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cmos動(dòng)態(tài)功耗公式,cmos動(dòng)態(tài)功耗和哪些電路參數(shù)有關(guān)

科技觀察員 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2023-07-21 15:55 ? 次閱讀

CMOS器件是一種采用CMOS技術(shù)制造的電子器件,具有低功耗、耐電磁干擾、高噪聲免疫性等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子領(lǐng)域。本文將介紹cmos動(dòng)態(tài)功耗公式以及和cmos動(dòng)態(tài)功耗有關(guān)的電路參數(shù)。

cmos動(dòng)態(tài)功耗公式

動(dòng)態(tài)功耗包括:開關(guān)功耗或稱為反轉(zhuǎn)功耗、短路功耗或者稱為內(nèi)部功耗;

開關(guān)功耗:電路在開關(guān)過程中對(duì)輸出節(jié)點(diǎn)的負(fù)載電容充放電所消耗的功耗。比如對(duì)于下面的CMOS非門中:

當(dāng)Vin=0時(shí),PMOS管導(dǎo)通,NMOS管截止;VDD對(duì)負(fù)載電容進(jìn)行充電;

當(dāng)Vin=1時(shí),PMOS管截止,NMOS管導(dǎo)通;VDD對(duì)負(fù)載電容進(jìn)行放電;

wKgZomS6Oc2Ad0k_AABciRD0J18064.png

這樣開關(guān)的變化,電源的充放電,形成了開關(guān)功耗,開關(guān)功耗的計(jì)算公式如下:

wKgZomS6OcmAb-GnAAAt6DLt7KQ310.png

在上式中,VDD為供電電壓,Cload為后級(jí)電路等效的電容負(fù)載大小,Tr為輸入信號(hào)的翻轉(zhuǎn)率;

cmos動(dòng)態(tài)功耗和哪些電路參數(shù)有關(guān)

CMOS的動(dòng)態(tài)功耗和電路的開關(guān)電流和短路電流有關(guān)。

CMOS使用注意事項(xiàng):

1、COMS電路時(shí)電壓控制器件,它的輸入總抗很大,對(duì)干擾信號(hào)的捕捉能力很強(qiáng)。所以,不用的管腳不要懸空,要接上拉電阻或者下拉電阻,給它一個(gè)恒定的電平。

2、輸入端接低內(nèi)組的信號(hào)源時(shí),要在輸入端和信號(hào)源之間要串聯(lián)限流電阻,使輸入的電流限制在1mA之內(nèi)。

3、當(dāng)接長信號(hào)傳輸線時(shí),在COMS電路端接匹配電阻。

4、當(dāng)輸入端接大電容時(shí),應(yīng)該在輸入端和電容間接保護(hù)電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。

5、COMS的輸入電流超過1mA,就有可能燒壞COMS。

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