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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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NVDIMM的幾種實(shí)現(xiàn)方式, NVDIMM-P的性能所做的硬件上的優(yōu)化和支持
這是一個(gè)目前還沒有發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn) (Under Development)。預(yù)計(jì)將與DDR5 標(biāo)準(zhǔn)一同發(fā)布。按照計(jì)劃,DDR5將比DDR4提供雙倍的帶寬,并提...
如何將Flash中的程序轉(zhuǎn)移到RAM中運(yùn)行
對于獨(dú)立的嵌入式系統(tǒng),需要把程序存入non-volitale存儲單元中,常用的也就是flash。但是程序在flash中運(yùn)行相對在RAM中行,速度會變慢很...
非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字...
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Sy...
盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來,但在這競爭激烈的市場,只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而,無論哪一個(gè)技術(shù)勝出,這些新型非易失性技...
如何使用Xilinx SDK啟動(dòng)電路板及利用Zynq DRAM進(jìn)行測試
在本視頻中,我們將學(xué)習(xí)如何使用Xilinx SDK啟動(dòng)電路板,利用每個(gè)驅(qū)動(dòng)程序提供的應(yīng)用示例并測試各種外設(shè)。 我們將詳細(xì)介紹Zynq DRAM測試,并...
索尼近期傳出了申請新型控制器的專利,專利名為「Controller having lights disposed along a loop of the...
持久性內(nèi)存為DRAM和SSD之間的內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)添加了一個(gè)全新的內(nèi)存層。
你還在為存儲煩惱?英特爾數(shù)據(jù)存儲的解決方案詳細(xì)資料概述
人工智能(AI)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)…….這些技術(shù),相信混科技圈的你必然不會陌生;數(shù)據(jù)洪流、存儲策略、解決方案……最近是不是頻繁被業(yè)界提及?
2018-10-03 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)存儲HDD 4185 0
DRAM實(shí)現(xiàn)市場最大增長,無線連接等技術(shù)大有可為
2018年McClean報(bào)告的年中更新中,IC Insights更新了WSTS定義的33個(gè)主要IC產(chǎn)品類別中每個(gè)類別的銷售增長預(yù)測(圖1)。IC Ins...
這篇文章聊一聊輸入輸出(IO)中的輸出。大家都知道IO是芯片跟系統(tǒng)交互的直接路徑,IO做的好與壞系統(tǒng)很容易就能檢測出來。
在現(xiàn)代雷達(dá)系統(tǒng)中,含DSP電路板應(yīng)用很廣,含DSP電路板通常是以某種DSP芯片為核心,外圍配以雙口RAM(DRAM)和閃存(Flash)等器件。DSP芯...
2018年半導(dǎo)體資本支出的數(shù)據(jù)手冊存儲器IC占總數(shù)的53%
ICInsights預(yù)測,今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元,這是該行業(yè)在一年中首次在資本支出上花費(fèi)超過1000億美元。這一1020億美元的支出...
在嵌入式系統(tǒng)中如何利用CPLD技術(shù)來更加方便的使用DRAM?
DRAM控制器由80C186XL狀態(tài)信號S2、S1和S0的解碼來檢測總線的開始、類型和結(jié)束。這些狀態(tài)線是在CLKOUT的上升沿開始有效,在CLKOUT的...
動(dòng)態(tài)時(shí)鐘停止重啟太快,可通過編程LPDDR2控制器解決
在沒有內(nèi)存事務(wù)處理執(zhí)行以及如果接收到內(nèi)存請求重啟時(shí)鐘時(shí),用戶可通過編程 LPDDR2 控制器來停止 DRAM 時(shí)鐘。
閃存芯片陣列+計(jì)算加速器,在個(gè)人電腦達(dá)到服務(wù)器級性能
最近,麻省理工學(xué)院計(jì)算機(jī)科學(xué)與人工智能實(shí)驗(yàn)室(CSAIL)的研究人員設(shè)計(jì)出一種設(shè)備,使用廉價(jià)的閃存(智能手機(jī)中使用的那種),僅使用一臺個(gè)人電腦就能處理大...
DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲器分析
存儲器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如...
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