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標(biāo)簽 > 雪崩擊穿
雪崩擊穿是指材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)，雪崩擊穿有正溫度系數(shù)，使得阻擋層中的載流子的數(shù)量雪崩式地增加，流過PN結(jié)的電流就急劇增大擊穿PN結(jié)，這種現(xiàn)象稱為電子雪崩現(xiàn)象。
雪崩擊穿是指材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)，雪崩擊穿有正溫度系數(shù)，使得阻擋層中的載流子的數(shù)量雪崩式地增加，流過PN結(jié)的電流就急劇增大擊穿PN結(jié)，這種現(xiàn)象稱為電子雪崩現(xiàn)象。
隨著反向電壓的提高，空間電荷區(qū)內(nèi)電場增強(qiáng)，通過勢壘區(qū)的載流子獲得的能量也隨之增加。
崩擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見的兩種擊穿現(xiàn)象，它們?cè)谖锢頇C(jī)制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對(duì)這兩種擊穿現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)的介紹和分析。 一、雪崩...
2023-12-30 標(biāo)簽：電壓雪崩擊穿半導(dǎo)體器件 2.6萬 0
圖1給出了PN二極管的伏安特性，包括擊穿區(qū)域。因此，當(dāng)PN二極管高度反向偏置時(shí)，結(jié)可能會(huì)擊穿，即它呈現(xiàn)極小的電阻，導(dǎo)致電流在幾乎恒定的電壓下突然增加。只...
什么是PN結(jié)的反向擊穿？PN結(jié)的反向擊穿有哪幾種？
PN結(jié)的反向擊穿是半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個(gè)重要概念，它指的是在PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)時(shí)，當(dāng)外加的反向電壓增加到一定程度時(shí)，PN結(jié)的電流會(huì)突然激增，這種現(xiàn)象稱...
材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)。
IGBT關(guān)斷時(shí)，如果關(guān)斷過快，di/dt過大會(huì)導(dǎo)致Vce電壓過大超過斷態(tài)電壓Uces時(shí)就有可能導(dǎo)致靜態(tài)雪崩擊穿。
當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會(huì)損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象，特別是在PN結(jié)二極管和各種類型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超...
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離...
何謂PN結(jié)的擊穿特性？雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點(diǎn)？
何謂PN結(jié)的擊穿特性？雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點(diǎn)？ PN結(jié)的擊穿特性是指當(dāng)在PN結(jié)上施加的電壓超過一定的值時(shí)，PN結(jié)將發(fā)生擊穿現(xiàn)象，電流迅速增大，導(dǎo)致...
雪崩擊穿的概念 如何區(qū)別齊納擊穿和雪崩擊穿 雪崩擊穿是可逆的嗎？
雪崩擊穿的概念 如何區(qū)別齊納擊穿和雪崩擊穿 雪崩擊穿是可逆的嗎？ 雪崩擊穿是電氣工程領(lǐng)域中的一個(gè)重要概念，它是指當(dāng)高壓電力系統(tǒng)中的絕緣體遭受較高電壓的沖...
2024-03-26 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)雪崩擊穿擊穿電壓 4508 0
什么是雪崩擊穿？單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩有何不同？雪崩擊穿失效機(jī)理是什么？ 雪崩擊穿是指在電力系統(tǒng)中，由于過電壓等原因?qū)е陆^緣擊穿，進(jìn)而引發(fā)設(shè)備失效的一種故...
2023-11-24 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)過電壓雪崩擊穿 3929 0
雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思 在材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)。這樣，通過空
2010-02-27 標(biāo)簽：雪崩擊穿 3734 0
當(dāng)前，人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。
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