Spansion發(fā)布單芯片4Gb NOR閃存GL-S

Spansion公司(NYSE: CODE)日前發(fā)布了業(yè)內(nèi)首款基于65納米生產(chǎn)技術(shù)的單芯片4Gb(千兆比特)NOR閃存產(chǎn)品——4Gb Spansion?...

2011-08-13 標(biāo)簽：閃存NOR4Gb 1370 0

閃存引領(lǐng)存儲(chǔ)潮流

隨著數(shù)碼產(chǎn)品，如智能手機(jī)和單反數(shù)碼相機(jī)等的高速發(fā)展和普及，人們對(duì)體積小容量大的閃存類產(chǎn)品需求越來越大。在很多時(shí)候，閃存品質(zhì)的好壞甚至直接影響到了數(shù)碼產(chǎn)品...

2011-07-13 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ) 969 0

日本地震引發(fā)閃存價(jià)格波動(dòng)

目前東芝是全球第二大NAND 閃存芯片廠商，市占率為45%，僅次于韓國三星。NAND閃存芯片則是全球芯片市場(chǎng)的熱銷產(chǎn)品，為蘋果iPhone和iPad等全...

2011-03-15 標(biāo)簽：閃存 704 0

東芝閃存工廠震后恢復(fù)生產(chǎn)

日本11日發(fā)生大地震后，東芝曾一度宣布關(guān)閉三重縣四日市閃存芯片廠。目前的最新消息稱，東芝該廠生產(chǎn)設(shè)施已恢復(fù)運(yùn)轉(zhuǎn)。

2011-03-15 標(biāo)簽：東芝閃存 1114 0

地震或推高閃存芯片現(xiàn)貨價(jià)格

市場(chǎng)研究公司Gartner分析師安德魯·諾伍德(Andrew Norwood)表示，受日本地震影響，智能手機(jī)和平板電腦使用的閃存芯片現(xiàn)貨價(jià)格有可能上升。

2011-03-13 標(biāo)簽：芯片閃存 581 0

賽普拉斯攜手寅通開發(fā)SONOS嵌入式閃存IP技術(shù)

寅通科技(Innopower)將結(jié)合賽普拉斯的技術(shù)，運(yùn)用其技術(shù)支持服務(wù)和其它IP去幫助IC設(shè)計(jì)師在下一代SOC和集成賽普拉斯NVM解決方案的新ASIC設(shè)計(jì)。

2011-03-10 標(biāo)簽：閃存嵌入式賽普拉斯 932 0

Infinite Memory兩款OPT閃存亮相IIC

Infinite Memory是一家以色列Fabless公司，在IIC上展出了兩款OPT閃存，不可重寫且防病毒，雖然只有兩款產(chǎn)品，但前來咨詢的客戶絡(luò)繹不絕。

2011-03-01 標(biāo)簽：閃存IICOPT 1590 0

閃存產(chǎn)業(yè)的技術(shù)開發(fā)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢(shì)

存儲(chǔ)行業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)將是技術(shù)開發(fā)，尤其是NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。

2011-01-12 標(biāo)簽：閃存 510 0

產(chǎn)業(yè)聯(lián)手支持JEDEC統(tǒng)一閃存（UFS)標(biāo)準(zhǔn)

　　JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì), 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)日前宣布，將于近期發(fā)布下一代閃存存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn) - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會(huì)上，該標(biāo)準(zhǔn)...

2010-12-21 標(biāo)簽：閃存JEDEC 916 0

美光科技推出高容量ClearNAND閃存產(chǎn)品組合

　　美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量閃存產(chǎn)品組合，其將在未來延長(zhǎng)數(shù)年NAND產(chǎn)品的生命周期。通過在

2010-12-08 標(biāo)簽：閃存美光科技 767 0

高標(biāo)準(zhǔn)8位低功耗閃存微控制器產(chǎn)品78K0/Kx2-L

　　隨著人們環(huán)保意識(shí)的日益提高，消費(fèi)者越來越關(guān)注微控制器系統(tǒng)的節(jié)能化，為了擴(kuò)大在節(jié)能家電和電池供電系統(tǒng)等市場(chǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用，Renesas(瑞薩)電子在新的...

2010-10-15 標(biāo)簽：微控制器閃存 1243 0

有望取代閃存的新型非易失性技術(shù)--相變內(nèi)存

相變內(nèi)存（Phase Change Memory，PCM）是一項(xiàng)以Intel、Numonys和三星等廠商為先驅(qū)的新型非易失性技術(shù)，可以成為取代閃存的...

2010-07-17 標(biāo)簽：閃存非易失性技術(shù) 699 0

LSI通過1TB希捷閃存達(dá)到百萬次IOPS性能水平

LSI通過1TB希捷閃存達(dá)到百萬次IOPS性能水平     LSI通過1TB希捷閃存取得100萬次IOPS（每秒輸入輸出...

2010-04-19 標(biāo)簽：閃存1TB次IO 960 0