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標(biāo)簽 > 靜電放電
靜電放電(Electrostatic Discharge)是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。
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TDK株式會(huì)社推出用于汽車的兩款A(yù)VRH壓敏電阻系列新產(chǎn)品
TDK株式會(huì)社(TSE:6762)推出用于汽車的兩款A(yù)VRH壓敏電阻系列新產(chǎn)品。此兩款新品均具備較高的靜電放電(ESD)抗擾度,進(jìn)而確保先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)...
靜電放電(ESD,electrostatic discharge)是電子工業(yè)最花代價(jià)的損壞原因之一,它會(huì)影響到生產(chǎn)合格率、制造成本、產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性以及...
可控硅頻繁燒壞什么原因? 可控硅是一種半導(dǎo)體器件,也稱為晶閘管,它是用于控制高功率電流的重要元件??煽毓枋褂脧V泛,應(yīng)用于電子設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、電動(dòng)工具等諸...
通過對不同器件結(jié)構(gòu)LDMOS的靜電放電防護(hù)性能的分析對比,指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS器件在靜電防護(hù)方面的優(yōu)勢。
人體放電模式(Human-Body Model, HBM)產(chǎn)生的ESD是指因人體在地上走動(dòng)磨擦或其他因素在人體上已累積了靜電,當(dāng)此人去碰觸到IC時(shí),人體...
2017-02-09 標(biāo)簽:靜電放電 8983 0
在本文中,我們將討論典型的靜電放電(ESD)問題和常見解決方案,靜電放電(ESD)是我們許多人每天遇到的常見現(xiàn)象,它是兩個(gè)不同電位(或電荷)物體之間突然...
為什么經(jīng)常見到電路板GND與外殼GND之間,接一個(gè)電阻一個(gè)電容?
為什么經(jīng)常見到電路板GND與外殼GND之間,接一個(gè)電阻一個(gè)電容? 電路板上的GND(地)與外殼GND之間常常接一個(gè)電阻和一個(gè)電容的原因是為了實(shí)現(xiàn)電磁兼容...
切換式電源產(chǎn)品在做驗(yàn)證時(shí),經(jīng)常會(huì)遭遇到ESD的相關(guān)問題,有時(shí)處理起來需花費(fèi)非常多的時(shí)間,筆者從事切換式電源電路設(shè)計(jì)多年,希望能藉由之前ESD對策的經(jīng)驗(yàn)與...
電子元件燒壞原因是什么?導(dǎo)致元器件燒蝕的原因? 電子元件燒壞是電子設(shè)備中常見的故障之一。當(dāng)電子設(shè)備經(jīng)過長時(shí)間使用或由于其他因素導(dǎo)致等問題時(shí),電子元件的電...
ESD失效和EOS失效的區(qū)別 ESD(電靜電放電)失效和EOS(電壓過沖)失效是在電子設(shè)備和電路中經(jīng)常遇到的兩種失效問題。盡管它們都涉及電氣問題,但其具...
ESD靜電放電有幾種主要的破壞機(jī)制 ESD失效的原因
ESD靜電放電有幾種主要的破壞機(jī)制 ESD失效的原因? 靜電放電(ESD)是由于靜電的積累導(dǎo)致電荷突然放電到不同電勢的物體上而引起的一系列現(xiàn)象。ESD可...
電子芯片故障原因有哪些?電子芯片故障分析? 電子芯片是現(xiàn)代生產(chǎn)、生活中不可或缺的電子元件,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、手機(jī)、家電、車載設(shè)備等各種電子產(chǎn)品中。然而,...
優(yōu)化ESD RF前端設(shè)計(jì)要考慮哪些因素?
在了解了 ESD 的基本概念及其與用于板載 ESD 保護(hù)的工具和組件后,Qorvo將全面介紹靜電放電和移動(dòng)設(shè)備 ESD 系統(tǒng)設(shè)計(jì)建模技術(shù)和 RF 前端 ...
ESD靜電放電抗擾度測試中出現(xiàn)的問題主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。首先是手機(jī)通話中斷;其次是ESD靜電放電導(dǎo)致手機(jī)部分功能失效,但靜電放電過程結(jié)束后或者重新啟...
優(yōu)化ESD RF前端設(shè)計(jì)要考慮哪些因素?
在了解了 ESD 的基本概念及其與用于板載 ESD 保護(hù)的工具和組件后,Qorvo將全面介紹靜電放電和移動(dòng)設(shè)備 ESD 系統(tǒng)設(shè)計(jì)建模技術(shù)和 RF 前端 ...
霍爾元件損壞的原因? 霍爾元件是一種廣泛應(yīng)用于傳感器、測量儀器和電子設(shè)備中的元件。它的主要功能是檢測電流、磁場和位置等物理量。然而,霍爾元件也會(huì)出現(xiàn)損壞...
本文介紹了手機(jī)靜電放電測試的要求和方法, 總結(jié)分析了手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)的主要失效現(xiàn)象和模式, 可供手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)及提高手機(jī)抗靜電能力設(shè)計(jì)時(shí)參考。
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