瑞薩電子開發(fā)出新的閃存技術(shù) 實(shí)現(xiàn)業(yè)界最大容量和最快的隨機(jī)訪問操作

瑞薩電子株式會(huì)社宣布開發(fā)出新的閃存技術(shù)，該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更大的內(nèi)存容量、更高的讀出速度和對(duì)采用下一代28 nm工藝的汽車MCU的空中下載技術(shù)(OTA)支持。

2019-06-15 標(biāo)簽：閃存OTA瑞薩電子 1704 0

第四季度DRAM和NAND全面漲價(jià)，成本上漲約30%

從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。

2023-10-17 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1703 0

研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)NAND閃存在2021年全年都將持續(xù)下滑

據(jù)國外媒體報(bào)道，從8月份開始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi)NAND閃存供應(yīng)過剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。 而研究機(jī)構(gòu)在最新的報(bào)告中預(yù)計(jì)，...

2020-12-15 標(biāo)簽：閃存ANAD 1700 0

國產(chǎn)閃存產(chǎn)能將在年底占全球的7%

2019年長江存儲(chǔ)國產(chǎn)的64層閃存開始量產(chǎn)之后，2020年他們又帶來了128層閃存，2021年則會(huì)帶來192層閃存。

2021-01-12 標(biāo)簽：閃存晶圓長江存儲(chǔ) 1675 0

存儲(chǔ)器行業(yè)2016年發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)

對(duì)未來的存儲(chǔ)市場(chǎng)做精準(zhǔn)的預(yù)測(cè)是很難的，但現(xiàn)在我依然要做這件事情。首先，我將先回顧我過去的預(yù)測(cè)，你看過我過去的預(yù)測(cè)之后你才會(huì)相信我。

2016-06-11 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器服務(wù)器 1670 0

三星西安工廠將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

　三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一，在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣...

2023-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存NAND 1663 0

東芝發(fā)布XS700系列固態(tài)移動(dòng)硬盤新品，采用了自家的64層BiCS 3D閃存

東芝發(fā)布了XS700系列固態(tài)移動(dòng)硬盤新品，與傳統(tǒng)機(jī)械式移動(dòng)硬盤相比，它不僅速度更快、更加耐用、還支持USB 3.1 Gen 2 Type-C連接。東芝表...

2018-09-03 標(biāo)簽：東芝閃存固態(tài)硬盤 1659 0

QLC閃存的到來，充分體現(xiàn)出了資本的貪婪

前不久，Intel發(fā)布了全新的SSD 660p，這款SSD的單GB價(jià)格不到0.2美元，最大的“特色”是采用的是QLC閃存，最高連續(xù)讀寫速度可達(dá)1800MB/s。

2018-10-21 標(biāo)簽：閃存SSDQLC 1653 0

英特爾再繪新版圖，3D NAND指日可待

IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時(shí)將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。

2013-05-29 標(biāo)簽：英特爾閃存2D 1648 0

巨頭們削減投資導(dǎo)致內(nèi)存價(jià)格暴漲

過去兩年內(nèi)存的價(jià)格從上一輪的漲價(jià)周期回到了跌價(jià)周期，現(xiàn)在2021年了，內(nèi)存價(jià)格又要回到漲價(jià)模式了，從去年12月到今年1月最多就漲了30%。

2021-01-19 標(biāo)簽：閃存三星電子內(nèi)存 1644 0

內(nèi)存和固態(tài)的顆粒產(chǎn)能進(jìn)入了供大于求的階段 價(jià)格還會(huì)進(jìn)一步下滑

整個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)，在2018年的最后倆月里，稍微讓人緩了口氣，內(nèi)存價(jià)格一路走低，到了雙十一期間，有些品牌的DDR4 8G內(nèi)存下探到了350元以下。過了一個(gè)月...

2018-12-26 標(biāo)簽：閃存DRAM內(nèi)存 1643 0

長江存儲(chǔ)64層閃存已量產(chǎn) 預(yù)計(jì)會(huì)有更多的儲(chǔ)存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片

長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2020-01-16 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ) 1625 0

LSI推出PCIe閃存LSI Nytro MegaRAID卡

LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布面向全球渠道推出PCIe閃存LSI Nytro MegaRAID卡，為直連存儲(chǔ)(DAS)提供簡單、透明和低成本的應(yīng)...

2012-08-30 標(biāo)簽：閃存PCIe半導(dǎo)體芯片 1624 0

為什么3D NAND技術(shù)能占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%？

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中，NAND Flash是一個(gè)亮...

2018-08-13 標(biāo)簽：閃存NAND3D 1620 0

東芝發(fā)布新一代BiCS FLASH全球首款256Gb、48層堆疊閃存

　東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存注2，該閃存容量達(dá)到256Gb（32GB），同時(shí)采用了行業(yè)領(lǐng)先的三階存儲(chǔ)單元（TLC）技術(shù)。這款全新閃存適...

2015-08-19 標(biāo)簽：東芝閃存固態(tài)硬盤 1618 0

國產(chǎn)閃存終在全球市場(chǎng)份額突破1%

2020年全球閃存價(jià)格穩(wěn)步下滑，各大廠商的營收也因此受影響，特別是Q4季度，當(dāng)季總營收141億美元，環(huán)比Q3季度下滑了3.3%。

2021-02-22 標(biāo)簽：閃存NAND 1612 0