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標簽 > 驅動電壓
驅動電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。
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碳化硅MOS驅動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設計中的關鍵權衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統可靠性有顯著影響。
UCC27200-Q1 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車類 3A、120V 半橋柵極驅動器數據手冊
UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅動器包括一個 120V 自舉二極管以及具有獨立輸入的高側和低側驅動器，可實現最大的控制靈活性。這...
UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅動器數據手冊
UCC27611 是一款針對 5V 驅動優化的單通道高速柵極驅動器，專門針對增強型 GaN FET 進行尋址。驅動電壓 VREF 由內部線性穩壓器精確控...
TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅動器數據手冊
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 T...
TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅動器數據手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括 ...
TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅動器數據手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括 ...
LP395 是一款具有完全過載保護的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。...
TPS2330 具有低電平有效使能功能的 3V 至 13V 熱插拔控制器數據手冊
TPS2330/31 器件具有欠壓鎖定 （UVLO） 和電源正常 （PG） 功能 報告以確保設備在啟動時處于關閉狀態并確認輸出電壓的狀態 運行期間的導軌...
TPSI3050-Q1 具有集成 10V 柵極電源的汽車增強型隔離式開關驅動器數據手冊
TPSI3050-Q1 是一款完全集成的隔離式開關驅動器，與外部電源開關結合使用時，可形成完整的隔離式固態繼電器 （SSR）。憑借 10V 的標稱柵極驅...
TPSI3050 具有集成 10V 柵極電源的隔離式開關驅動器數據手冊
TPSI3050 是一款完全集成的隔離式開關驅動器，與外部電源開關結合使用時，可形成完整的隔離式固態繼電器 （SSR）。憑借 10V 的標稱柵極驅動電壓...
TPSI31P1-Q1 具有 17V 隔離式柵極驅動器和偏置電源的汽車級有源預充電控制器數據手冊
TPSI31P1-Q1 設計用于汽車預充電系統，作為傳統無源預充電架構的替代方案，傳統無源預充電架構通常包括昂貴的機電繼電器 （EMR） 以及笨重的高功...
TPS51275C 具有 VREG5 常開 LDO 的 5.5V 至 24V 雙通道同步降壓控制器數據手冊
TPS51275、TPS51275B 和 TPS51275C 是高性價比的雙同步降壓控制器，適用于筆記本電腦系統電源解決方案。它提供 5V 和 3.3V...
TPS51285A 具有 3.2ms 軟啟動的 5V 至 24V、雙同步降壓控制器數據手冊
TPS51285A 和 TPS51285B 是具有 5 V 和 3.3 V LDO 的高性價比雙同步降壓控制器，適用于筆記本電腦系統電源解決方案。該器件...
UCD7242-EP 數字雙通道同步降壓型電源驅動器數據手冊
UCD7242 是一個完整的電源系統，可隨時驅動兩個獨立的降壓電源。高壓側 MOSFET、低壓側 MOSFET、驅動器、電流感應電路和 必要的保護功能全...
冷光片，也稱為電致發光片（Electroluminescent Panel，簡稱EL Panel），是一種利用電場激發熒光材料發光的顯示技術。它具有薄型...
電源占空比對驅動電壓的影響是一個復雜的電子技術問題，涉及到許多電子元件和電路設計的原理。 電源占空比的定義和作用 電源占空比是指在一定時間內，電源輸出的...
IGBT焊機驅動電壓的測量是一個專業且復雜的技術問題，涉及到電子電路、測量技術、焊接工藝等多個方面。 一、IGBT焊機概述 IGBT（Insulated...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）驅動波形是電力電子技術中非常重要的一個方面，它直接影響到IGBT的開關速度、損耗、可靠性等性能指標。在本文中，我們將介紹IG...
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導體器件，廣泛應用于電力電子領域。IGBT...
可能會出現尖峰和低峰現象。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和B...
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