第四季度DRAM和NAND全面漲價(jià)，成本上漲約30%

從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。

2023-10-17 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1660 0

三星西安工廠將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

　三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一，在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣...

2023-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存NAND 1637 0

韓國(guó)NAND閃存芯片出口額恢復(fù)增長(zhǎng)

據(jù)韓國(guó)貿(mào)易部16日公布的資料顯示，韓國(guó)9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3...

2023-10-16 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 699 0

有媒體報(bào)道稱，內(nèi)存和閃存價(jià)格將分別上漲30%、20%

日前有媒體報(bào)道稱，受三星等存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)以及國(guó)內(nèi)閃存龍頭存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)能不足的影響，內(nèi)存和閃存元器件采購成本逐步上漲。

2023-10-16 標(biāo)簽：閃存內(nèi)存三星 926 0

DRAM芯片價(jià)格有望隨NAND溫和上漲

據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利...

2023-09-20 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1031 0

三星固態(tài)硬盤獲評(píng)“優(yōu)秀產(chǎn)品”稱號(hào)

9月13日， 由開放數(shù)據(jù)中心委員會(huì) (ODCC) 主辦的“2023開放數(shù)據(jù)中心峰會(huì)”在北京國(guó)際會(huì)議中心順利召開。三星電子副總裁，存儲(chǔ)器新事業(yè)企劃部門負(fù)責(zé)...

2023-09-13 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器軟件 1418 0

慧榮科技MonTitanTM平臺(tái)亮相FMW 2023閃存峰會(huì)，為企業(yè)級(jí)SSD開發(fā)提速

近日，每年一度的國(guó)內(nèi)閃存峰會(huì)Flash Memory World 2023于杭州蕭山完美落幕。峰會(huì)圍繞“芯存儲(chǔ) AI未來”為主題，匯集了行業(yè)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)...

2023-09-06 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)SSD 1077 0

三星將在2024年升級(jí)NAND設(shè)備供應(yīng)鏈

三星業(yè)績(jī)近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強(qiáng)NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)力計(jì)劃在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。

2023-08-30 標(biāo)簽：閃存NANDNAND閃存 651 0

單片機(jī)內(nèi)存優(yōu)化的重要性

單片機(jī)內(nèi)存資源通常包括ram(隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)和Flash存儲(chǔ)器。ram用于運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)和堆棧，而Flash存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)程序代碼和只讀數(shù)據(jù)。這兩者的資源...

2023-08-30 標(biāo)簽：單片機(jī)閃存FlaSh 698 0

紫光國(guó)微上半年凈利潤(rùn)13.92億元，同比增長(zhǎng)16.22%

　在特殊集成電路領(lǐng)域，紫光國(guó)微的fpga產(chǎn)品繼續(xù)保持著行業(yè)市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，用戶范圍也在不斷擴(kuò)大。新一代高性能產(chǎn)品的研發(fā)正在順利進(jìn)行，即將完成研發(fā)。特殊n...

2023-08-24 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ)器 853 0

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9...

2023-08-21 標(biāo)簽：閃存NAND閃存SK海力士 697 0

缺乏殺手級(jí)應(yīng)用 消息稱NAND閃存價(jià)格低迷或比預(yù)期更長(zhǎng)

臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道說，蘋果公司的新一代iphone可以改善存儲(chǔ)芯片制造商的銷售，但從季節(jié)上看，2023年下半年家電市場(chǎng)的需求不會(huì)大幅增加。世界主要閃存...

2023-08-17 標(biāo)簽：閃存iPhone存儲(chǔ)芯片 654 0

三星、SK海力士存儲(chǔ)器庫存破表 牽動(dòng)南亞科、華邦、群聯(lián)等后市

據(jù)dram領(lǐng)域的調(diào)查企業(yè)trend force稱，去年第四季度在dram領(lǐng)域，三星以45.1%的世界市場(chǎng)占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在...

2023-08-17 標(biāo)簽：閃存DRAMSK海力士 775 0

三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今...

2023-08-16 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ)器 937 0

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND！

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND...

2023-08-10 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 1451 0