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cmos技術(shù)技術(shù)

CMOS工藝技術(shù)的概念、發(fā)展歷程、優(yōu)點以及應(yīng)用場景介紹

CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝技術(shù)是當今集成電路制造的主流技術(shù)，...

2024-03-12 標簽：集成電路半導(dǎo)體晶體管 1.1萬 0

科普一下先進工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識

泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，le...

2023-07-12 標簽：晶體管 NPN晶體管 FinFET 9276 0

cmos技術(shù)方案在設(shè)備視覺上的應(yīng)用

CMOS 成像傳感器采用全球快門技術(shù)，令成像器可捕捉到在快速動態(tài)場景中的圖像，不致令圖像模糊或彎曲。

2017-11-18 標簽：安森美 cmos技術(shù) 7713 0

低噪聲放大器的寬帶匹配技術(shù)介紹

低噪聲放大器（LNA）在多種接收機結(jié)構(gòu)中都作為接收機第一級有源器件，承擔接收機的低噪聲下“放大”功能，在抑制噪聲干擾的同時提高了輸入信號的功率，并將信號...

2023-07-06 標簽：接收機 MOS管混頻器 6305 0

PCBA中的地彈是什么？如何減少PCB組裝中的地彈？

接地反彈是PCB組件中的噪聲源。重要的是要防止這種情況，因為它會中斷高速或高頻操作。接地反彈的主要原因是電路上不同點的接地電位差。

2023-09-28 標簽：電容器晶體管 PCB組裝 5684 0

cmos動態(tài)功耗公式，cmos動態(tài)功耗和哪些電路參數(shù)有關(guān)

CMOS器件是一種采用CMOS技術(shù)制造的電子器件，具有低功耗、耐電磁干擾、高噪聲免疫性等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子領(lǐng)域。本文將介紹cmos動態(tài)功耗公式以...

2023-07-21 標簽：電子器件 CMOS技術(shù)CMOS器件 4938 0

光電子應(yīng)用推動砷化鎵晶圓和外延片市場進入新時代

在GaAs射頻市場獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星據(jù)麥姆斯咨詢介紹，作為最成熟的化合物半導(dǎo)體之一，GaAs無處不在，儼然成為每部智...

2018-09-04 標簽：光電子 gaas 外延片 4560 0

CMOS技術(shù)的圖像傳感器，對高性能、高分辨率成像的要求有哪些？

如今，成像推動了工業(yè)應(yīng)用的生產(chǎn)力效益，從交通監(jiān)控、車牌識別，到條形碼掃描、機器人引導(dǎo)、機器視覺等等。盡管每種應(yīng)用都有其獨特的需求（一些需要高幀速率，另一...

2018-09-30 標簽：圖像傳感器安森美半導(dǎo)體 cmos技術(shù) 3810 0

寄存器門電路原理分析

當前行業(yè)內(nèi)CMOS寄存器電路設(shè)計往往采用主從鎖存器設(shè)計的結(jié)構(gòu)，這與傳統(tǒng)“數(shù)字電路設(shè)計”課程上學到的D觸發(fā)器電路結(jié)構(gòu)基本一致，而鎖存器部分，則采用了傳輸門...

2023-07-13 標簽：寄存器 SoC設(shè)計鎖存器 3771 0

背照式雙雪崩區(qū)單光子雪崩二極管（SPAD）介紹

單光子雪崩二極管（SPAD）的關(guān)鍵特征是能夠探測單個光子并提供數(shù)字信號輸出。

2023-11-21 標簽：探測器圖像傳感器雪崩二極管 3249 0

偏振集成紅外光電探測器研究進展與應(yīng)用

偏振集成探測器具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊，并且無需圖像配準對動態(tài)目標同時同地同源探測與識別的優(yōu)勢。

2023-08-15 標簽：探測器紅外傳感器光刻機 3126 0

STM32 FSMC操作SRAM的步驟簡析

本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution,...

2023-07-22 標簽：控制器 STM32 CMOS技術(shù) 2516 0

碳化硅CMOS技術(shù)在深紫外或高溫環(huán)境中應(yīng)用的潛力

紫外（UV）光譜可分為UV-A（315~400?nm）、UV-B（280~315?nm）和UV-C（200~280?nm）頻段。由于敏感光譜帶寬很寬，因...

2022-11-03 標簽：帶寬碳化硅 CMOS技術(shù) 2436 0

基于二極管橋的差分電容讀出電路分析

本文對基于二極管橋的差分電容讀出電路進行了全面的理論分析。基于理論模型，給出了電路參數(shù)與讀出電路的幅頻和相頻響應(yīng)之間關(guān)系的數(shù)值模擬。

2023-10-17 標簽：二極管差分電容跨阻放大器 2139 0

寄存器的時序要求有哪些？

對于下面這個傳輸門來說，只有當CLK為高電平，即傳輸門打開時，輸入端I的電平才會被傳輸?shù)捷敵龆薕，這是一個正常的傳輸過程。

2023-07-13 標簽：寄存器變換器 VDD 2029 0

微流控芯片+光學時域拉伸成像系統(tǒng)實現(xiàn)高通量細胞成像

成像流式細胞儀（IFC）是一種極為強大的工具，可應(yīng)用于微生物學、免疫學、病毒學、癌癥生物學、干細胞生物學和代謝工程等多個領(lǐng)域。

2023-09-19 標簽：CCD 微流控芯片 CMOS技術(shù) 1693 0

數(shù)字后端基本概念介紹—FinFET Grid

今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一種設(shè)計格點。介紹該格點前，我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)。

2023-07-12 標簽：CMOS技術(shù)場效晶體管 FinFET技術(shù) 1607 0

探討光纖中的集成光學與離散光學

光纖集成光學和離散光學有望成為光子學集成的一個新分支。這種集成技術(shù)可以通過離散的方法方便地在一根光纖中控制和操縱光波，也為集成光學與離散光學的研究提供了...

2023-03-22 標簽：光纖通信光通信光學器件 1569 0

下一代硅光子技術(shù)會是什么樣子

摘要在光通信發(fā)展的推動下，硅光子技術(shù)已發(fā)展成為主流技術(shù)。目前的技術(shù)已經(jīng)使得集成光子器件從數(shù)千個激增到數(shù)百萬個，它們主要以數(shù)據(jù)中心通信收發(fā)器的形式出現(xiàn)，...

2023-06-14 標簽：收發(fā)器硅光子技術(shù)CMOS技術(shù) 1449 0

ADC模擬電路皇冠上的明珠（2）

隨著無線通信向高速、寬帶方向發(fā)展，對于無線信號接收機提出了越來越高的要求。

2023-07-03 標簽：接收機無線通信寄生電容 1389 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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