SK海力士新款4D閃存有什么新的特點(diǎn)

在最近舉辦的CES 2020展會(huì)上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點(diǎn)采用了SK海力士自家的...

2020-01-13 標(biāo)簽：閃存ssdsk海力士 3322 0

淺析3D CT閃存性能和可靠性分析和優(yōu)化方法

現(xiàn)在我們盤點(diǎn)技術(shù)熱詞，似乎人工智能和區(qū)塊鏈話題熱度呈直線上升。但其實(shí)所有這些都構(gòu)建在閃存的基礎(chǔ)架構(gòu)上，而閃存作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的基石，其可用性，可靠性和性能是...

2019-01-14 標(biāo)簽：閃存3D存儲(chǔ) 3317 0

將 .mcs文件寫(xiě)入Quad SPI或Linear BPI閃存

現(xiàn)在我們必須指定連接到我們特定開(kāi)發(fā)板上的 FPGA/SoC 設(shè)備的內(nèi)存部分。要為您的開(kāi)發(fā)板找到內(nèi)存部分，您必須深入研究用戶指南或電路板原理圖。為了幫助您...

2022-06-29 標(biāo)簽：閃存SPIVivado 3310 0

Intel“閃騰”存儲(chǔ)技術(shù)：目標(biāo)取代內(nèi)存和閃存固態(tài)硬盤

年初發(fā)布七代酷睿Kaby Lake的時(shí)候，Intel首次宣布3DX Point Optance全新存儲(chǔ)技術(shù)中文名定為“閃騰”，首批產(chǎn)品以內(nèi)存的方式提供，...

2017-02-10 標(biāo)簽：閃存intel內(nèi)存 3302 0

西數(shù)推出最新款UFS 3.1閃存 寫(xiě)速最高可達(dá)800MB/s

本周二，西數(shù)宣布推出符合JEDEC最新規(guī)范的UFS 3.1閃存，品名iNAND MC EU521 。

2020-02-19 標(biāo)簽：閃存西數(shù) 3299 0

投資2000億,紫光3D閃存工廠落戶成都

國(guó)內(nèi)尚無(wú)公司能夠大規(guī)模量產(chǎn)閃存及內(nèi)存芯片。

2019-06-28 標(biāo)簽：閃存紫光 3285 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布高速閃存芯片：UFS 3.1通用閃存UC023

UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。

2022-04-19 標(biāo)簽：閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3283 0

SK海力士發(fā)布176層TLC 4D NAND閃存

根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 ...

2020-12-07 標(biāo)簽：閃存TLCSK海力士 3282 0

不要過(guò)于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，...

2020-12-09 標(biāo)簽：閃存儲(chǔ)存3d nand 3277 0

大存儲(chǔ)的需求日益高漲,閃存大廠迎來(lái)發(fā)展新機(jī)遇

當(dāng)你的手機(jī)經(jīng)常顯示它時(shí)，就證明手機(jī)存儲(chǔ)空間不足，需要清楚內(nèi)存了。不過(guò)，這一現(xiàn)象更多的出現(xiàn)在五年以上的舊款手機(jī)，因?yàn)楝F(xiàn)在的智能手機(jī)大多都已經(jīng)是4GB RA...

2019-03-23 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ) 3273 0

今年一直在跌價(jià)的NAND閃存，預(yù)計(jì)三星本季度盈利會(huì)下滑7.6%

持續(xù)上漲兩年多的DRAM內(nèi)存價(jià)格在今年Q4季度終于由漲轉(zhuǎn)跌了，三星、SK Hynix及美光三大內(nèi)存芯片供應(yīng)商都在想方設(shè)法應(yīng)對(duì)即將到來(lái)的降價(jià)周期，這三家公...

2018-12-28 標(biāo)簽：閃存NAND內(nèi)存芯片 3272 0

西數(shù)發(fā)布BiCS5閃存技術(shù) 目前最先進(jìn)、密度最高的3D NAND閃存

西數(shù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5，這是西數(shù)與鎧俠（原來(lái)的東芝存儲(chǔ)）聯(lián)合開(kāi)發(fā)的，在原有96層堆棧BiCS4基礎(chǔ)上做到了112層堆棧。

2020-02-06 標(biāo)簽：閃存TLC存儲(chǔ)芯片 3271 0

美光宣布“uMCP5”已量產(chǎn)，首次將LPDDR5內(nèi)存+UFS閃存二合一

繼今年3月首次公開(kāi)之后，美光今天宣布，全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準(zhǔn)備。

2020-10-21 標(biāo)簽：閃存UFSLPDDR5 3259 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)證實(shí)華為Mate40用上國(guó)產(chǎn)閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年9月份國(guó)內(nèi)第一個(gè)宣布量產(chǎn)64層堆棧3D閃存，一提到國(guó)產(chǎn)閃存，很多人都說(shuō)沒(méi)看見(jiàn)，實(shí)際上已經(jīng)有多款產(chǎn)品用上了國(guó)產(chǎn)閃存，華為Mate40系列手機(jī)現(xiàn)...

2020-11-20 標(biāo)簽：閃存3D華為 3243 0

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升...

2020-11-12 標(biāo)簽：智能手機(jī)閃存邊緣計(jì)算 3241 0

閃存領(lǐng)導(dǎo)者品牌報(bào)告發(fā)布：中國(guó)廠商全軍覆沒(méi)

IT BRAND PULSE發(fā)布了今年最新的閃存產(chǎn)品的品牌領(lǐng)導(dǎo)者調(diào)查，這次很慘，中國(guó)的品牌已經(jīng)全部沒(méi)有了。 SSD，市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者還是三星，不過(guò)，Intel...

2020-11-27 標(biāo)簽：閃存三星電子intel 3232 0

華為發(fā)布OceanStor系列存儲(chǔ)解決方案 業(yè)界首個(gè)內(nèi)置AI芯片閃存

2月28日消息，日前華為發(fā)布了OceanStor系列存儲(chǔ)解決方案，該方案是面向運(yùn)營(yíng)商和企業(yè)用戶在5G時(shí)代將迎來(lái)海量數(shù)據(jù)爆發(fā)式增長(zhǎng)的需求開(kāi)發(fā)。華為稱，隨著...

2020-02-28 標(biāo)簽：閃存華為 3231 0

PC32 SSD將SSD模擬成了SLC

如今的TLC SSD，大多數(shù)都支持Pseudo-SLC緩存加速，也就是將一部分容量模擬成SLC來(lái)?yè)Q取高性能，但問(wèn)題就是一旦緩存容量用完，瞬間就會(huì)被打回原形。

2020-02-24 標(biāo)簽：閃存tcl固態(tài)硬盤 3202 0