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      標(biāo)簽　>　cmos

      cmos

      cmos

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      CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

      文章：2467個(gè) 瀏覽：238119次 帖子：731個(gè)

      cmos資訊

      Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)成果通過了鑒定

      目前用于射頻芯片的40nm和28nmCMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，...

      2020-09-02 標(biāo)簽：CMOS相控陣毫米波技術(shù) 5117 0

      MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系

      CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌...

      2020-09-01 標(biāo)簽：CMOSmems蝕刻 4176 0

      日本Brookman基于其CMOS飛行時(shí)間傳感器BT008D擴(kuò)充了ToF產(chǎn)品組合

      BT008D是一款基于短脈沖調(diào)制（SPM）間接飛行時(shí)間（iToF）傳感技術(shù)的CMOS ToF深度圖像傳感器。其大約80000個(gè)有效像素測(cè)量點(diǎn)有利于快速后...

      2020-09-01 標(biāo)簽：傳感器CMOS圖像傳感器 3162 0

      成像領(lǐng)域?qū)＜议_發(fā)用于光學(xué)天文學(xué)和醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域的超低噪聲CMOS圖像傳感器

      該項(xiàng)目通過拼接CMOS技術(shù)進(jìn)行大面積成像，并充分利用vivaMOS傳感器的低噪聲和高靈敏度性能。這將有助于開發(fā)用于光學(xué)天文學(xué)的大視場(chǎng)攝像機(jī)，并為單光子發(fā)...

      2020-09-01 標(biāo)簽：CMOS圖像傳感器醫(yī)學(xué)成像 3546 0

      東南大學(xué)在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破

      在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“...

      2020-08-31 標(biāo)簽：芯片CMOS毫米波 4166 0

      洛微科技宣布獲得數(shù)千萬元天使輪融資

      在激光雷達(dá)領(lǐng)域，固態(tài)化是實(shí)現(xiàn)激光雷達(dá)規(guī)模化普及的業(yè)內(nèi)公認(rèn)的產(chǎn)品方案，其中包括Flash、MEMS、OPA等主流固態(tài)技術(shù)。其中Flash探測(cè)距離較短，難以...

      2020-08-31 標(biāo)簽：傳感器CMOS自動(dòng)駕駛 2582 0

      一款基于標(biāo)準(zhǔn)28nm CMOS工藝集成的60GHz毫米波運(yùn)動(dòng)檢測(cè)雷達(dá)

      這款傳感器的功耗僅為62mW，顯著低于該頻率范圍內(nèi)的其它先進(jìn)雷達(dá)。僅1μs的快速啟動(dòng)時(shí)間支持激進(jìn)的占空比，進(jìn)一步降低了系統(tǒng)功耗。其尺寸為4.15mm2的...

      2020-08-31 標(biāo)簽：CMOS檢測(cè)雷達(dá)毫米波 4273 0

      思特威科技全新推出了兩款CMOS圖像傳感器產(chǎn)品

      在安全化和智能化的雙重驅(qū)動(dòng)下，車載先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）對(duì)于圖像傳感器的成像性能要求越來越高。作為智能汽車的“眼睛”，CMOS圖像傳感器需要在不斷...

      2020-08-31 標(biāo)簽：CMOS圖像傳感器智能汽車 2947 0

      富士通微電子宣布將開發(fā)具有高擊穿電壓CMOS高壓晶體管

      富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通實(shí)驗(yàn)室和富士通株式會(huì)社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯（1）制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無...

      2020-08-30 標(biāo)簽：CMOS放大器晶體管 816 0

      CMOS片上光電互連速度突破2Tb/s！

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      英特爾/ Ayar項(xiàng)目尚未實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，但確實(shí)朝著這些目標(biāo)邁出了重要一步。在2020年光纖會(huì)議（OFC）上的線上演示中，Ayar展示了其TeraPHY光...

      2020-08-27 標(biāo)簽：處理器CMOS英特爾 2515 0

      單元素二維半導(dǎo)體材料及應(yīng)用專刊

      單元素二維半導(dǎo)體材料及應(yīng)用專刊

      二維(2D)材料是具有原子厚度的片狀材料，因其電子限域效應(yīng)而具有獨(dú)特的電子、光學(xué)和機(jī)械等特性，在新一代智能電子、光電子及儲(chǔ)能器件等領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景。

      2020-08-27 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體材料納米器件 6030 0

      臺(tái)積電推出最新先進(jìn)的邏輯制程CMOS影像感測(cè)器

      值得一提的是，除了先進(jìn)的邏輯制程，臺(tái)積電還擁有完整的特殊制程技術(shù)，包括MEMS、CMOS影像感測(cè)器、Non-Volatile Memory （NVM）、...

      2020-08-25 標(biāo)簽：CMOS射頻感測(cè)器 2078 0

      CMOS電流隔離器用于醫(yī)療行業(yè)相關(guān)設(shè)備可大幅降低其故障率

      與光耦合器不同，CMOS隔離器在性能，可靠性，操作穩(wěn)定性，功耗節(jié)省和功能集成方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。CMOS隔離器的工作速率為DC至150Mbps，占用的空間...

      2020-08-24 標(biāo)簽：CMOS物聯(lián)網(wǎng)隔離器 2211 0

      基于2600系列的IDDQ測(cè)試過程與功能實(shí)現(xiàn)

      基于2600系列的IDDQ測(cè)試過程與功能實(shí)現(xiàn)

      此測(cè)試涉及在輸入端處于VDD或VSS并且輸出端未連接時(shí)，測(cè)量CMOS IC的VDD電源耗電流。圖1是一個(gè)CMOS反相器的測(cè)試設(shè)置框圖。在這個(gè)例子中，26...

      2020-08-22 標(biāo)簽：電源cmosic 1562 0

      MOSFET柵漏電流噪聲特性、模型的特性和局限性研究分析

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      CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì)，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對(duì)于常規(guī)體MOSFET，當(dāng)氧化層厚度＜2 nm時(shí)，大量載流子以不同機(jī)...

      2020-08-20 標(biāo)簽：cmos電流mosfet 4644 0

      中芯國際將開發(fā)下一代CMOS邏輯工藝

      此項(xiàng)目是集成電路制造企業(yè)與國際業(yè)界公司、研究機(jī)構(gòu)合作模式上的重大突破，充分整合了國際產(chǎn)業(yè)鏈的上下游公司、國際尖端研發(fā)力量等優(yōu)勢(shì)資源。以企業(yè)為主導(dǎo)創(chuàng)新，可...

      2020-08-19 標(biāo)簽：集成電路CMOS半導(dǎo)體 1190 0

      日本新瀉（Niigata）的 5/6 英寸混合制造設(shè)施可支持模擬 CMOS工藝

      新瀉 5/6 英寸制造設(shè)施是 2011 年收購日本三洋公司而獲得，認(rèn)設(shè)施通過了 IATF 16949 車規(guī)認(rèn)證。現(xiàn)在晶圓制造廠獲得車規(guī)認(rèn)證頗為不易，也許...

      2020-08-15 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體晶圓 2305 0

      數(shù)模混合電路設(shè)計(jì)中的難點(diǎn)

      數(shù)模混合電路設(shè)計(jì)中的難點(diǎn)

      在數(shù)模混合電路設(shè)計(jì)當(dāng)中，干擾源、干擾對(duì)象和干擾途徑的辨別是分析數(shù)模混合設(shè)計(jì)干擾的基礎(chǔ)。通常的電路中，模擬信號(hào)上由于存在隨時(shí)間變化的連續(xù)變化的電壓和電流有...

      2020-08-13 標(biāo)簽：CMOS數(shù)字信號(hào)數(shù)模混合電路 4013 0

      基于LTC2320 SAR ADC 系列的評(píng)估電路板 DC2395A

      LTC2320-16 是一個(gè) 16 位、14 位和 12 位 SAR ADC 系列的首款器件，提供了單通道、雙通道、4 通道和 8 通道版本，采樣率可高...

      2020-08-20 標(biāo)簽：CMOS寄存器adc 1158 0

      什么是MOS管？MOS管損壞的原因有哪些

      什么是MOS管？它有什么特點(diǎn)？在常見的控制器電路中，MOS管有幾個(gè)工作狀態(tài)，而MOS 主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，本文就來探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。...

      2020-08-09 標(biāo)簽：CMOS控制器MOS 6870 0

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        貿(mào)澤電子是一家全球知名的半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商，分銷1100多家品牌制造商的產(chǎn)品。貿(mào)澤電子專注于快速引入新產(chǎn)品和新技術(shù)，為設(shè)計(jì)工程師和采購人員提供引領(lǐng)潮流的選擇。
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