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3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。

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3d nand技術(shù)

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導電材料，它們在每個...

2024-03-20 標簽：刻蝕 3d nand 1729 0

3D NAND的主要制作流程

SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同，膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實際有64，128，400層等層數(shù)。

2024-03-19 標簽：3d nand 芯片制程 1636 0

關(guān)于半導體價值鏈分析（設(shè)計、制造和后制造）

半導體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠端制程。

2024-02-19 標簽：DRAM NAND 半導體制造 1948 0

3D NAND層數(shù)“爭霸賽”，300層雖遲但到

眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤...

2023-08-30 標簽：閃存數(shù)據(jù)傳輸固態(tài)硬盤 778 0

什么是硅或TSV通路？使用TSV的應用和優(yōu)勢

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導體器件的微型化也越來越依賴于集成T...

2023-07-25 標簽：存儲器 TSV 3d nand 968 0

存儲芯片是什么存儲芯片的分類及發(fā)展歷史

存儲芯片是半導體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品，我們?nèi)粘Ｋ械碾娮釉O(shè)備基本都會用到存儲器。據(jù)WSTS預測，2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達到1675億美元，...

2023-07-07 標簽：fpga asic 存儲芯片 1.6萬 0

典型3D NAND閃存結(jié)構(gòu)技術(shù)分析

這種存儲技術(shù)的成功與其不斷擴展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。大約每兩年，NAND 閃存行業(yè)就會顯著提高位存儲密度，以...

2023-06-27 標簽：存儲器 3d nand 隨機存取存儲器 2579 0

高端性能封裝平臺的主要技術(shù)趨勢解析

3D 堆棧存儲器——HBM、3DS 和 3D NAND——是最大的貢獻者，到 2028 年占總市場份額的 70% 以上。增長最快的四大 =平臺是 3D ...

2023-06-16 標簽：存儲器封裝技術(shù)3d nand 790 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...

2023-06-15 標簽：NAND 存儲芯片蝕刻技術(shù) 2641 0

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...

2023-05-30 標簽：晶體管蝕刻工藝 3d nand 2174 0

存儲芯片將走向何方？存儲芯片的分類

應用了閃存堆疊技術(shù)的3D NAND Flash的出現(xiàn)，比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲空間，滿足了業(yè)界日益增長的存儲需求，因而成為主流。

2023-04-10 標簽：NAND 存儲芯片 3d nand 2027 0

研華提供最新存儲和內(nèi)存全面解決方案！

數(shù)據(jù)安全是研華解決方案的核心。研華SQFlash系列提供全方位保護，包括數(shù)據(jù)加密（TCG-OPAL、FIPS）、數(shù)據(jù)安全擦除和異常斷電保護。

2022-09-02 標簽：閃存技術(shù)3d nand 智慧交通 2159 0

3D NAND的層是否數(shù)物理限制？

美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D ...

2022-08-29 標簽：NAND 3d nand 706 0

高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖

探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案

2022-01-10 標簽：存儲器 EUV 3d nand 3035 0

pSLC帶來的“新”存儲容量偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟性

（作者：Swissbit AG 存儲解決方案總經(jīng)理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲密度又達到新高的各種新...

2021-11-16 標簽：閃存 NAND 存儲 1.9萬 0

深入解析泛林集團Striker ICEFill電介質(zhì)填充技術(shù)

沉積技術(shù)是推進存儲器件進步的關(guān)鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現(xiàn)，現(xiàn)有填充方法的局限性已開始凸顯。

2021-02-22 標簽：DRAM 3d nand 存儲器件 2256 0

探討半導體制造原子層刻蝕與沉積工藝的自限性反應

原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應，提供原子級控制。泛林集團先進技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽博士分享了他對這個話題的看法。技術(shù)節(jié)點的每次進步都要求...

2021-02-08 標簽：半導體行業(yè)3d nand 8477 0

原子級工藝實現(xiàn)納米級圖形結(jié)構(gòu)的要求

技術(shù)節(jié)點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現(xiàn)在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個硅原子稍大一點。半導體制造已經(jīng)跨越了從納...

2020-06-02 標簽：制造工藝 EUV 3d nand 2592 0

市場對于3D NAND的需求有多大?140層3D NAND層數(shù)還會遠嗎?

而且在堆疊層數(shù)增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，4...

2018-06-03 標簽：東芝閃存芯片 3D NAND 6014 0

一文讀懂3D NAND存儲器進化史

通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進一步成熟。

2018-04-16 標簽：存儲器 3D NAND 1.3萬 0

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