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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
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DRAM 仍然是任何這些架構中的重要組成部分,盡管多年來一直在努力用更快、更便宜或更通用的內存取代它,甚至將其嵌入到 SoC 中。
三管MOS DRAM基本單元電路原理 單管MOS動態RAM基本單元電路原理
如果需要讀出數據,首先需要給T4加上一個預充電信號,然后VDD給讀數據線充電,代表需要讀出的數據是“1”,進行讀出時,讀選擇線是高電平。此時,如果原...
磁性隧道結(MTJ)通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽(MgO 或Al2O3)層組成的,它可以實現雙穩態隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...
兩種最常見的商業存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續供電來維持其信息。閃存是非易失性的,對于長期大容量存儲來說足夠穩定,但速度不是特別快...
可通過去除電容外部雜質硼和氫,減少電容器形成后的熱量預算,消除泄漏電流的退化,而不改變電容器的結構或材料。
高速串口不需要時鐘信號來同步數據流,也就沒有時鐘周期性的邊沿,頻譜不會集中,所以噪聲干擾少很多。
薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化,厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸(Critical Dimensions:CD)。
為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。
在將晶圓制成半導體的過程中需要采用數百項工程。其中,一項最重要的工藝是蝕刻(Etch)——即,在晶圓上刻畫精細電路圖案。蝕刻(Etch)工程的成功取決于...
全面介紹新型存儲技術:PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應的技術,MRAM的產品主要適用于容量要求低的特殊應用領域以及新興的IoT嵌入式存儲領域,該技術擁有讀寫次數無限、寫入速度快...
2023-01-07 標簽:DRAM存儲器Nand flash 6692 0
我們不斷向先進的CMOS的微縮和新存儲技術的轉型,導致半導體器件結構的日益復雜化。例如,在3D NAND內存中,容量的擴展通過垂直堆棧層數的增加來實現,...
DRAM :動態隨機存儲器,必須不斷的重新的加強 (REFRESHED) 電位差量,否則電位差將降低至無法有足夠的能量表現每一個記憶單位處于何種狀態。
美光公司預測的第四季度財報銷售業績(至8月底)為-21%。美光預計將于2022年9月29日公布其第四季度和全年銷售業績。他們的業績可能會為行業其它公司今...
2022-12-19 標簽:DRAM 388 0
在FPGA上對傳統內存進行基準測試。先前的工作[20],[22],[23],[47]試圖通過使用高級語言(例如OpenCL)在FPGA上對傳統存儲器(例...
數據庫性能翻3倍:虹科Redis企業版軟件的RoF技術是如何做到的?
虹科云科技,企業級云科技方案的引領者 Redis on flash簡介 Redis on Flash (RoF)是Redis的分層存儲技術,即將數據存放...
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