高2.5倍。HBM是一種能夠更快地處理數(shù)據(jù)的先進(jìn)芯片,可與硬件配合使...
半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)詳細(xì)報(bào)告
2023年上半年全球半導(dǎo)體處于下行周期,但AIGC帶來(lái)的新一輪技術(shù)創(chuàng)新引發(fā)需求大幅提升,行業(yè)有望在2024年迎來(lái)上行周期。
南亞科存儲(chǔ)芯片營(yíng)收連續(xù)虧損,第四季度DRAM平均售價(jià)環(huán)比增長(zhǎng)
2024年,南亞科預(yù)披露將啟動(dòng)資本開(kāi)銷約200億元,有待董事會(huì)批準(zhǔn)。同時(shí)進(jìn)一步釋放消息,計(jì)劃2024年使用10nm第二代制程技術(shù)(1B)來(lái)生產(chǎn)8Gb D...
電子市場(chǎng)低迷!三星營(yíng)利暴跌85%?
1月9日消息,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子發(fā)布的財(cái)報(bào)指引顯示,該公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)連續(xù)第六個(gè)季度下滑,全年?duì)I利同比暴跌84.92%!這一現(xiàn)象反映出全球消費(fèi)電子產(chǎn)品需求...
郭魯正深信,生成式AI技術(shù)的廣泛應(yīng)用將使內(nèi)存的重要性日益凸顯,而消費(fèi)者對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的需求亦將更為多元化。據(jù)其闡述,SK海力士正致力于研發(fā)新平臺(tái),以便能滿足...
三星電子業(yè)績(jī)下滑:存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)復(fù)蘇速度低于預(yù)期
三星電子報(bào)告2023年第四季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)下降35%至2.8萬(wàn)億韓元(約合21.3億美元),而分析師平均預(yù)期為3.7萬(wàn)億韓元;營(yíng)業(yè)收入同比下降4.9%至...
三星今年或?qū)⒋罅ν七M(jìn)先進(jìn)DRAM生產(chǎn)
消息透露,自2023年末起,存儲(chǔ)芯片價(jià)格逐漸上漲;盡管整個(gè)行業(yè)陷入衰退期,受服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用拉動(dòng),先進(jìn)DRAM芯片需求依然穩(wěn)健。而在另一方面,NAN...
2024-01-09 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)中心NAND閃存 1182 0
工業(yè)商數(shù)為基于AI的工業(yè)自動(dòng)化提供關(guān)鍵支持
如今,全球物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備已超過(guò) 150 億臺(tái),預(yù)計(jì)到 2030 年,這一數(shù)字將超過(guò) 290 億。這些能處理海量數(shù)據(jù)的大型機(jī)器正在改變工業(yè)市場(chǎng),...
2024-01-09 標(biāo)簽:傳感器DRAM物聯(lián)網(wǎng) 996 0
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