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鎧俠電子（中國）有限公司是鎧俠株式會社在中國的銷售公司，負(fù)責(zé)其產(chǎn)品在中國市場的銷售和業(yè)務(wù)推廣，資材采購支援、客戶技術(shù)支持、外包生產(chǎn)技術(shù)支持，為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)。

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西部數(shù)據(jù)看好鎧俠存儲芯片生產(chǎn)規(guī)模謀求長期合作構(gòu)建競爭優(yōu)勢

據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)首席執(zhí)行官戴維·戈克勒（David Goeckeler）表示，由于閃存市場持續(xù)增長，這家美國芯片制造商認(rèn)為日本的鎧俠公司是長期...

2021-05-06 標(biāo)簽：西部數(shù)據(jù)3D Nand 鎧俠 4.8萬 0

鎧俠：PCIe Gen5 SSD襲卷2024年，閃存技術(shù)創(chuàng)新，加速生成式AI落地

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）生成式AI是最近行業(yè)最火的話題，作為存儲芯片國際大廠的鎧俠，對于閃存在生成式AI時代的技術(shù)和應(yīng)用有著前瞻的理解和舉措。與此...

2024-04-02 標(biāo)簽：閃存 SSD AI 1.0萬 0

鎧俠閃存新廠開建預(yù)計2023年完工

鎧俠（Kioxia）動工興建新廠房、增產(chǎn)3D NAND Flash產(chǎn)品，而鎧俠預(yù)估今后NAND Flash需求將以每年30%左右的速度呈現(xiàn)增長，今后必須...

2022-04-08 標(biāo)簽：閃存鎧俠 6988 0

中芯聯(lián)手大基金?高通驍龍888發(fā)布一周芯片業(yè)重大新聞點評

11月的最后一周，芯片行業(yè)接連發(fā)生了四件大事，中芯國際和大基建二期、亦莊國投建合資公司擴(kuò)充12吋產(chǎn)能；日本芯片商Kioxia獲美許可向華為出口部分產(chǎn)品；...

2020-12-07 標(biāo)簽：中芯國際華為鎧俠 6717 0

2024年存儲行業(yè)十大事件盤點

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）2024年存儲行業(yè)經(jīng)歷了冰火兩重天的一年。AI數(shù)據(jù)中心帶動HBM內(nèi)存需求旺盛。同時消費電子市場略顯低迷，但長期來看AI手機(jī)...

2025-01-06 標(biāo)簽：海力士存儲鎧俠 6396 0

鎧俠擴(kuò)展PCIe?4.0固態(tài)硬盤產(chǎn)品XG8系列達(dá)PCIe Gen4 x4速度

作為進(jìn)一步強(qiáng)化其全面的PCIe??4.0固態(tài)硬盤(SSD)產(chǎn)品組合的一項舉措，鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)推出鎧俠XG8系列客戶...

2022-04-26 標(biāo)簽：固態(tài)硬盤鎧俠 5441 0

預(yù)期提前，鎧俠再次加速，3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3...

2024-06-29 標(biāo)簽：NAND 存儲器 3d nand 5339 0

太強(qiáng)了！國際大廠3D NAND明年將達(dá)176層，國產(chǎn)QLC躋身第一梯隊！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）在半導(dǎo)體行業(yè)的存儲芯片細(xì)分領(lǐng)域，最常被提到的是NAND Flash、NOR Flash、DRAM，其中NAND Flash...

2020-10-20 標(biāo)簽：NAND 美光鎧俠 5250 1

鎧俠已決定停用浦科特傳奇品牌退出市場

據(jù)多家媒體報道，母公司Kioxia（鎧俠）已決定停用Plextor品牌。這個決定無疑給市場帶來了震動，因為浦科特一直是高質(zhì)量和高性能存儲產(chǎn)品的代表。

2024-01-15 標(biāo)簽：東芝 SSD 固態(tài)硬盤 4809 0

美光和鎧俠掀減產(chǎn)計劃至訊創(chuàng)新CEO看好未來5年存儲市場增長

2022年10月，消費電子市場行情低迷，廠商面臨高庫存壓力，兩家國際存儲大廠掀起了減產(chǎn)計劃，美國美光公司和韓國SK海力士都宣布了減產(chǎn)計劃，美光宣布在 2...

2022-10-17 標(biāo)簽：存儲美光鎧俠 3957 0

單顆256GB，單一封裝達(dá)4TB容量，鎧俠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC開始送樣

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）日前，鎧俠宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)的2Tb四級單元 (QLC) 存儲器已開始送樣。這款2Tb ...

2024-07-17 標(biāo)簽：閃存存儲器鎧俠 3816 0

立足優(yōu)勢持續(xù)領(lǐng)先：KIOXIA鎧俠新一代UFS嵌入式閃存器件已批量交貨

KIOXIA鎧俠中國近日宣布，今年其最新發(fā)布的業(yè)界首款支持MIPI M-PHY v5.0的通用閃存Universal Flash Storage (以下...

2022-12-09 標(biāo)簽：UFS 嵌入式閃存鎧俠 3179 0

日本鎧俠獲批，可向華為供數(shù)據(jù)中心服務(wù)器商用芯片

12月4日消息，據(jù)外媒報道，繼AMD、英特爾等公司獲準(zhǔn)向華為供應(yīng)芯片之后，日本存儲芯片廠商鎧俠也已獲得美國批準(zhǔn)，可向華為供應(yīng)芯片。但是僅限于數(shù)據(jù)中心服務(wù)...

2020-12-04 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體鎧俠 3159 0

鎧俠宣布10月起，兩家工廠閃存芯片的晶圓投入量削減30%

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 2022年9月30日，鎧俠發(fā)布通知表示將對閃存生產(chǎn)進(jìn)行調(diào)整。公司從10月起將其兩家日本工廠（Yokkaichi與Kitakami）用于...

2022-10-08 標(biāo)簽：閃存芯片鎧俠減產(chǎn) 3073 0

東芝存儲改名鎧俠 RC10 500GB上手報告

雖然原東芝儲存改名鎧俠以后，很多用戶紛紛表示失去了曾經(jīng)熟悉的感覺，但作為全球第二大閃存供應(yīng)商，鎧俠依舊擁有原東芝存儲一流的品質(zhì)與性能。

2020-07-07 標(biāo)簽：SSD 鎧俠 3060 0

鎧俠量產(chǎn)四層單元QLC UFS 4.0閃存

近日，鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元（4LC）技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS，擁有更高的位密度，使其在存...

2024-10-31 標(biāo)簽：閃存 qlc 鎧俠 2963 0

引領(lǐng)PCIe Gen5 SSD部署，鎧俠在CFMS展出哪些旗艦產(chǎn)品？

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 3月20日，在深圳前海舉辦的2024CFMS峰會上，來自日本存儲大廠鎧俠CTO柳茂知表示，閃存價格出現(xiàn)上漲，今年存儲市場的發(fā)展...

2024-03-25 標(biāo)簽：內(nèi)存 SSD PCIe 2803 0

受鎧俠、西數(shù)原料污染影響 NAND Flash以5%幅度逐步漲價

　從1月份開始，鎧俠因調(diào)查原材料污染及設(shè)計問題關(guān)閉3D NAND閃存生產(chǎn)線。

2022-04-01 標(biāo)簽：Nand flash 鎧俠 2662 0

鎧俠推出162層3D閃存：產(chǎn)能增加70%、性能提升66%

在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃...

2021-02-19 標(biāo)簽：產(chǎn)能性能 3D閃存 2627 0

芯片制造商鎧俠獲得美國許可,可向華為出口部分產(chǎn)品

據(jù)日經(jīng)亞洲評論報道稱，全球第二大內(nèi)存廠商鎧俠（Kioxia），已經(jīng)獲得美國的審批，恢復(fù)向華為供貨。

2020-12-04 標(biāo)簽：華為芯片制造鎧俠 2474 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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