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      標(biāo)簽　>　閾值電壓

      閾值電壓

      +關(guān)注0人關(guān)注

      　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。

      文章：97個(gè) 瀏覽：51890次 帖子：5個(gè)

      閾值電壓技術(shù)

      IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（下）

      IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（下）

      上一節(jié)我們討論了柵極與半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。

      2023-11-29 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體IGBT 3968 0

      NAND Flash上的Vpp是什么？有何功能？

      NAND Flash上的，指的是用于向閃存單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)使用的較高編程電壓。通常高于用于其他操作如讀取或擦除的正常工作電壓。

      2024-05-30 標(biāo)簽：電荷泵VccNand flash 3837 0

      二極管閾值電壓和導(dǎo)通電壓的區(qū)別

      二極管閾值電壓和導(dǎo)通電壓是兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，它們對(duì)于二極管的工作特性和應(yīng)用至關(guān)重要。以下是對(duì)這兩個(gè)參數(shù)的詳細(xì)對(duì)比和分析，包括定義、測(cè)量、影響因素以及在實(shí)際應(yīng)...

      2024-10-29 標(biāo)簽：二極管參數(shù)閾值電壓 3799 0

      滯回比較器的閾值電壓如何確定?

      滯回比較器的閾值電壓如何確定?

      滯回比較器（Hysteresis Comparator），也稱(chēng)為施密特觸發(fā)器（Schmitt Trigger）或遲滯比較器，是一種具有特殊功能的比較器電...

      2024-07-30 標(biāo)簽：施密特觸發(fā)器輸入信號(hào)閾值電壓 3752 0

      晶體三極管的伏安特性曲線(xiàn)

      晶體三極管的伏安特性曲線(xiàn)

      我們就以共射極電路為例來(lái)為大家分享，因?yàn)槿龢O管有三個(gè)極，一個(gè)特性曲線(xiàn)是描述不全的，所以小編從“輸入特性”和“輸出特性”來(lái)和大家講解。

      2023-09-15 標(biāo)簽：三極管控制器晶體三極管 3739 0

      時(shí)序分析基本概念介紹<Operating Condition>

      時(shí)序分析基本概念介紹<Operating Condition>

      今天我們要介紹的時(shí)序分析概念是 **Operating Condition** 。也就是我們經(jīng)常說(shuō)的PVT環(huán)境，分別代表fabrication proc...

      2023-07-04 標(biāo)簽：時(shí)序分析閾值電壓時(shí)序分析器 3517 0

      合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402

      合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402

      PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管，因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類(lèi)型是P型，所以...

      2024-03-01 標(biāo)簽：led照明穩(wěn)壓器PMOS 3291 0

      通過(guò)電路符號(hào)認(rèn)知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理

      通過(guò)電路符號(hào)認(rèn)知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理

      硬件面試中有遇到過(guò)這樣的事嗎？通常讓你畫(huà)一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET

      2023-11-21 標(biāo)簽：MOSFET閾值電壓 3171 0

      艾為推出超高精度、微低功耗線(xiàn)性Hall磁軸鍵盤(pán)解決方案

      艾為推出超高精度、微低功耗線(xiàn)性Hall磁軸鍵盤(pán)解決方案

      在科技日新月異的今天，機(jī)械鍵盤(pán)作為電腦外設(shè)的重要一員，其性能與品質(zhì)不斷提升，滿(mǎn)足著玩家們?nèi)找嬖鲩L(zhǎng)的需求。

      2024-04-15 標(biāo)簽：霍爾傳感器信噪比磁傳感器 3156 0

      滯回比較器的閾值電壓是什么

      滯回比較器的閾值電壓是什么

      滯回比較器（Hysteresis Comparator）是一種具有特殊滯回特性的比較器，其輸出在輸入電壓變化時(shí)展現(xiàn)出一種滯后現(xiàn)象。這種特性使得滯回比較器...

      2024-07-30 標(biāo)簽：輸入電壓閾值電壓滯回比較器 3060 0

      碳化硅的閾值電壓穩(wěn)定性

      碳化硅的閾值電壓穩(wěn)定性

      碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對(duì)Si材料來(lái)講，是比較差的，對(duì)應(yīng)用端的影響也很大。

      2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFET逆變器SiC 3035 0

      分享一種單片機(jī)IO口測(cè)量外部電阻的方法

      分享一種單片機(jī)IO口測(cè)量外部電阻的方法

      在以前的有些單片機(jī)應(yīng)用中，有的時(shí)候會(huì)遇到 AD 端口資源不夠用的情況，但又需要測(cè)量電阻的大小。

      2023-11-24 標(biāo)簽：單片機(jī)熱敏電阻定時(shí)器 2933 0

      IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—輸入電容（上）

      IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—輸入電容（上）

      MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。

      2023-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTMOS 2909 0

      電源防反接電路設(shè)計(jì)方案分享！

      電源防反接電路設(shè)計(jì)方案分享！

      在實(shí)際應(yīng)用中，G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻，防止MOS管被擊穿，也可以加上穩(wěn)壓二極管，并聯(lián)在分壓電阻上的電容，有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。

      2024-04-22 標(biāo)簽：MOSFET穩(wěn)壓二極管MOS管 2726 0

      IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—抗輻照特性介紹

      IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—抗輻照特性介紹

      氧化硅等絕緣層是MOS器件的重要組成部分，在高能粒子的輻射下，絕緣層中激發(fā)的電子空穴對(duì)會(huì)對(duì)絕緣層的特性造成影響。

      2023-11-30 標(biāo)簽：IGBTMOS器件閾值電壓 2582 0

      EDA技術(shù)探索之閾值電壓

      而現(xiàn)代集成電路一般使用MOS管，其本質(zhì)是一個(gè)壓控開(kāi)關(guān)。壓指的就是柵極的電壓，而它控的就是源極和漏極之前的電流。既然叫做開(kāi)關(guān)，那就需要有一個(gè)區(qū)別開(kāi)態(tài)與關(guān)態(tài)的狀態(tài)。

      2022-12-15 標(biāo)簽：eda閾值電壓 2465 0

      利用外部中斷方式來(lái)檢查按鍵KEY狀態(tài)

      利用外部中斷方式來(lái)檢查按鍵KEY狀態(tài)

      我們學(xué)習(xí)了如何使用 Micropython 和 ESP32 實(shí)現(xiàn) GPIO 輸入輸出功能。然而，這種方式存在一個(gè)問(wèn)題：代碼需要不斷地檢測(cè) IO 輸入口的...

      2023-11-08 標(biāo)簽：led燈外部中斷歐姆電阻 2346 0

      滯回比較器閾值電壓怎么求

      滯回比較器（Hysteresis Comparator）是一種具有滯回特性的比較器，其輸出在輸入電壓變化時(shí)具有滯后現(xiàn)象。滯回比較器廣泛應(yīng)用于模擬電路、數(shù)...

      2024-07-30 標(biāo)簽：模擬電路數(shù)字電路閾值電壓 2319 0

      從底層重新認(rèn)識(shí)D觸發(fā)器、建立時(shí)間和保持時(shí)間

      從底層重新認(rèn)識(shí)D觸發(fā)器、建立時(shí)間和保持時(shí)間

      MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）或 IGFET（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它在柵極和主體之間利用絕緣體（如 SiO2）。如今，...

      2023-12-04 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管D觸發(fā)器 2245 0

      同向滯回比較器閾值電壓怎么求

      同向滯回比較器是一種常用的模擬電路，其主要功能是將輸入信號(hào)與參考電壓進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果輸出高電平或低電平。同向滯回比較器具有滯回特性，即在輸入信號(hào)...

      2024-07-10 標(biāo)簽：模擬電路比較器輸入信號(hào) 2168 0

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      • 快充技術(shù)
        快充技術(shù)
        +關(guān)注
      • 尼吉康
        尼吉康
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      • trinamic
        trinamic
        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà)，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
      • 無(wú)線(xiàn)供電
        無(wú)線(xiàn)供電
        +關(guān)注
        無(wú)線(xiàn)供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
      • 寧德時(shí)代
        寧德時(shí)代
        +關(guān)注
      • 艾德克斯
        艾德克斯
        +關(guān)注
        ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
      • 快充
        快充
        +關(guān)注
        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
        Qi標(biāo)準(zhǔn)
        +關(guān)注
        國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
      • Pebble
        Pebble
        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
      • WPC
        WPC
        +關(guān)注
      • 手機(jī)快充
        手機(jī)快充
        +關(guān)注
        手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
      • 電池系統(tǒng)
        電池系統(tǒng)
        +關(guān)注
        　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
      • A4WP
        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
      • MAX660
        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
      • 智能變電站
        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
        +關(guān)注
      • 太陽(yáng)能充電
        太陽(yáng)能充電
        +關(guān)注
      • PSR
        PSR
        +關(guān)注
      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
        +關(guān)注
      • 光伏并網(wǎng)逆變器
        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線(xiàn)電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
      • USB-PD
        USB-PD
        +關(guān)注
      • PWM信號(hào)
        PWM信號(hào)
        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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