長鑫存儲新專利揭示半導體結構與制造方法
在近日，中國企業長鑫存儲技術有限公司展示了其專利——“半導體結構及其制造方法”。此項專利已于申請公布日2024年3月12日正式公開，公開編號為CN117693193A。
這個新穎的發明主要是關于一款包含以下幾個部分的半導體結構：基底，基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結構，隔離結構，它處于基底頂部并在電容接觸結構之間；隔離結構頂部高度低于電容接觸結構；隔離凹槽，從隔離結構頂部延伸到內部空間，且與電容接觸結構保持距離。
通過在隔離結構頂部設計隔離凹槽，可以有效地防止由于電容接觸材料氧化所引起的相鄰電容接觸結構的互相干擾，從而防止短路現象的發生。這樣一來，后續的電容生成過程就不會受到干擾，提高了產品的生產效率和使用可靠性，進而提升了整體半導體結構的質量水平和電子性能。
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