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標(biāo)簽 > 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
2016年5月,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商,公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片
長(zhǎng)鑫12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝,這是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產(chǎn)品。
2023-11-29 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1542 0
【芯聞精選】華為發(fā)布鴻蒙OS手機(jī)開(kāi)發(fā)者Beta版 明年覆蓋1億臺(tái)設(shè)
據(jù)印度媒體ETTelecom報(bào)道,不僅是緯創(chuàng),暴力事件對(duì)于蘋(píng)果來(lái)說(shuō),或許也是一大挫折。當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月11日,緯創(chuàng)位于印度南部的一家組裝廠(chǎng)因勞資糾紛發(fā)生暴...
2020-12-17 標(biāo)簽:緯創(chuàng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1360 0
中國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自主研發(fā) LPDDR5 完成
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最近在其官網(wǎng)上宣布,已研發(fā)出中國(guó)首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片,并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5...
2023-12-03 標(biāo)簽:芯片DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1200 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)”晶圓循環(huán)時(shí)間的確定方法和裝置“專(zhuān)利獲授權(quán)
據(jù)專(zhuān)利文摘(摘要),本申請(qǐng)的決定施行如晶片周期時(shí)間的方法及裝置提供,獲取多個(gè)站點(diǎn)的機(jī)臺(tái)的實(shí)際生產(chǎn)數(shù)據(jù),根據(jù)多個(gè)站點(diǎn)的機(jī)臺(tái)的實(shí)際生產(chǎn)數(shù)據(jù),建立隨機(jī)數(shù)表,該...
2023-10-09 標(biāo)簽:晶片模擬器長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 923 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)新專(zhuān)利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法
這個(gè)新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個(gè)部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu):基底,基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu),隔離結(jié)構(gòu),它處于基底頂部并在電容接觸結(jié)構(gòu)之間;...
2024-03-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電容長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 893 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5正式進(jìn)軍移動(dòng)終端市場(chǎng)
資料顯示,LPDDR是低功耗的DRAM存儲(chǔ)器,由DDR內(nèi)存演化而來(lái)。LPDDR的架構(gòu)和接口針對(duì)低功耗應(yīng)用進(jìn)行了專(zhuān)門(mén)優(yōu)化,提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工...
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)“半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的評(píng)估方法及裝置”專(zhuān)利獲授權(quán)
根據(jù)專(zhuān)利摘要,本申請(qǐng)?zhí)峁┤缦略u(píng)價(jià)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法及裝置:評(píng)價(jià)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法是:提供1個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備,半導(dǎo)體設(shè)備至少包括1個(gè)制造單元。半導(dǎo)...
2023-09-12 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體設(shè)備長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 703 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司“沉積設(shè)備、靜電卡盤(pán)、加熱系統(tǒng)及其控溫技術(shù)”
此項(xiàng)發(fā)明涉及一種新型沉積設(shè)備、靜電卡盤(pán)和加熱機(jī)構(gòu),并提供了相應(yīng)的控溫方法。加熱機(jī)構(gòu)主要由導(dǎo)熱板、加熱組件及控制器組成。加熱組件包含至少兩個(gè)加熱元件,其中...
2024-04-15 標(biāo)簽:控制器熱元件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 698 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公布新型存儲(chǔ)器延時(shí)控制電路
具體來(lái)說(shuō),譯碼模塊負(fù)責(zé)接收并解析模式寄存器信號(hào),產(chǎn)生多個(gè)譯碼信號(hào)。而延時(shí)模塊則由多個(gè)延時(shí)子模塊組成,可以根據(jù)譯碼信號(hào)選擇合適的目標(biāo)延時(shí)模塊,然后根據(jù)目標(biāo)...
2024-04-26 標(biāo)簽:寄存器存儲(chǔ)器長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 671 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)取得時(shí)鐘信號(hào)生成技術(shù)專(zhuān)利
據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“時(shí)鐘信號(hào)生成電路、方法及存儲(chǔ)器”的專(zhuān)利,授權(quán)公告號(hào)CN116631469B,申請(qǐng)日期為2023年7月。
2023-12-04 標(biāo)簽:時(shí)鐘信號(hào)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 663 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)"半導(dǎo)體器件冷卻設(shè)備"專(zhuān)利公開(kāi)
該發(fā)明涉及一種新型半導(dǎo)體器件冷卻裝置,主要由冷卻部及驅(qū)動(dòng)部組成。冷卻部?jī)?nèi)置第一冷卻介質(zhì)通道,驅(qū)動(dòng)部可在第一位置與第二位置間移動(dòng),在第一位置時(shí),驅(qū)動(dòng)部與冷...
2024-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 567 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲半導(dǎo)體器件制備裝置及方法專(zhuān)利
這項(xiàng)發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略,主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中,氣體管道設(shè)有多個(gè)氣體入口管道;在反應(yīng)腔室內(nèi),自上而下依...
2024-04-03 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體器件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 541 0
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