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標簽 > MOSFET
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統上應用于諸如微處理器、微控制器等數位信號處理的場合上,也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現。
TPS2058A 4 通道、0.25A 負載、2.7-5.5V、80mΩ USB 電源開關、高電平有效數據手冊
這些器件集成了 80m N 溝道 MOSFET 高側電源開關,適用于需要在單個封裝中集成多個電源開關的配電系統。每個開關都由一個獨立的邏輯使能輸入控制。...
TPS2044B 4通道、0.5A負載、2.7-5.5V、70mΩ USB電源開關數據手冊
TPS20xxB 配電開關適用于可能遇到重電容負載和短路的應用。這些器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關,適用于需要在單個封裝中集成多...
TPS2041B 0.5A 負載、±25% ILIMIT 精度、2.7-5.5V、70mΩ USB 電源開關數據手冊
TPS20xxB 配電開關適用于可能遇到重電容負載和短路的應用。這些器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關,適用于需要在單個封裝中集成多...
TPS2066 2 通道、1A 負載、1.5A ILIMIT、2.7-5.5V、70mΩ USB 電源開關、高電平有效數據手冊
TPS206x 配電開關適用于可能遇到重電容負載和短路的應用。該器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關,適用于需要在單個封裝中集成多個功...
TPS2062 2通道、1A負載、1.5A ILIMIT、2.7-5.5V、70mΩ USB電源開關、低電平有效數據手冊
TPS206x 配電開關適用于可能遇到重電容負載和短路的應用。該器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關,適用于需要在單個封裝中集成多個功...
TPS2053B 3 通道、0.5A 負載、2.7-5.5V、70mΩ USB 電源開關、高電平有效數據手冊
TPS20xxB 配電開關適用于可能遇到重電容負載和短路的應用。這些器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關,適用于需要在單個封裝中集成多...
TPS2054B 4 通道、0.5A 負載、2.7-5.5V、70mΩ USB 電源開關、高電平有效數據手冊
TPS20xxB 配電開關適用于可能遇到重電容負載和短路的應用。這些器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關,適用于需要在單個封裝中集成多...
TPS2051B 0.5A 負載,2.7-5.5V,70mΩ USB 電源開關數據手冊
TPS20xxB 配電開關適用于可能遇到重電容負載和短路的應用。這些器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關,適用于需要在單個封裝中集成多...
類別:IC datasheet pdf 2025-05-23 標簽:MOSFET場效應晶體管p溝道 84 0
AET3152AP P溝道高級模式MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-22 標簽:MOSFETp溝道 14 0
ZSKY-ZS7N65A N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標簽:MOSFETN溝道 22 0
ZSKYN- 120N06D- TO252-2L N溝道增強型MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標簽:MOSFETN溝道 49 0
新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品
新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOS...
近日,某全球知名基礎設施解決方案服務商專家團隊一行蒞臨我司參觀交流。此次到訪聚焦于關鍵電源保障、智能制造等方向,雙方圍繞行業發展趨勢、產品應用落地及合作...
Nexperia MLPAK33封裝60V MOSFET助力優化電源開關性能
在挑選MOSFET時,大多數工程師首先關注的一個參數便是RDS(on)值。然而,面對消費電子、計算、移動設備乃至工業子系統的大批量需求,設計工程師對產品...
一款功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成H橋電路驅動芯片-SS6952T
電機驅動芯片 - SS6952T為電機一體化應用提供一種大電流單通道集成電機驅動方案。SS6952T有一路H橋驅動,可提供較大峰值電流7A,可驅動一個刷...
此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車電子創新大會(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這場盛會聚焦汽車電子產業的前沿技術與發展趨勢,匯聚了眾...
為何必須通過TDDB(時間相關介質擊穿)方法檢驗國產SiC MOSFET的柵氧可靠性水平
在充電樁、車載充電機(OBC)、汽車空調、光伏逆變器及逆變焊機等應用中,部分國產碳化硅(SiC)MOSFET因柵氧可靠性問題頻繁爆雷,其根源在于柵氧化層...
老舊MPPT設計中+15V驅動下的部分國產SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患
以下是對部分國產SiC碳化硅MOSFET因一味滿足老舊光伏逆變器MPPT設計中+15V驅動電壓需求而引發柵氧可靠性隱患的深度分析。
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