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      標(biāo)簽　>　長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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      2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。

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      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)動(dòng)態(tài)

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      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)簡(jiǎn)介

      　　2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。

      　　我們將憑借值得信賴的產(chǎn)品和服務(wù)滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，致力于成為技術(shù)領(lǐng)先與商業(yè)成功的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片公司，以存儲(chǔ)科技賦能信息社會(huì)，改善人類(lèi)生活。

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      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)

      基于長(zhǎng)鑫國(guó)產(chǎn)顆粒的DDR4內(nèi)存的測(cè)試報(bào)告

      從2018年開(kāi)始，世界的局勢(shì)越來(lái)越緊張，米國(guó)尤其在以芯片為代表的高科技行業(yè)對(duì)我們?nèi)矫娴膹棄海员ＷC芯片的自立自主呼聲越來(lái)越高。之前我們也測(cè)試過(guò)一對(duì)紫...

      2020-07-29 標(biāo)簽：DDR4紫光長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 9210 0

      內(nèi)外兼修，江波龍DDR4內(nèi)存已通過(guò)KTI專(zhuān)項(xiàng)測(cè)試認(rèn)證

      繼推出全系列容量的DDR4內(nèi)存和基于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM資源的國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存后，江波龍?jiān)趦?nèi)存測(cè)試技術(shù)上不斷探索，除了自主開(kāi)發(fā)基于10nm ASIC的測(cè)試系統(tǒng)外，...

      2020-06-23 標(biāo)簽：內(nèi)存DDR4江波龍 2865 0

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      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)帖子

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      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)資料下載

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      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)資訊

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)"半導(dǎo)體器件冷卻設(shè)備"專(zhuān)利公開(kāi)

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)"半導(dǎo)體器件冷卻設(shè)備"專(zhuān)利公開(kāi)

      該發(fā)明涉及一種新型半導(dǎo)體器件冷卻裝置，主要由冷卻部及驅(qū)動(dòng)部組成。冷卻部?jī)?nèi)置第一冷卻介質(zhì)通道，驅(qū)動(dòng)部可在第一位置與第二位置間移動(dòng)，在第一位置時(shí)，驅(qū)動(dòng)部與冷...

      2024-04-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 534 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公布新型存儲(chǔ)器延時(shí)控制電路

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公布新型存儲(chǔ)器延時(shí)控制電路

      具體來(lái)說(shuō)，譯碼模塊負(fù)責(zé)接收并解析模式寄存器信號(hào)，產(chǎn)生多個(gè)譯碼信號(hào)。而延時(shí)模塊則由多個(gè)延時(shí)子模塊組成，可以根據(jù)譯碼信號(hào)選擇合適的目標(biāo)延時(shí)模塊，然后根據(jù)目標(biāo)...

      2024-04-26 標(biāo)簽：寄存器存儲(chǔ)器長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 635 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司“沉積設(shè)備、靜電卡盤(pán)、加熱系統(tǒng)及其控溫技術(shù)”

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司“沉積設(shè)備、靜電卡盤(pán)、加熱系統(tǒng)及其控溫技術(shù)”

      此項(xiàng)發(fā)明涉及一種新型沉積設(shè)備、靜電卡盤(pán)和加熱機(jī)構(gòu)，并提供了相應(yīng)的控溫方法。加熱機(jī)構(gòu)主要由導(dǎo)熱板、加熱組件及控制器組成。加熱組件包含至少兩個(gè)加熱元件，其中...

      2024-04-15 標(biāo)簽：控制器熱元件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 666 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲半導(dǎo)體器件制備裝置及方法專(zhuān)利

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲半導(dǎo)體器件制備裝置及方法專(zhuān)利

      這項(xiàng)發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略，主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中，氣體管道設(shè)有多個(gè)氣體入口管道；在反應(yīng)腔室內(nèi)，自上而下依...

      2024-04-03 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體器件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 497 0

      長(zhǎng)鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛，估值達(dá)1400億元

      長(zhǎng)鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛，估值達(dá)1400億元

      本輪所有投資人均以相同條款及價(jià)格，與長(zhǎng)鑫科技、上述三個(gè)早期股東簽署增資協(xié)議，并將簽署《關(guān)于長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司之股東協(xié)議》，共同參與長(zhǎng)鑫科技增資事項(xiàng)。

      2024-03-30 標(biāo)簽：DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2959 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)新專(zhuān)利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)新專(zhuān)利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法

      這個(gè)新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個(gè)部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)：基底，基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)，它處于基底頂部并在電容接觸結(jié)構(gòu)之間；...

      2024-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電容長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 860 0

      首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)芯片來(lái)了！已在小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證

      LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12G...

      2023-12-06 標(biāo)簽：芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5 1750 0

      中國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自主研發(fā) LPDDR5 完成

      中國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自主研發(fā) LPDDR5 完成

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國(guó)首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5...

      2023-12-03 標(biāo)簽：芯片DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1170 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)取得時(shí)鐘信號(hào)生成技術(shù)專(zhuān)利

      據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“時(shí)鐘信號(hào)生成電路、方法及存儲(chǔ)器”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN116631469B，申請(qǐng)日期為2023年7月。

      2023-12-04 標(biāo)簽：時(shí)鐘信號(hào)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 625 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5正式進(jìn)軍移動(dòng)終端市場(chǎng)

      資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲(chǔ)器，由DDR內(nèi)存演化而來(lái)。LPDDR的架構(gòu)和接口針對(duì)低功耗應(yīng)用進(jìn)行了專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工...

      2023-12-01 標(biāo)簽：DRAMDDRLPDDR 713 0

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      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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